技术总结
本实用新型涉及一种三轴磁场传感器。本实用新型包括X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器。X/Y双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器均设置在衬底上，X/Y双轴磁场传感器与Z轴磁场传感器位置相邻；X/Y双轴磁场传感器的两组惠斯通电桥结构形成两个输出，实现X/Y轴磁场测量。Z轴磁场传感器在Z轴磁场作用下，产生两个方向不同的水平分量漏磁磁场，通过电桥感知并输出，实现Z轴磁场测量。本实用新型可实现单芯集成，三轴磁场传感器可实现单芯工艺层次的集成，即所有的磁敏电阻单元可以在同一种工艺中同时制成，集成度高、稳定性好、抗干扰能力强。
技术研发人员：钱正洪;白茹;胡亮
受保护的技术使用者：钱正洪;白茹
技术研发日：2018.06.22
技术公布日：2019.04.02