试样支承体、试样的离子化方法及质谱分析方法与流程

本公开涉及一种试样支承体、试样的离子化方法及质谱分析方法。

背景技术：

目前，已知一种试样支承体，其用于在生物试样等试样的质谱分析中将试样离子化(例如，参照专利文献1)。这种试样支承体具备基板，在该基板上形成有开设于第一表面和与第一表面的相反侧的第二表面的多个贯通孔。在以第二表面与试样对置的方式将试样支承体配置于试样上的情况下，可以利用毛细管现象，使试样从基板的第二表面侧经由贯通孔朝向第一表面侧上升。而且，对第一表面侧照射例如激光等能量线时，将在第一表面侧移动的试样离子化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6093492号公报

技术实现要素：

发明所要解决的问题

当对并非薄膜状的试样进行上述的质谱分析时，有时要求在使试样支承体与试样接触后将其从试样剥离，在将该试样支承体配置于工作台等后照射能量线。但是，因为试样支承体的基板非常薄，所以在将试样支承体从试样剥离时，基板可能附着于试样而破损。

因此，本公开的目的在于提供一种试样支承体、试样的离子化方法和质谱分析方法，其抑制破损。

用于解决问题的技术方案

本公开的一方面提供一种试样支承体，其用于将试样离子化，其中，具备：第一层，其上形成有多个第一贯通孔；导电层，其以不堵塞第一贯通孔的方式设置于第一层的表面；第二层，其设置于第一层的与导电层的相反侧，且其上形成有多个第二贯通孔，多个第一贯通孔和多个第二贯通孔沿第一层和第二层的厚度方向延伸，多个第二贯通孔分别与多个第一贯通孔中的一个以上的第一贯通孔连通，第一贯通孔的宽度小于第二贯通孔的宽度，第一贯通孔的开口率小于第二贯通孔的开口率。

上述试样支承体具备第一层、设置于第一层的表面的导电层、以及设置于第一层的与导电层的相反侧的第二层。而且，在第一层上形成有沿试样支承体的厚度方向延伸的多个第一贯通孔，在第二层上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔连通的多个第二贯通孔。因此，例如，在以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置的方式将试样支承体配置于生物试样等试样上的情况下，可以使试样(试样的成分)从第二层的该表面侧经由第二贯通孔朝向第一层侧移动。而且，可以利用毛细管现象，使试样的成分从第一层的第二层侧经由第一贯通孔朝向第一层的表面侧移动。而且，例如，在对第一层的表面照射激光等能量线的情况下，能量经由导电层向在第一层的表面侧移动的试样的成分传递，由此能够将试样的成分离子化。而且，如上述，在第一层的与导电层的相反侧设置有第二层。由此，因为第一层由第二层加强，所以抑制将试样支承体从试样剥离时的第一层的破损。因此，根据该试样支承体，能够抑制试样支承体的破损。

也可以是，试样支承体还具备框体，该框体设置于第一层的与第二层的相反侧，且固定于第一层的周缘部。在该情况下，可以通过框体提高试样支承体的操作性。

也可以是，第一贯通孔的宽度为1nm～700nm，第一层的厚度为1μm～50μm。在该情况下，能够适当地实现上述的毛细管现象引起的试样的成分的移动。

也可以是，第二贯通孔的宽度为1μm～1000μm，第二层的厚度为1μm～3000μm。在该情况下，如上述，能够适当地兼顾试样(试样的成分)从第二层的与第一层的相反侧的表面侧经由第二贯通孔朝向第一层侧的移动和第二层对第一层的加强。

也可以是，第一层和第二层彼此分体形成。在该情况下，通过将第一层和第二层彼此分体设置，能够提高第一层和第二层的组合的自由度。

也可以是，试样支承体还具备固定部件，该固定部件设置于第一层和第二层的外缘部，且夹持第一层和第二层。在该情况下，可以通过固定部件将第一层和第二层装拆自如地固定。另外，例如，可以在将试样支承体从试样剥离后，还将第一层从第二层剥离，并对第一层的表面照射激光等能量线。即，提高了试样支承体的使用自由度。

也可以是，试样支承体还具备粘接层，该粘接层设置于第一层和第二层之间，且将第一层和第二层接合。在该情况下，可以更加可靠地固定第一层和第二层。

也可以是，第一层和第二层通过相同材料形成为一体。在该情况下，简化了试样支承体的结构。

也可以是，上述材料是经阳极氧化的阀金属或经阳极氧化的硅。在该情况下，通过阳极氧化工艺，可容易地得到第一层和第二层形成为一体的结构。

也可以是，第一层和第二层具有柔性(可挠性)。即使在试样具有非平坦状表面且难以对非平坦状表面照射激光等能量线的情况下，也能够适当地将试样的成分离子化。具体而言，通过以第一层和第二层沿着试样的表面的方式将试样支承体配置于试样上，能够使试样的成分在第一层的表面侧移动。而且，在使试样支承体为平板状后，对第一层的表面照射激光等能量线，由此能够将试样的成分离子化。

也可以是，试样支承体呈弯曲形状。在该情况下，即使试样具有非平坦状表面，也可以使试样的成分在第一层的表面侧移动。

本公开的另一方面提供一种试样支承体，其用于将试样离子化，其中，具备：第一层，其具有导电性，且其上形成有多个第一贯通孔；第二层，其设置于第一层的一侧，且其上形成有多个第二贯通孔，多个第一贯通孔和多个第二贯通孔沿第一层和第二层的厚度方向延伸，多个第二贯通孔分别与多个第一贯通孔中的一个以上的第一贯通孔连通，第一贯通孔的宽度小于第二贯通孔的宽度，第一贯通孔的开口率小于第二贯通孔的开口率。

根据该试样支承体，可以省略导电层，并且可得到与具备上述的导电层的试样支承体同样的效果。

也可以是，试样支承体还具备第三层，该第三层设置于第一层的与第二层的相反侧，第一层和第二层具有柔性(可挠性)，第三层由形状记忆材料形成。试样具有非平坦状表面，有时要求构成试样的分子的三维表面分布的图像化。另一方面，有时难以对非平坦状表面照射激光等能量线。在这种情况下，以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置且试样支承体沿着试样的表面的方式将试样支承体配置于试样上，由此可以使试样的成分在第一层的与第二层的相反侧移动，并由第三层记忆试样的表面形状。而且，可以将第三层从第一层剥离，辨识由第三层记忆的试样的表面形状。另外，在使第一层和第二层为平板状后，对第一层的与第二层的相反侧的表面照射激光等能量线，由此能够将试样的成分离子化，并且获取离子化的成分的二维分布。而且，通过合成试样的表面形状和离子化的成分的二维分布，可以获取离子化的成分的三维表面分布。

本公开的另一方面提供一种试样支承体，其用于将试样离子化，其中，具备：第一层，其上形成有多个第一贯通孔；导电层，其以不堵塞第一贯通孔的方式设置于第一层的表面；第二层，其设置于导电层上，且其上形成有多个第二贯通孔，多个第一贯通孔和多个第二贯通孔沿第一层和第二层的厚度方向延伸，多个第二贯通孔分别与多个第一贯通孔中的一个以上的第一贯通孔连通，第一贯通孔的宽度小于第二贯通孔的宽度，第一贯通孔的开口率小于第二贯通孔的开口率。

该试样支承体具备第一层、设置于第一层的表面的导电层、以及设置于导电层上的第二层。而且，在第一层上形成有沿试样支承体的厚度方向延伸的多个第一贯通孔，在第二层上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔连通的多个第二贯通孔。因此，例如，在以第一层的与第二层的相反侧的表面与试样对置的方式将试样支承体配置于生物试样等试样上的情况下，可以利用毛细管现象，使试样(试样的成分)从第一层的与第二层的相反侧的表面侧经由第一贯通孔朝向第二层侧移动。而且，例如，在对第一层的第二层侧的表面照射激光等能量线的情况下，能量经由导电层向在第一层的第二层侧的表面侧移动的试样的成分传递，由此能够将试样的成分离子化。而且，如上述，在导电层上设置有第二层。由此，因为第一层由第二层加强，所以抑制将试样支承体从试样剥离时的第一层的破损。因此，根据该试样支承体，能够抑制试样支承体的破损。

本公开的一方面提供一种试样的离子化方法，其包括：第一工序，准备试样和具备上述导电层的试样支承体；第二工序，以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置的方式，将试样支承体配置于试样上；第三工序，将试样支承体从试样剥离；第四工序，对导电层施加电压，并对第一层的表面照射能量线，由此将试样的成分离子化。

