压力传感器的制作方法

文档序号:21652024发布日期:2020-07-29 03:05阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种压力传感器,其具备:

半导体压力传感器芯片,其在内部具有膜片部;

支撑部件,其支撑上述半导体压力传感器芯片;以及

粘接剂层,其粘接并固定上述半导体压力传感器芯片与上述支撑部件,

上述压力传感器的特征在于,

上述粘接剂层的粘接区域比上述半导体压力传感器芯片的上述膜片部相对于上述支撑部件的投影面积小。

2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,

上述粘接剂层的粘接区域的位置位于上述半导体压力传感器芯片的上述膜片部相对于支撑部件的投影部位的内侧。

3.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,

在上述支撑部件设有突起部,该突起部具有与上述粘接剂层的粘接区域匹配的区域的平坦面。

4.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,

上述支撑部件是相对于外部绝缘地固定的金属性的支柱。

5.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,

上述支撑部件是构成上述压力传感器的箱体的基座。

6.根据权利要求5所述的压力传感器,其特征在于,

在上述支撑部件还包括安装基板,该安装基板配置在上述基座与上述半导体压力传感器芯片之间。

7.根据权利要求6所述的压力传感器,其特征在于,

在上述安装基板的固定上述半导体压力传感器芯片的一方的面上形成有导电层。

8.根据权利要求5~7任一项中所述的压力传感器,其特征在于,

上述基座由导电性的材质形成。

9.根据权利要求5~7任一项中所述的压力传感器,其特征在于,

上述基座由绝缘性的材质形成。


技术总结
本发明的目的在于,在使用了如压阻效应方式那样在内部形成有膜片部(126a1)的半导体压力传感器芯片(126)的压力传感器(100)中,降低因温度变化引起的半导体压力传感器芯片(126)、支撑部件、粘接剂的线膨胀系数的不同而产生的半导体压力传感器芯片(126)的歪斜变形,实现压力传感器(100)的精度的提高。本发明的压力传感器(100)具备:在内部具有膜片部(126a1)的半导体压力传感器芯片(126);支撑半导体压力传感器芯片(126)的支柱(125);以及粘接并固定半导体压力传感器芯片(126)与支柱(125)的粘接剂层(125A)。其特征在于,粘接剂层(125A)的粘接区域比半导体压力传感器芯片(126)的膜片部(126a1)相对于支柱(125)的投影面积小。

技术研发人员:泷本和哉
受保护的技术使用者:株式会社鹭宫制作所
技术研发日:2018.10.31
技术公布日:2020.07.28
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