技术总结
本实用新型涉及电流传感器技术领域，具体为一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其能够有效地抑制相邻通道的磁干扰，提高检测精度；其包括带U形凹槽的导体，其特征在于，导体包括两个且对称布置，一个导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第一内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第一外侧霍尔器件，另一个导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第二内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第二外侧霍尔器件，第一内侧霍尔器件到第二内侧霍尔器件、第二外侧霍尔器件的直线距离相等，第二内侧霍尔器件到第一内侧霍尔器件、第一外侧霍尔器件的直线距离相等。
技术研发人员：黄海滨;殷晓宇;杨超
受保护的技术使用者：无锡思泰迪半导体有限公司
技术研发日：2018.12.28
技术公布日：2019.11.19