在上述试样的离子化方法中，试样支承体具备第一层、设置于第一层的表面的导电层、以及设置于第一层的与导电层的相反侧的第二层。而且，在第一层上形成有沿试样支承体的厚度方向延伸的多个第一贯通孔，在第二层上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔连通的多个第二贯通孔。试样支承体以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置的方式配置于试样上时，试样(试样的成分)从第二层的该表面侧经由第二贯通孔朝向第一层侧移动。而且，试样的成分从第一层的第二层侧经由第一贯通孔朝向第一层的表面侧移动。而且，在将试样支承体从试样剥离后，对导电层施加电压，并对第一层的表面照射能量线时，能量向在第一层的表面侧移动的试样的成分传递。由此，将试样的成分离子化。在该试样的离子化方法中，如上述，在第一层的与导电层的相反侧设置有第二层。由此，因为第一层由第二层加强，所以抑制将试样支承体从试样剥离时的第一层的破损。因此，根据该试样的离子化方法，能够抑制试样支承体的破损。

也可以是，第一层和第二层彼此分体形成，在第四工序中，在第一层和第二层彼此固定的状态下，对导电层施加电压，并对第一层的表面照射能量线，由此将试样的成分离子化。在该情况下，即使在第四工序中，第一层也由第二层适当地加强。

也可以是，第一层和第二层彼此分体形成，在第三工序中，在将试样支承体从试样剥离后，将第一层从第二层剥离。在该情况下，在第四工序中，能够防止第二层引起的测定噪声的产生。

也可以是，第一层和第二层通过相同材料形成为一体。在该情况下，简化了试样支承体的结构。

也可以是，上述材料是经阳极氧化的阀金属或经阳极氧化的硅。在该情况下，通过阳极氧化工艺，可容易地得到第一层和第二层形成为一体的结构。

也可以是，第二贯通孔的宽度大于能量线的点径。在该情况下，与第二贯通孔的宽度小于能量线的点径的情况相比，能够减小从试样支承体的厚度方向观察到的能量线的照射区域和第二层的第二贯通孔间的隔壁部重叠的部分。即，能够减小能量线的照射区域和第一层的试样的成分未在第一表面侧移动的部分重叠的部分。由此，能够更加高效地将试样的成分离子化。

也可以是，在第三工序中，在附着于第一层的成分干燥前，将试样支承体从试样剥离。在该情况下，在试样支承体和试样固定前，能够比较顺利地将试样支承体从试样剥离。

本公开的另一方面提供一种试样的离子化方法，其包括：第一工序，准备试样和具备具有导电性的上述第一层的试样支承体；第二工序，以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置的方式，将试样支承体配置于试样上；第三工序，将试样支承体从试样剥离；第四工序，对第一层施加电压，并对第一层的与第二层的相反侧的表面照射能量线，由此将试样的成分离子化。

根据该试样的离子化方法，在试样支承体上可以省略导电层，并且可得到与使用如上述具备导电层的试样支承体的情况同样的效果。

本公开的另一方面提供一种试样的离子化方法，其包括：第一工序，准备试样和在导电层上设置有第二层的上述试样支承体；第二工序，以第一层的与第二层的相反侧的表面与试样对置的方式，将试样支承体配置于试样上；第三工序，将试样支承体从试样剥离；第四工序，对导电层施加电压，并对第一层的第二层侧的表面照射能量线，由此将试样的成分离子化。

在上述试样的离子化方法中，试样支承体具备第一层、设置于第一层的表面的导电层、以及设置于导电层上的第二层。而且，在第一层上形成有沿试样支承体的厚度方向延伸的多个第一贯通孔，在第二层上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔连通的多个第二贯通孔。试样支承体以第一层的与第二层的相反侧的表面与试样对置的方式配置于试样上时，试样(试样的成分)从第一层的与第二层的相反侧的表面侧经由第一贯通孔朝向第二层侧移动。而且，在将试样支承体从试样剥离后，对导电层施加电压，并对第一层的第二层侧的表面照射能量线时，能量向在第一层的第二层侧的表面侧移动的试样的成分传递。由此，将试样的成分离子化。在该试样的离子化方法中，如上述，在导电层上设置有第二层。由此，因为第一层由第二层加强，所以抑制将试样支承体从试样剥离时的第一层的破损。因此，根据该试样的离子化方法，能够抑制试样支承体的破损。

本公开的一方面提供一种质谱分析方法，其包括：上述试样的离子化方法的各工序；第五工序，检测第四工序中离子化的成分。

根据上述质谱分析方法，能够抑制试样支承体的破损，并进行质谱分析。

本公开的另一方面提供一种质谱分析方法，其包括：第一工序，准备具有非平坦状表面的试样和具备上述第三层的试样支承体；第二工序，以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置且试样支承体沿着试样的非平坦状表面的方式，将试样支承体配置于试样上；第三工序，由第三层记忆试样的表面形状；第四工序，将试样支承体从试样剥离；第五工序，辨识由第三层记忆的试样的表面形状；第六工序，在使第一层和第二层为平板状后，对第一层的与第二层的相反侧施加电压，并照射能量线，由此将试样的成分离子化；第七工序，检测离子化的成分，获取离子化的成分的二维分布；第八工序，通过合成试样的表面形状和离子化的成分的二维分布，获取离子化的成分的三维表面分布。

在上述质谱分析方法中，试样具有非平坦状表面。另外，试样支承体还具备第三层，该第三层设置于第一层的与第二层的相反侧。在试样上，以第二层的与第一层的相反侧的表面与试样对置且试样支承体沿着试样的表面的方式将试样支承体配置于试样上时，试样的成分在第一层的表面侧移动。另外，在以试样支承体沿着试样的表面的方式将试样支承体配置于试样上的状态下，由第三层记忆试样的表面形状。而且，辨识由第三层记忆的试样的表面形状。另一方面，在使第一层和第二层为平板状后，对第一层的与第二层的相反侧施加电压，并照射能量线时，能量向在第一层的表面侧移动的试样的成分传递。由此，将试样的成分离子化。而且，检测离子化的试样的成分，获取离子化的成分的二维分布。而且，通过合成试样的表面形状和离子化的成分的二维分布，获取离子化的成分的三维表面分布。如上所述，根据该质谱分析方法，能够抑制试样支承体的破损，并获取关于具有非平坦状表面的试样的成分的三维表面分布。

发明效果

根据本公开，能够提供一种试样支承体、试样的离子化方法和质谱分析方法，其抑制破损。

附图说明

图1是第一实施方式的试样支承体的俯视图及底视图。

图2是沿着图1所示的ii－ii线的试样支承体的剖视图。

图3是表示从图1所示的第一层的厚度方向观察到的该第一层的放大图像的图。

图4是表示从图1所示的第二层的厚度方向观察到的该第二层的网眼结构例的图。

图5是表示第一实施方式的质谱分析方法的步骤的图。

图6是表示第一实施方式的质谱分析方法的步骤的图。

图7是表示第一实施方式的实施例的质谱分析方法得到的结果的图。

图8是第二实施方式的试样支承体的俯视图。

图9是沿着图8所示的ix－ix线的试样支承体的剖视图。

图10是表示第二实施方式的质谱分析方法的步骤的图。

图11是表示第二实施方式的质谱分析方法的步骤的图。

图12是表示变形例的试样支承体的图。

图13是表示变形例的试样支承体的图。

图14是表示变形例的试样支承体的图。

图15是第三实施方式的试样支承体的剖视图。

图16是表示第三实施方式的质谱分析方法的步骤的图。

图17是第四实施方式的试样支承体的剖视图。

图18是表示图17所示的第一层的制造方法的步骤的图。

图19是第五实施方式的试样支承体的剖视图。

图20是表示第五实施方式的质谱分析方法的步骤的图。

具体实施方式

下面，参照附图对本公开的优选实施方式进行详细说明。此外，在各图中对相同部分或相当部分标注相同标号，省略重复的说明。另外，为了使说明容易理解，图示的各部件(或部位)的尺寸或尺寸的比例有时与实际的尺寸或尺寸的比例不同。

[第一实施方式]

[试样支承体的结构]

图1(a)中示出了第一实施方式的试样支承体1a的俯视图，图1(b)中示出了试样支承体1a的底视图。如图1及图2所示，试样支承体1a具备第一基板(第一层)2、导电层3、第二基板(第二层)4及粘接层5。试样支承体1a是用于将试样离子化的试样支承体。试样支承体1a用于在进行例如质谱分析时，将测定对象的试样的成分离子化。

第一基板2具有第一表面2a及与第一表面2a相反侧的第二表面2b。在第一基板2上同样(均匀分布)形成有多个第一贯通孔2c。各第一贯通孔2c沿试样支承体1a(即第一基板2及第二基板4各自)的厚度方向(下面，简称为“厚度方向”。)延伸，且开设于第一表面2a及第二表面2b。厚度方向是垂直于第一表面2a及第二表面2b、以及后述的第三表面4a及第四表面4b的方向。第一基板2由例如绝缘性材料形成为长方形板状。从厚度方向观察时，第一基板2的一边的长度例如为几cm左右，第一基板2的厚度例如为1μm～50μm左右。在本实施方式中，第一基板2的厚度为5μm左右。

