抗干扰的锰铜分流器的制作方法

文档序号:18287594发布日期:2019-07-27 11:02阅读:485来源:国知局
抗干扰的锰铜分流器的制作方法

本实用新型涉及电器测量元件的技术领域,特别涉及一种抗干扰的锰铜分流器。



背景技术:

现有的锰铜分流器一般为片状,其包括两侧的导电片和锰铜采样片。锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片连接,锰铜采样片上引出有两个用于连接采样线的接线柱,或者靠近锰铜采样片与导电片的连接部位设有用于连接采样线的接线柱,两侧的导电片上设有用于连用连接带检测的直流电流的接线柱。采用采样线对锰铜采样片两端的电压进行采样时,采样线会受到外界磁场的干扰,且采样线本身也带有误差,会导致采样到的电压信号不准确,从而影响对电流的检测精度。



技术实现要素:

针对现有技术存在的问题,本实用新型的主要目的是提供一种抗干扰的锰铜分流器,可以有效避免采样线以及外界磁场的干扰。

为实现上述目的,本实用新型提出的抗干扰的锰铜分流器,其包括锰铜采样片,所述锰铜采样片的两端分别设有导电片。所述导电片远离锰铜采样片的一端设有第一通孔,所述第一通孔内设有用于连接直流电流引线的螺纹导柱,所述导电片靠近锰铜采样片的一端设有第二通孔,所述第二通孔内设有采样柱,所述采样柱包括上下设置的插针部与固定部,所述固定部嵌套在第二通孔内,采样电路板上设有与所述插针部对应的插孔,所述插针部插接在其对应的插孔内。

优选地,所述插针部与所述固定部之间设有连接部,所述连接部呈圆台状设置。

优选地,所述第二通孔呈倒锥形,所述采样柱从第二通孔口径较小的一端插入所述第二通孔。

优选地,所述第二通孔的锥度在2°~3°之间。

本实用新型的技术方案通过改变与采样线连接的导柱的结构,将其设置为插针,在测试时,可以直接将分流器插接在采样电路板上进行电压采样,避免了通过采样线采样时外界磁场以及采样线本身带来的干扰。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型抗干扰的锰铜分流器一实施例的整体结构示意图;

图2为本实用新型抗干扰的锰铜分流器的主视图;

图3为图2中A-A处的剖视图;

图4为第二通孔的剖视图;

本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

本实用新型提出一种抗干扰的锰铜分流器。

参照图1-2,图1为本实用新型抗干扰的锰铜分流器一实施例的整体结构示意图,图2为本实用新型抗干扰的锰铜分流器的主视图。

如图1-2所示,在本实用新型实施例中,该抗干扰的锰铜分流器包括锰铜采样片100,锰铜采样片100的两端分别设有导电片200。导电片200远离锰铜采样片100的一端设有第一通孔210,第一通孔210内设有用于连接直流电流引线的螺纹导柱(图中未显示),导电片200靠近锰铜采样片100的一端设有第二通孔220,第二通孔220内设有采样柱300,采样柱300包括上下设置的插针部 310与固定部320,固定部320嵌套在第二通孔220内,采样电路板上设有与插针部310对应的插孔,使用时,将采样柱300的插针部310插接在其对应的插孔内。

本实用新型的技术方案通过改变与采样线连接的导柱的结构,将其设置为插针状,在测试时,可以直接将分流器插接在采样电路板上进行电压采样,避免了通过采样线采样时外界磁场以及采样线本身带来的干扰。

优选地,如图3所示,插针部310与固定部320之间设有连接部330,连接部330呈圆台状设置。由于插针部310一般直径较小,其与固定部320的连接部位受到外力时容易使得插针部310弯曲或者断裂。通过设置圆台状的连接部 330,可以有效避免插针部310弯曲或者断裂,保证插针部310能够正常的插接在插孔内。在本实施例中,插针部310、固定部320、以及连接部330一体连接,保证了采样柱300的整体结构强度。

优选地,如图4所示,第二通孔呈倒锥形,其上端口的直径为a,其下端口的直径为b,a>b。采样柱300从第二通孔220口径较小的一端插入第二通孔220。由此,以便于通过从固定部320的端部中心将固定部320沿固定部320的径向向外挤压固定部320,使得固定部320的端部膨胀,填充固定部320与第二通孔220 之间的间隙,形成过盈配合,将采样柱300牢牢固定在第二通孔220内。

具体地,在本实施例中,第二通孔220的锥度在2°~3°之间,以便于采样柱的固定部与第二通孔之间形成过盈配合。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的实用新型构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

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