导电层3设置于第一基板2的第一表面2a。导电层3设置于第一表面2a上的第一贯通孔2c的周缘部。即，导电层3覆盖第一基板2的第一表面2a中未形成第一贯通孔2c的部分。即，导电层3以不堵塞第一贯通孔2c的方式设置。

导电层3由导电性材料形成。其中，作为导电层3的材料，因以下叙述的理由，优选使用与试样的相容性(反应性)低且导电性高的金属。

例如，由与蛋白质等试样相容性高的cu(铜)等金属形成导电层3时，在后述的试样的离子化过程中，在cu原子附着于试样分子的状态下将试样离子化，在后述的质谱分析法中检测结果可能偏离cu原子的附着量。因此，作为导电层3的材料，优选使用与试样的相容性低的金属。

另一方面，越是导电性高的金属，越容易且稳定地施加一定电压。因此，由导电性高的金属形成导电层3时，可以对第一基板2的第一表面2a均匀地施加电压。另外，存在越是导电性高的金属，导热性越高的趋势。因此，由导电性高的金属形成导电层3时，可以将照射到第一基板2的激光等能量线的能量经由导电层3高效地向试样传递。因此，作为导电层3的材料，优选使用导电性高的金属。

从以上观点来看，作为导电层3的材料，优选使用例如au(金)、pt(铂)等。导电层3通过例如镀敷法、原子层沉积法(ald：atomiclayerdeposition)、蒸镀法、溅射法等形成1nm～350nm左右的厚度。在本实施方式中，导电层3的厚度为10nm左右。此外，作为导电层3的材料，也可以使用例如cr(铬)、ni(镍)、ti(钛)等。

第一基板2和第二基板4彼此分体形成。第二基板4设置于第一基板2的与导电层3相反侧。即，第二基板4设置于第一基板2的第二表面2b。第二基板4具有第三表面4a及与第三表面4a相反侧的第四表面4b。第二基板4以第三表面4a与第一基板2的第二表面2b对置的方式设置。第二基板4通过粘接层5固定于第一基板2的第二表面2b。

第二基板4具有框部41和网眼部42。框部41呈例如长方形框状。网眼部42设置于框部41的内侧。在网眼部42同样(均匀分布)形成有多个第二贯通孔4c。各第二贯通孔4c沿厚度方向延伸，且开设于第三表面4a及第四表面4b。多个第二贯通孔4c分别与一个以上的第一贯通孔2c连通。在本实施方式中，各第二贯通孔4c与多个第一贯通孔2c连通。从厚度方向观察时，第二基板4具有与第一基板2大致相同的外形。第二基板4的厚度例如为1μm～3000μm左右。在本实施方式中，第二基板4的厚度为100μm左右。

图3是表示从厚度方向观察到的第一基板2的放大图像的图。在图3中，黑色部分为第一贯通孔2c，白色部分为第一贯通孔2c间的隔壁部。如图3所示，在第一基板2上同样形成有具有大致一定宽度的多个第一贯通孔2c。从厚度方向观察到的第一贯通孔2c的形状例如为大致圆形。第一贯通孔2c的宽度例如为1nm～700nm左右。在本实施方式中，第一贯通孔2c的宽度为200nm左右。在从厚度方向观察到的第一贯通孔2c的形状为大致圆形的情况下，第一贯通孔2c的宽度是指第一贯通孔2c的直径，在该形状为除大致圆形外的形状的情况下，第一贯通孔2c的宽度是指收敛于第一贯通孔2c的假想最大圆柱的直径(有效直径)。各第一贯通孔2c间的节距例如为1nm～1000nm左右。在从厚度方向观察到的第一贯通孔2c的形状为大致圆形的情况下，各第一贯通孔2c间的节距是指该各圆的中心间距离，在该形状为除大致圆形外的形状的情况下，各第一贯通孔2c间的节距是指收敛于第一贯通孔2c的假想最大圆柱的中心轴间距离。第一基板2的第一贯通孔2c间的隔壁部的宽度例如为300nm左右。

第一贯通孔2c的开口率(从厚度方向观察时全部第一贯通孔2c占第一表面2a的比例)实用上为10～80％，特别优选为50～60％。多个第一贯通孔2c的大小可以互相不一致，多个第一贯通孔2c彼此也可以相互部分连结。

第一基板2是通过将例如al(铝)阳极氧化而形成的氧化铝多孔膜。具体而言，对al基板实施阳极氧化处理，将氧化的表面部分从al基板剥离，由此可得到第一基板2。此外，第一基板2可以通过将ta(钽)、nb(铌)、ti(钛)、hf(铪)、zr(锆)、zn(锌)、w(钨)、bi(铋)、sb(锑)等除al外的阀金属阳极氧化而形成，也可以通过将si(硅)阳极氧化而形成。

图4是表示从厚度方向观察到的第二基板4的网眼部42的结构例的图。如图4所示，在第二基板4上同样形成有具有大致一定宽度的多个第二贯通孔4c。从厚度方向观察到的第二贯通孔4c的形状例如为大致六边形。第二贯通孔4c的宽度w1例如为1μm～1000μm左右。在本实施方式中，第二贯通孔4c的宽度w1为440μm～470μm左右。这样，第一贯通孔2c的宽度小于第二贯通孔4c的宽度w1。第二贯通孔4c的宽度w1是指收敛于第二贯通孔4c的假想最大圆柱的直径(有效直径)。即，如图4的例子所示，在从厚度方向观察到的第二贯通孔4c的形状为大致六边形的情况下，第二贯通孔4c的宽度w1是指该六边形的彼此对置的两个边部之间的距离。各第二贯通孔4c间的节距p例如为1μm～1100μm左右。在本实施方式中，第二贯通孔4c间的节距p为455μm～530μm左右。这样，各第一贯通孔2c间的节距小于各第二贯通孔4c间的节距p。即，各第一贯通孔2c间的节距和各第二贯通孔4c间的节距p互不相同。各第二贯通孔4c间的节距p是指收敛于第二贯通孔4c的假想最大圆柱的中心轴间距离。网眼部42的第二贯通孔4c间的隔壁部的宽度w2例如为30μm～60μm左右。

第二贯通孔4c的开口率(从厚度方向观察时全部第二贯通孔4c占第三表面4a的比例)为80％以上。这样，第一贯通孔2c的开口率小于第二贯通孔4c的开口率。多个第二贯通孔4c的大小可以互相不一致，多个第二贯通孔4c彼此也可以相互部分连结。第二基板4的材料例如为sus(不锈钢)等。第二基板4可以通过蚀刻例如sus基板而形成。

粘接层5设置于第一基板2的第二表面2b和第二基板4的第三表面4a之间。粘接层5以不妨碍第一贯通孔2c和第二贯通孔4c的连通的方式设置。具体而言，粘接层5设置于第二基板4的第三表面4a上的第二贯通孔4c的周缘部。即，粘接层5覆盖第二基板4的第三表面4a中未形成第二贯通孔4c的部分。即，粘接层5以不堵塞第二贯通孔4c的方式设置。粘接层5将第一基板2和第二基板4接合并固定。作为粘接层5的材料，优选使用释放气体少的粘接材料(例如低熔点玻璃、真空用粘接剂等)。

如以上说明的那样，试样支承体1a具备第一基板2、设置于第一基板2的第一表面2a的导电层3、以及设置于第一基板2的与导电层3相反侧的第二基板4。而且，在第一基板2上形成有沿试样支承体1a的厚度方向延伸的多个第一贯通孔2c，在第二基板4上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔2c连通的多个第二贯通孔4c。因此，在以第二基板4的与第一基板2相反侧的第四表面4b与试样s对置的方式将试样支承体1a配置于试样s上的情况下，可以使试样s的成分s1从第二基板4的该第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧移动(参照图5)。而且，可以利用毛细管现象，使试样s的成分s1从第一基板2的第二基板4侧经由第一贯通孔2c朝向第一基板2的第一表面2a侧移动。而且，在对第一基板2的第一表面2a照射激光l的情况下，能量经由导电层3向在第一基板2的第一表面2a侧移动的试样s的成分s1传递，由此能够将试样s的成分s1离子化(参照图6)。而且，如上述，在第一基板2的与导电层3相反侧设置有第二基板4。由此，因为第一基板2由第二基板4加强，所以抑制将试样支承体1a从试样s剥离时的第一基板2的破损。因此，根据试样支承体1a，能够抑制试样支承体1a的破损。

第一贯通孔2c的宽度为1nm～700nm，第一基板2的厚度为1μm～50μm。由此，能够适当地实现上述的毛细管现象引起的试样s的成分s1的移动。

第二贯通孔4c的宽度为1μm～1000μm，第二基板4的厚度为1μm～3000μm。由此，如上述，能够适当地兼顾试样s的成分s1从第二基板4的与第一基板2相反侧的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧的移动及第二基板4对第一基板2的加强。

第一基板2和第二基板4彼此分体形成。由此，能够提高第一基板2和第二基板4的组合的自由度。

试样支承体1a具备粘接层5，该粘接层5设置于第一基板2和第二基板4之间，且将第一基板2和第二基板4接合。由此，能够更加可靠地固定第一基板2和第二基板4。

[试样的离子化方法]

接下来，参照图5～图7对使用试样支承体1a的试样的离子化方法进行说明。在此，作为一例，对使用激光(能量线)的激光解吸离子化方法(质谱分析装置10实现的质谱分析方法的一部分)进行说明。在图6中，省略试样支承体1a的第一贯通孔2c、第二贯通孔4c、导电层3及粘接层5的图示。

首先，如图5(a)所示，准备试样s及上述的试样支承体1a(第一工序)。将试样s切断，使其截面sa露出。在此，试样s例如为生物试样(含水试样)。试样s为例如草莓等水果。为了顺利地进行试样s的成分s1(参照图5(b))的移动，可以将用于降低成分s1的粘性的溶液(例如乙腈混合液、丙酮等)添加到试样s中。就试样支承体1a而言，可以由实施离子化法及质谱分析方法的人制造而准备，也可以从试样支承体1a的制造商或卖家等获取而准备。

接着，如图5(b)所示，以第二基板4的与第一基板2相反侧的表面(第四表面4b)与试样s的截面sa对置的方式，将试样支承体1a配置于试样s上(第二工序)。第一基板2和第二基板4以彼此接合的状态配置于试样s上。试样支承体1a以第二基板4的第四表面4b与截面sa接触的方式配置于试样s上。试样s的成分s1通过毛细管现象，从第二基板4的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧移动，到达第一基板2的第二表面2b。而且，试样s的成分s1通过毛细管现象，从第一基板2的第二表面2b侧经由第一贯通孔2c朝向第一基板2的第一表面2a侧移动。在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1通过表面张力停留在第一表面2a侧。

接着，将试样支承体1a从试样s剥离(第三工序)。将第一基板2和第二基板4以彼此接合的状态从试样s剥离。在附着于第一基板2的成分s1干燥前，将试样支承体1a从试样s剥离。

接着，如图6所示，试样支承体1a以第二基板4的第四表面4b与载置面6a对置的方式载置于载波片(载置部)6的载置面6a。载波片6是形成有ito(indiumtinoxide)膜等透明导电膜的玻璃基板，透明导电膜的表面为载置面6a。此外，不限于载波片6，也可以使用可确保导电性的部件(例如由不锈钢等金属材料等构成的基板等)作为载置部。

接着，将试样支承体1a固定于载波片6。试样支承体1a通过具有导电性的带7(例如碳带等)固定于载波片6。具体而言，带7与第一基板2的第一表面2a上的导电层3接触且与载波片6的载置面6a接触，由此将试样支承体1a固定于载波片6。带7可以是试样支承体1a的一部分，也可以与试样支承体1a分开准备。在带7是试样支承体1a的一部分的情况下(即在试样支承体1a具备带7的情况下)，例如，带7可以预先在第一基板2的周缘部固定于第一表面2a侧。更具体而言，带7也可以在第一基板2的周缘部固定于导电层3上。

接着，在载波片6和试样支承体1a彼此固定的状态下，载波片6及试样支承体1a载置于质谱分析装置10的支承部12(例如工作台)上。接着，在附着于试样支承体1a的试样s的成分s1干燥的状态下，通过质谱分析装置10的电压施加部14，经由载波片6的载置面6a及带7对试样支承体1a的导电层3(参照图2)施加电压(第四工序)。接着，通过质谱分析装置10的激光照射部13，对第一基板2的第一表面2a照射激光l(第四工序)。在此，激光照射部13对第一表面2a扫描激光l。激光l对第一表面2a的扫描可以通过使支承部12及激光照射部13中的至少一个动作而实施。另外，第二贯通孔4c的宽度大于激光l的点径。

这样，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l，由此将在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1离子化，释放试样离子s2(离子化的成分s1)。具体而言，能量从吸收激光l的能量的导电层3向在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1传递，获得了能量的成分s1汽化，并且获得电荷，成为试样离子s2。以上各工序相当于使用试样支承体1a的试样s的离子化方法(在此，作为一例，作为质谱分析方法的一部分的激光解吸离子化法)。

释放的试样离子s2朝向设置于试样支承体1a和离子检测部15之间的地电极(未图示)加速移动。即，试样离子s2通过施加了电压的导电层3和地电极之间产生的电位差，朝向地电极加速移动。而且，通过质谱分析装置10的离子检测部15检测试样离子s2(第五工序)。在此，离子检测部15以与激光l的扫描位置对应的方式检测试样离子s2。由此，能够将构成试样s的分子的二维分布图像化。此外，此处的质谱分析装置10是利用飞行时间质谱分析法(tof－ms：time-of-flightmassspectrometry)的质谱分析装置。以上各工序相当于使用试样支承体1a的质谱分析方法。

如以上说明的那样，在试样s的离子化方法中，试样支承体1a具备第一基板2、设置于第一基板2的第一表面2a的导电层3、以及设置于第一基板2的与导电层3相反侧的第二基板4。而且，在第一基板2上形成有沿试样支承体1a的厚度方向延伸的多个第一贯通孔2c，在第二基板4上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔2c连通的多个第二贯通孔4c。试样支承体1a以第二基板4的与第一基板2相反侧的第四表面4b与试样s对置的方式配置于试样s上时，试样s的成分s1从第二基板4的该第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧移动。而且，试样s的成分s1从第一基板2的第二基板4侧经由第一贯通孔2c朝向第一基板2的第一表面2a侧移动。而且，在将试样支承体1a从试样s剥离后，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l时，能量向在第一基板2的第一表面2a侧移动的试样s的成分s1传递。由此，将试样s的成分s1离子化。在该激光解吸离子化方法中，如上述，在第一基板2的与导电层3相反侧设置有第二基板4。由此，因为第一基板2由第二基板4加强，所以抑制将试样支承体1a从试样s剥离时的第一基板2的破损。因此，根据该试样的离子化方法，能够抑制试样支承体1a的破损。

在第四工序中，在第一基板2和第二基板4彼此固定的状态下，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l，由此将试样s的成分s1离子化。由此，在第四工序中，第一基板2也由第二基板4适当地加强。

第二贯通孔4c的宽度大于激光l的点径。因此，与第二贯通孔4c的宽度小于激光l的点径的情况相比，能够减小从厚度方向观察到的激光l的照射区域和第二基板4的第二贯通孔4c间的隔壁部重叠的部分。即，能够减小激光l的照射区域和第一基板2上的试样s的成分s1未在第一表面2a侧移动的部分重叠的部分。由此，能够更加高效地将试样s的成分s1离子化。

在第三工序中，在附着于第一基板2的成分s1干燥前，将试样支承体1a从试样s剥离。由此，在试样支承体1a和试样s固定前，能够比较顺利地将试样支承体1a从试样s剥离。

如以上说明的那样，根据上述的质谱分析方法，能够抑制试样支承体1a的破损，并进行质谱分析。

图7是表示实施例的质谱分析方法实现的结果的图。图7中示出了关于试样(草莓)s的截面sa上的219m/z的质谱分析结果。图7(a)中示出了通过进一步沿横向切断沿纵向切成两半的试样s而在外部露出的截面sa的光学图像。图7(b)中示出了试样s的截面sa上的分子的二维分布图像。如图7(c)所示，通过合成构成试样s的分子的二维分布图像和试样s的光学图像，能够进行试样s的成像质谱分析。在图7中，百分数的数值表示质谱分析中的信号强度。即，其意思是百分数的数值越高(图中的颜色越浅)，检测到的试样离子s2越多。

[第二实施方式]

[试样支承体的结构]

参照图8及图9，对第二实施方式的试样支承体1b进行说明。如图8及图9所示，试样支承体1b还具备框架(框体)8及固定部件9，并且在不具备粘接层5(参照图2)这一点上，与第一实施方式的试样支承体1a大不相同。因为第二实施方式的试样支承体1b的其它结构与第一实施方式的试样支承体1a同样，所以省略详细说明。

框架8设置于第一基板2的第一表面2a。即，框架8设置于第一基板2的与第二基板4相反侧。具体而言，框架8固定于第一基板2的周缘部。框架8通过粘接层16固定于第一基板2的第一表面2a。作为粘接层16的材料，优选使用释放气体少的粘接材料(例如低熔点玻璃、真空用粘接剂等)。从厚度方向观察时，框架8具有与第一基板2大致相同的外形。在框架8上形成有开口8a。第一基板2中与开口8a对应的部分作为用于使试样s的成分s1在第一表面2a侧移动的实效区域r发挥作用。

框架8由例如绝缘性材料形成为长方形板状。从厚度方向观察到的框架8的一边的长度例如为几cm左右，框架8的厚度例如为1mm以下。从厚度方向观察到的开口8a的形状例如为圆形，该情况下的开口8a的直径例如为几mm～几十mm左右。

导电层3与第一基板2的第一表面2a中与框架8的开口8a对应的区域(即与实效区域r对应的区域)、开口8a的内表面、以及框架8的与第一基板2相反侧的表面8b连续(一体)形成。导电层3在实效区域r内设置于第一表面2a上的第一贯通孔2c的周缘部。即，导电层3在实效区域r内覆盖第一基板2的第一表面2a中未形成第一贯通孔2c的部分。即，导电层3以不堵塞第一贯通孔2c的方式设置。在实效区域r内，各第一贯通孔2c在开口8a处露出。第一基板2、框架8、粘接层16及导电层3构成基板20。

试样支承体1b不具备粘接层5。第二基板4直接配置于第一基板2的第二表面2b。即，第一基板2的第二表面2b和第二基板4的第三表面4a彼此相接。

固定部件9设置于基板20及第二基板4的外缘部。从厚度方向观察时，固定部件9呈长方形框状。固定部件9具有呈筒状的主体部91和形成于主体部91的厚度方向上的两端的一对夹持部92、93。夹持部92、93从主体部91向内侧突出。夹持部92的内表面92a位于框架8的外缘和框架8的开口8a的内表面之间。夹持部93的内表面93a的位置与夹持部92的内表面92a大致一致。

夹持部92及夹持部93分别包含彼此对置的夹持面92b及93b。夹持面92b和夹持面93b之间的距离与基板20的厚度及第二基板4的厚度的合计大致相同。固定部件9通过夹持面92b及夹持面93b，在厚度方向上夹持基板20及第二基板4。这样，固定部件9通过夹持第一基板2及第二基板4，将第一基板2和第二基板4固定。固定部件9是例如具有弹性且与基板20及第二基板4装拆自如的部件。

如以上说明的那样，试样支承体1b还具备框架8，该框架8设置于第一基板2的与第二基板4相反侧，且固定于第一基板2的周缘部。由此，能够提高试样支承体1b的操作性。另外，抑制温度变化等引起的第一基板2的变形。

试样支承体1b还具备固定部件9，该固定部件9设置于第一基板2及第二基板4的外缘部，且夹持第一基板2及第二基板4。由此，能够将第一基板2和第二基板4装拆自如地固定。另外，例如，可以在将试样支承体1b从试样s剥离后，还将第一基板2从第二基板4剥离，对第一基板2的第一表面2a照射激光l。即，提高了试样支承体1b的使用自由度。

[试样的离子化方法]

接下来，参照图10及图11对使用试样支承体1b的试样的离子化方法进行说明。在上述的第三工序中，在将试样支承体1b从试样s剥离后，还将第一基板2从第二基板4剥离这一点上，使用试样支承体1b的试样的离子化方法与使用试样支承体1a的试样的离子化方法大不相同。因为使用试样支承体1b的试样的离子化方法的其它步骤与使用试样支承体1a的试样的离子化方法同样，所以省略详细说明。在图11中，省略试样支承体1b的第一贯通孔2c、导电层3及粘接层16的图示。

如图10所示，首先，准备试样s及上述试样支承体1b(第一工序)，之后，以第二基板4的与第一基板2相反侧的表面(第四表面4b)与试样s的截面sa对置的方式，将试样支承体1b配置于试样s上(第二工序)。试样支承体1a以第二基板4的第四表面4b与截面sa接触的方式配置于试样s上。而且，在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1通过表面张力停留在第一表面2a侧。

接着，将试样支承体1b从试样s剥离(第三工序)。即，将第一基板2和第二基板4以通过固定部件9彼此固定的状态从试样s剥离。接着，将基板20从第二基板4剥离。具体而言，通过将固定部件9从基板20及第二基板4拆下，将基板20从第二基板4剥离。

接着，如图11所示，基板20载置于载波片(载置部)6的载置面6a。接着，基板20通过带7固定于载波片6。具体而言，带7与形成于框架8的表面8b的导电层3的表面接触且与载波片6的载置面6a接触，由此将基板20固定于载波片6。带7可以是试样支承体1b的一部分，也可以与试样支承体1b分开准备。在带7是试样支承体1b的一部分的情况下(即在试样支承体1b具备带7的情况下)，例如，带7也可以预先在框架8的周缘部固定于表面8b侧。更具体而言，带7也可以在框架8的周缘部固定于导电层3上。

接着，在载波片6和基板20彼此固定的状态下，载波片6及基板20载置于质谱分析装置10的支承部12(例如工作台)上。接着，在附着于试样支承体1b的试样s的成分s1干燥的状态下，通过质谱分析装置10的电压施加部14，经由载波片6的载置面6a及带7对基板20的导电层3(参照图9)施加电压(第四工序)。接着，通过质谱分析装置10的激光照射部13，对第一基板2的第一表面2a照射激光l(第四工序)。

这样，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l，由此将在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1离子化，释放试样离子s2(离子化的成分s1)。以上各工序相当于使用试样支承体1b的试样s的离子化方法(在此，作为一例，作为质谱分析方法的一部分的激光解吸离子化法)。

释放的试样离子s2朝向设置于试样支承体1b和离子检测部15之间的地电极(未图示)加速移动。而且，通过质谱分析装置10的离子检测部15检测试样离子s2(第五工序)。以上各工序相当于使用试样支承体1b的质谱分析方法。

如以上说明的那样，第一基板2和第二基板4彼此分体形成，在第三工序中，在将试样支承体1b从试样s剥离后，将第一基板2从第二基板4剥离。在该情况下，在第四工序中，能够防止第二基板4引起的测定噪声的产生。例如，在第一基板2和第二基板4彼此固定的状态下实施第四工序的情况下，在第五工序中，关于与第二基板4的网眼部42的第二贯通孔4c间的隔壁部重叠的部分，可能检测形成网眼部42的网眼材料的质量作为测定噪声。而且，在如第一实施方式那样设置有粘接层5的情况下，也可能检测粘接层5的质量作为测定噪声。另一方面，根据使用上述的试样支承体1b的试样的离子化方法，能够防止这种问题的产生。另外，例如，在试样支承体1b中，有时使用对激光l不具有耐性的第二基板4。在这种情况下，未将第一基板2从第二基板4剥离而照射激光l时，第二基板4可能受损。根据使用上述的试样支承体1b的试样的离子化方法，也能够防止这种问题的产生。

另外，在第三工序中，将基板20从第二基板4剥离，之后将其载置于载波片6的载置面6a。而且，将其载置于质谱分析装置10的支承部12上。因此，照射激光l的第一表面2a距支承部12的高度与试样支承体1b不具备第二基板4的情况相同。由此，在将试样支承体1b从试样s剥离时，由第二基板4加强第一基板2，并在照射激光l时，也可以在与试样支承体1b不具备第二基板4的情况相同的条件下照射激光l。即，也可以不再次调整激光l的聚光位置的高度。因此，能够较简单地进行试样s的离子化。

[第一实施方式及第二实施方式的变形例]

图12～图14是表示可应用于第一实施方式及第二实施方式的变形例的试样支承体的图。如图12(a)所示，第一基板2及第二基板4也可以呈弯曲形状。具体而言，第二基板4的第四表面4b不是平面而是呈非平坦状的(立体的)形状。第二基板4的第四表面4b呈例如球面状。在此，试样支承体1a整体呈弯曲形状。即，第一基板2、导电层3及粘接层5也呈沿着第二基板4的形状。

根据这种呈弯曲形状的试样支承体1a，在具有非平坦状(例如大致球面状)表面的试样s的质谱分析中，能够进行三维表面匹配。具体而言，以第二基板4的第四表面4b沿着试样s的非平坦状表面的方式，将试样支承体1a配置于试样s上。而且，试样s的成分s1在第一基板2的第一表面2a侧移动。而且，在将试样支承体1a从试样s剥离后，通过实施使用例如激光的3d结构扫描，辨识试样支承体1a的三维形状(即与试样s的表面形状对应的形状)。而且，根据试样支承体1a的三维形状中高度方向(z方向)的值，修正朝向激光l的截面或试样离子s2的地电极的移动距离。由此，进行质谱分析中的三维表面匹配。此外，在进行例如质谱分析前，也可以预先辨识试样支承体1a的三维形状。

另外，在试样支承体1b中，第一基板2及第二基板4也可以呈弯曲形状。在该情况下，试样支承体1b整体呈弯曲形状。即，框架8、粘接层16及固定部件9也呈沿着第二基板4的形状。其中，实效区域r内的第一基板2及第二基板4呈弯曲形状即可，其它部分(例如框架8、粘接层16及固定部件9的一部分或全部)也可以不呈弯曲形状。即使在该情况下，也与呈弯曲形状的试样支承体1a同样，在具有非平坦状表面的试样s的质谱分析中，能够进行三维表面匹配。

如图12(b)所示，第一基板2及第二基板4也可以具有柔性(可挠性)。在此，试样支承体1a整体具有柔性。即，导电层3及粘接层5也具有柔性。此外，柔性是可变形(例如折叠或弯曲)的性质。另外，第一基板2及第二基板4的柔性可以通过变更第二基板4的厚度而控制。试样s具有非平坦状表面(参照图12(a))，并且有时难以对非平坦状表面照射激光l。根据具有柔性的试样支承体1a，即使在这种情况下，在具有非平坦状表面的试样s的质谱分析中，也能够进行三维表面匹配。

具体而言，以第一基板2及第二基板4沿着试样s的非平坦状表面的方式，将试样支承体1a配置于试样s上。而且，试样s的成分s1在第一基板2的第一表面2a侧移动。此时，如上述，通过实施使用例如激光的3d结构扫描，辨识试样支承体1a的三维形状(即与试样s的表面形状对应的形状)。另一方面，在对试样支承体1a照射激光l时，能够对平板状的试样支承体1a(即第一基板2及第二基板4)照射激光l。而且，根据试样支承体1a的三维形状中高度方向(z方向)的值，修正朝向激光l的截面或试样离子s2的地电极的移动距离。由此，进行质谱分析中的三维表面匹配。另外，在第一基板2及第二基板4具有柔性的情况下，能够使试样支承体1a的形状以沿着任意试样s的表面的方式变形，因此能够对具有任意非平坦状表面形状的试样s进行质谱分析(三维表面匹配)。

另外，即使在试样支承体1b中，第一基板2及第二基板4也可以具有柔性。在该情况下，试样支承体1b整体具有柔性。即，框架8、粘接层16及固定部件9也具有柔性。其中，实效区域r内的第一基板2及第二基板4具有柔性即可，其它部分(例如框架8、粘接层16及固定部件9的一部分或全部)也可以不具有柔性。

另外，在第一实施方式及第二实施方式中示出了从厚度方向观察到的第二贯通孔4c的形状为大致六边形的例子，但是第二贯通孔4c也可以呈各种形状。例如，如图13(a)所示，从厚度方向观察到的第二贯通孔4c的形状也可以为大致四边形。即，网眼部42也可以由设置成格子状的壁部形成。另外，如图13(b)所示，从厚度方向观察到的第二贯通孔4c的形状也可以为沿一方向延伸的大致长方形。即，网眼部42也可以由以大致等间隔配置的彼此平行延伸的多个壁部形成。另外，从厚度方向观察到的第二贯通孔4c的形状可以为除上述外的形状，例如可以为大致圆形或大致三角形等。

另外，第二基板4也可以不具有框部41。此外，如上述，在第二贯通孔4c的形状为沿一方向延伸的大致长方形(参照图13(b))的情况下，第二基板4具有框部41。

另外，在第一实施方式及第二实施方式中示出了第二贯通孔4c的宽度为1μm～1000μm左右且各第二贯通孔4c间的节距为1μm～1100μm左右的例子，但是第二贯通孔4c的宽度及各第二贯通孔4c间的节距也可以为几mm～几cm左右。具体而言，网眼部42也可以由一个或多个细长的梁部构成。即，如图14(a)所示，网眼部42也可以由例如沿着框部41的对角线延伸的一个梁部构成。在该情况下，在第二基板4上形成有两个第二贯通孔4c。另外，如图14(b)所示，网眼部42也可以由例如沿着框部41的两个对角线延伸的两个梁部构成。在该情况下，在第二基板4上形成有四个第二贯通孔4c。另外，如图14(c)所示，网眼部42也可以由沿着框部41的一个对角线延伸的一个梁部及沿着框部41的一个边部延伸的多个(在此为三个)梁部构成。在该情况下，在第二基板4上形成有八个第二贯通孔4c。另外，如图14(d)所示，网眼部42也可以由沿着框部41的一个边部延伸的多个(在此为三个)梁部及沿着与框部41的上述一个边部交叉的其它边部延伸的一个梁部构成。在该情况下，在第二基板4上形成有八个第二贯通孔4c。在这种情况下，在将第一基板2大型化时，可以通过第二基板4抑制第一基板2的弯曲。

另外，即使在如第二实施方式那样使用未彼此粘接固定的第一基板2及第二基板4的情况下，如第一实施方式那样，在第四工序中，在第一基板2和第二基板4彼此固定的状态下，也可以对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l，由此将试样s的成分s1离子化。

另外，试样支承体1a也可以包含分别包含一个第二贯通孔4c的多个测定区域。同样，试样支承体1b也可以包含分别包含一个第二贯通孔4c的多个测定区域。即，用于测定成为测定对象的单一试样s的一个测定区域也可以构成为包含第一基板2(第一层)的多个第一贯通孔2c和第二基板4(第二层)的一个第二贯通孔4c。在试样的离子化方法中，以第二基板4的第四表面4b与各试样s对置的方式，将试样支承体1a或试样支承体1b配置于各试样s上。而且，将试样支承体1a或试样支承体1b从各试样s剥离。由此，在各测定区域内，分别实现不同的试样s的成分s1的移动，能够进行离子化。

另外，试样支承体1a也可以包含分别包含多个第二贯通孔4c的多个测定区域。同样，试样支承体1b也可以包含分别包含多个第二贯通孔4c的多个测定区域。即，用于测定成为测定对象的单一试样s的一个测定区域也可以构成为包含第一基板2(第一层)的多个第一贯通孔2c和第二基板4(第二层)的多个第二贯通孔4c。在试样的离子化方法中，以第二基板4的第四表面4b与各试样s对置的方式，将试样支承体1a或试样支承体1b配置于各试样s上。而且，将试样支承体1a或试样支承体1b从各试样s剥离。由此，在各测定区域内，分别实现不同的试样s的成分s1的移动，能够进行离子化。

[第三实施方式]

[试样支承体的结构]

如图15所示，在第二基板4设置于第一基板2的第一表面2a这一点上，第三实施方式的试样支承体1c与第一实施方式的试样支承体1a大不相同。因为第三实施方式的试样支承体1c的其它结构与第一实施方式的试样支承体1a同样，所以省略详细说明。

如图15所示，在试样支承体1c中，第二基板4设置于第一基板2的导电层3侧。即，第二基板4设置于第一基板2的第一表面2a。第二基板4以第三表面4a与第一基板2的第一表面2a对置的方式设置。第二基板4通过粘接层5固定于第一基板2的第一表面2a。

导电层3与第一基板2的第一表面2a中与第二基板4的第二贯通孔4c对应的区域、第二贯通孔4c的内表面、以及第二基板4的第四表面4b连续(一体)形成。导电层3在与第二贯通孔4c对应的区域内设置于第一表面2a上的第一贯通孔2c的周缘部。即，导电层3在与第二贯通孔4c对应的区域内覆盖第一基板2的第一表面2a中未形成第一贯通孔2c的部分。即，导电层3以不堵塞第一贯通孔2c的方式设置。在与第二贯通孔4c对应的区域内，各第一贯通孔2c在第二贯通孔4c处露出。

[试样的离子化方法]

接下来，参照图16对使用试样支承体1c的试样的离子化方法进行说明。在上述的第二工序中以第一基板2的与第二基板4相反侧的第二表面2b与试样s对置的方式将试样支承体1c配置于试样s上这一点、以及在上述的第四工序中对第二基板4的第二贯通孔4c内的第一基板2的第二基板4侧的第一表面2a照射激光l这一点上，使用试样支承体1c的试样的离子化方法与使用试样支承体1a的试样的离子化方法大不相同。在图16(b)中，省略试样支承体1c的第一贯通孔2c、导电层3及粘接层16的图示。

如图16(a)所示，首先，准备试样s及上述试样支承体1c(第一工序)，之后，以第一基板2的第二表面2b与试样s的截面sa对置的方式，将试样支承体1c配置于试样s上(第二工序)。试样支承体1c以第一基板2的第二表面2b与截面sa接触的方式配置于试样s上。而且，试样s的成分s1通过毛细管现象，从第一基板2的第二表面2b侧经由第一贯通孔2c朝向第一基板2的第一表面2a侧移动。在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1通过表面张力停留在第二贯通孔4c内的第一表面2a侧。

接着，将试样支承体1c从试样s剥离(第三工序)。接着，如图16(b)所示，试样支承体1c以第一基板2的第二表面2b与载置面6a对置的方式载置于载波片(载置部)6的载置面6a。接着，试样支承体1c通过带7固定于载波片6。具体而言，带7与第二基板4的第四表面4b上的导电层3接触且与载波片6的载置面6a接触，由此将试样支承体1c固定于载波片6。带7可以是试样支承体1c的一部分，也可以与试样支承体1c分开准备。在带7是试样支承体1c的一部分的情况下(即在试样支承体1c具备带7的情况下)，例如，带7也可以预先在第二基板4的周缘部固定于第四表面4b侧。更具体而言，带7也可以在第二基板4的周缘部固定于导电层3上。

接着，在载波片6和试样支承体1c彼此固定的状态下，载波片6及试样支承体1c载置于质谱分析装置10的支承部12(例如工作台)上。接着，在附着于试样支承体1c的试样s的成分s1干燥的状态下，通过质谱分析装置10的电压施加部14，对试样支承体1c的导电层3(参照图15)施加电压(第四工序)。接着，通过质谱分析装置10的激光照射部13，对第二基板4的第二贯通孔4c内的第一基板2的第一表面2a照射激光l(第四工序)。

这样，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l，由此将在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1离子化，释放试样离子s2(离子化的成分s1)。以上各工序相当于使用试样支承体1c的试样s的离子化方法(在此，作为一例，作为质谱分析方法的一部分的激光解吸离子化法)。

释放的试样离子s2朝向设置于试样支承体1c和离子检测部15之间的地电极(未图示)加速移动。而且，通过质谱分析装置10的离子检测部15检测试样离子s2(第五工序)。以上各工序相当于使用试样支承体1c的质谱分析方法。

如以上说明的那样，试样支承体1c具备第一基板2、设置于第一基板2的第一表面2a的导电层3、以及设置于导电层3上的第二基板4。而且，在第一基板2上形成有沿厚度方向延伸的多个第一贯通孔2c，在第二基板4上形成有分别沿厚度方向延伸且与一个以上的第一贯通孔2c连通的多个第二贯通孔4c。因此，在以第一基板2的与第二基板4相反侧的第二表面2b与试样s对置的方式将试样支承体1c配置于试样s上的情况下，可以利用毛细管现象，使试样s的成分s1从第二表面2b侧经由第一贯通孔2c朝向第二基板4侧移动。而且，在从第二基板4侧对第二基板4的第二贯通孔4c内的第一表面2a照射激光l的情况下，能量经由导电层3向在第一表面2a侧移动的试样s的成分s1传递，由此能够将试样s的成分s1离子化。而且，如上述，在导电层3上设置有第二基板4。由此，因为由第二基板4加强第一基板2，所以抑制将试样支承体1c从试样s剥离时的第一基板2的破损。因此，根据该试样支承体1c，能够抑制试样支承体1c的破损。

另外，在使用试样支承体1c的试样的离子化方法中，以第一基板2的与第二基板4相反侧的第二表面2b与试样s对置的方式将试样支承体1c配置于试样s上时，试样s的成分s1从第二表面2b侧经由第一贯通孔2c朝向第二基板4侧移动。而且，在将试样支承体1c从试样s剥离后，对导电层3施加电压，并对第二基板4的第二贯通孔4c内的第一基板2的第二基板4侧的第一表面2a照射激光l时，能量向在第一基板2的第一表面2a侧移动的试样s的成分s1传递。由此，将试样s的成分s1离子化。在此，在导电层3上设置有第二基板4。由此，因为由第二基板4加强第一基板2，所以抑制将试样支承体1c从试样s剥离时的第一基板2的破损。因此，根据该试样的离子化方法，能够抑制试样支承体1c的破损。

另外，在该试样的离子化方法中，与使用上述的试样支承体1b的试样的离子化方法同样，照射激光l的第一表面2a距支承部12的高度与试样支承体1c不具备第二基板4的情况相同。由此，可以通过第二基板4加强第一基板2，并在与试样支承体1c不具备第二基板4的情况相同的条件下照射激光l。即，也可以不再次调整激光l的聚光位置的高度。因此，能够较简单地进行试样s的离子化。

另外，与试样支承体1b同样，试样支承体1c还可以具备框架8(参照图9)及固定部件9且不具备粘接层5(参照图15)。即，在试样支承体1c中，与试样支承体1b同样，也可以将第一基板2和第二基板4分离。

[第四实施方式]

[试样支承体的结构]

如图17所示，在由一个基板30及导电层3构成这一点上，第四实施方式的试样支承体1d与第一实施方式的试样支承体1a大不相同。因为第四实施方式的试样支承体1d的其它结构与第一实施方式的试样支承体1a同样，所以省略详细说明。

试样支承体1d具备基板30和导电层3。基板30具有第一层31和第二层32。第一层31包含与第二层32相反侧的表面30a。第二层32包含与第一层31相反侧的表面30b。在试样支承体1d中，第一层31和第二层32通过相同材料形成为一体。第一层31及第二层32是例如通过对相同al基板实施阳极氧化处理，将经氧化的表面部分从al基板剥离而形成的氧化铝多孔膜。此外，与试样支承体1a的第一基板2同样，第一层31及第二层32可以通过将ta(钽)、nb(铌)、ti(钛)、hf(铪)、zr(锆)、zn(锌)、w(钨)、bi(铋)、sb(锑)等除al外的阀金属阳极氧化而形成，也可以通过将si(硅)阳极氧化而形成。

第一层31的厚度例如为1～50μm左右。从厚度方向观察到的第一贯通孔30c的形状为大致圆形。第一贯通孔30c的宽度例如为1nm～700nm左右。各第一贯通孔30c间的节距例如为100nm左右。第二层32的厚度例如为1～1000μm左右。从厚度方向观察到的第二贯通孔30d的形状为大致圆形。第二贯通孔30d的宽度例如为1nm～1000nm左右。各第二贯通孔30d间的节距例如为300nm左右。在此，一个第二贯通孔30d与一个第一贯通孔30c连通。因为各第二贯通孔30d间的节距大于各第一贯通孔30c间的节距，所以仅多个第一贯通孔30c中以各第二贯通孔30d间的节距配置的一部分第一贯通孔30c与第二贯通孔30d连通。其它第一贯通孔30c被第二基板4堵塞。

如以上说明的那样，第一层31和第二层32通过相同材料形成为一体。在该情况下，简化了试样支承体1d的结构。另外，在本实施方式中，作为一例，上述相同材料是经阳极氧化的阀金属或经阳极氧化的硅。在该情况下，通过阳极氧化工艺可容易地得到第一层31和第二层32形成为一体的结构。

[试样支承体的制造方法]

接下来，参照图18对试样支承体1d的制造方法进行说明。首先，如图18(a)所示，通过将基体基板200阳极氧化，形成在基体基板200的表面200a设置有多个第一凹部(成为第一贯通孔30c的预定凹部)211的第一阳极氧化膜(氧化铝多孔膜)210。具体而言，首先，将基体基板200浸渍于电解液中。接着，对基体基板200施加规定大小的第一电压(例如40v左右)。施加电压的大小根据所使用的电解液而定。基体基板200以浸渍于电解液中的状态施加上述第一电压时，在表面200a形成第一阳极氧化膜210。基体基板200的材料例如为纯度为99.9％(3n)以上的al(铝)。

接着，如图18(b)所示，通过将形成有第一阳极氧化膜210的基体基板200阳极氧化，形成分别设置有与一个上述第一凹部211连通的多个第二凹部(成为第二贯通孔30d的预定凹部)221的第二阳极氧化膜(氧化铝多孔膜)220。具体而言，对形成有第一阳极氧化膜210的基体基板200施加规定大小的第二电压(例如120v左右)。基体基板200以浸渍于电解液中的状态施加上述第二电压时，形成与第一阳极氧化膜210连续的第二阳极氧化膜220。此外，一个第二凹部221也可以与多个第一凹部211连通。

接着，通过将第一阳极氧化膜210及第二阳极氧化膜220从基体基板200剥离，可得到第一层31及第二层32(参照图17)。接着，将导电层3设置于第一层31的表面30a上的第一贯通孔30c的周缘部。导电层3形成为不堵塞第一贯通孔30c的程度。如上制造试样支承体1d。

[试样的离子化方法]

使用试样支承体1d的试样s的离子化方法与使用试样支承体1a的试样s的离子化方法相同。

[第五实施方式]

[试样支承体的结构]

如图19所示，在第一基板2及第二基板4具有柔性且还具备第三基板17(第三层)这一点上，第五实施方式的试样支承体1e与第一实施方式的试样支承体1a大不相同。因为第五实施方式的试样支承体1e的其它结构与第一实施方式的试样支承体1a同样，所以省略详细说明。

除上述的试样支承体1a外，试样支承体1e还具备第三基板17。在此，试样支承体1a具有柔性(参照图12(b))。第三基板17设置于第一基板2的与第二基板4相反侧。即，第三基板17设置于导电层3的表面。从厚度方向观察时，第三基板17具有与第一基板2及第二基板4大致相同的外形。第三基板17的厚度例如为0.5μm～10mm左右。

第三基板17由形状记忆材料形成。第三基板17例如为形状记忆聚合物。具体而言，第三基板17例如为智能聚合物(nims)。第三基板17的材料例如为对温度具有响应性的材料。例如，在60℃的温度条件下，如果使第三基板17记忆规定形状，则在使第三基板17变形后，在将第三基板17暴露在60℃环境中的情况下，第三基板17再次恢复上述规定形状。此外，第三基板17也可以对热、ph、光、离子及磁场等具有响应性。

如以上说明的那样，试样支承体1e还具备设置于第一基板2的与第二基板4相反侧的第三基板17，第一基板2及第二基板4具有柔性，第三基板17由形状记忆材料形成。试样s具有非平坦状表面，有时要求构成试样s的分子的三维表面分布的图像化。另一方面，有时难以对非平坦状表面照射激光l。在这种情况下，以第二基板4的与第一基板2相反侧的第四表面4b与试样s对置且试样支承体1e沿着试样s的表面的方式将试样支承体1e配置于试样s上，由此，可以使试样s的成分s1在第一基板2的第一表面2a侧移动，并由第三基板17记忆试样s的表面形状。而且，可以将第三基板17从第一基板2剥离，辨识由第三基板17记忆的试样s的表面形状。另外，在使第一基板2及第二基板4恢复平板状后，对第一基板2的第一表面2a照射激光l，由此，能够将试样s的成分s1离子化，并且获取离子化的成分s1(试样离子s2)的二维分布。而且，通过合成试样s的表面形状和试样离子s2的二维分布，能够获取试样离子s2的三维表面分布。

[试样的离子化方法]

接下来，对使用试样支承体1e的试样的离子化方法进行说明。如图20所示，首先，准备具有非平坦状表面的试样s及试样支承体1e(第一工序)。接着，以第二基板4的与第一基板2相反侧的第四表面4b(参照图19)与试样s对置且试样支承体1e沿着试样s的表面的方式，将试样支承体1e配置于试样s上(第二工序)。试样支承体1e以第二基板4的第四表面4b与试样s接触且沿着试样s的表面的方式配置于试样s上。

接着，由第三基板17记忆试样s的表面形状(第三工序)。具体而言，如图20(a)所示，在以沿着试样s的表面的方式将试样支承体1e配置于试样s上的状态下，使第三基板17的温度为规定温度以使第三基板17记忆试样s的表面形状。接着，将试样支承体1e从试样s剥离(第四工序)。具体而言，首先，如图20(b)所示，将第三基板17从第一基板2剥离。此时，在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1通过表面张力停留在第一表面2a侧。之后，将第一基板2及第二基板4从试样s剥离。将第三基板17从第一基板2剥离时，辨识由第三基板17记忆的试样s的表面形状(第五工序)。例如，如图20(c)所示，通过实施例如使用激光l1的3d结构扫描，辨识第三基板17的三维形状。另一方面，如图20(d)所示，从试样s剥离时，第一基板2及第二基板4(即通过将第三基板17从试样支承体1e剥离而形成的试样支承体1a)恢复平板状(第六工序)。而且，如图20(e)所示，在附着于试样支承体1a的试样s的成分s1干燥的状态下，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l。由此，将在第一基板2的第一表面2a侧移动的成分s1离子化，释放试样离子s2(离子化的成分s1)。以上各工序相当于使用试样支承体1e的试样s的离子化方法(在此，作为一例，作为质谱分析方法的一部分的激光解吸离子化法)。

通过质谱分析装置的离子检测部检测释放的试样离子s2，获取试样离子s2的二维分布(第七工序)。接着，通过合成通过3d结构扫描检测到的第三基板17的三维形状(即试样s的表面形状)和通过上述质谱分析(在此为tof－ms)得到的试样离子s2的二维分布，获取试样离子s2的三维表面分布(第八工序)。以上各工序相当于使用试样支承体1e的质谱分析方法。

如以上说明的那样，在使用试样支承体1e的质谱分析方法中，试样s具有非平坦状表面。另外，试样支承体1e还具备设置于第一基板2的与第二基板4相反侧的第三基板17。在试样s上，以第二基板4的与第一基板2相反侧的第四表面4b与试样s对置且试样支承体1e沿着试样s的非平坦状表面的方式将试样支承体1e配置于试样s上时，试样s的成分s1在第一基板2的第一表面2a侧移动。另外，在以试样支承体1e沿着试样s的表面的方式将试样支承体1e配置于试样s上的状态下，由第三基板17记忆试样s的表面形状。而且，辨识由第三基板17记忆的试样s的表面形状。另一方面，在使第一基板2及第二基板4为平板状后，对导电层3施加电压，并对第一基板2的第一表面2a照射激光l时，能量向在第一基板2的第一表面2a侧移动的试样s的成分s1传递。由此，将试样s的成分s1离子化。而且，检测离子化的试样s的成分s1(试样离子s2)，获取试样离子s2的二维分布。而且，通过合成试样s的表面形状和试样离子s2的二维分布，获取试样离子s2的三维表面分布。如上所述，根据使用试样支承体1e的质谱分析方法，可以抑制试样支承体1e的破损，并获取关于具有非平坦状表面的试样的成分的三维表面分布。另外，根据使用试样支承体1e的质谱分析方法，可以同时进行试样s的表面形状的辨识(第五工序)和试样s的成分s1的离子化(第六工序)及试样离子s2的二维分布的获取(第七工序)。由此，能够提高质谱分析的工作效率。

这种可获取三维表面分布的质谱分析方法在例如以下领域中有效。例如，在医学领域，为了掌握皮炎或癌症等的进展情况或特定部位，可获取器官表面或伤口表面的三维表面分布。另外，例如，在生物学领域，可获取活着的生物的体表的三维表面分布。另外，在美术领域，为了特定古艺术品表面的染料或纤维，可获取古艺术品表面的三维表面分布。另外，在农业领域，通过进行农产品表面的残留农药浓度的匹配，能够对清洗方法的改善作出贡献。另外，在渔业领域，为了养殖的间苗判定或居住环境的改善，可获取鱼苗体表的三维表面分布。

[变形例]

如上所述，对本公开的实施方式进行了说明，但本公开不限于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内，本公开可以进行各种变形。

导电层3可以如上述实施方式所示那样不设置于第一贯通孔2c的内表面，也可以设置于第一贯通孔2c的内表面。

第一基板2或基板30可以具有导电性，在质谱分析方法中，可以对第一基板2的与第二基板4的相反侧(第一表面2a)或基板30的表面30a施加电压，并照射激光l。在第一基板2或基板30具有导电性的情况下，在试样支承体1a、1b、1c、1d、1e中可以省略导电层3，并且可得到与使用具备上述的导电层3的试样支承体1a、1b、1c、1d、1e的情况同样的效果。此外，对第一基板2的第一表面2a或基板30的表面30a施加电压是指，在试样支承体1a、1b、1c、1d、1e具备导电层3的情况下，对导电层3施加电压，在第一基板2或基板30具有导电性的情况下，对第一基板2的第一表面2a或基板30的表面30a施加电压。同样，对第一基板2的第一表面2a或基板30的表面30a照射激光l是指，在试样支承体1a、1b、1c、1d、1e具备导电层3的情况下，对导电层3照射激光l，在第一基板2或基板30具有导电性的情况下，对第一基板2的第一表面2a或基板30的表面30a照射激光l。

示出了第二基板4的材料是sus的例子，但第二基板4的材料也可以是加工性高的金属或可实施蚀刻的各种金属。另外，在未将第一基板2从第二基板4剥离的状态下照射激光l的情况下，作为第二基板4的材料，优选对激光l具有耐性的材料。例如，第二基板4的材料也可以是陶瓷、石英或树脂等。

示出了试样s的成分s1通过毛细管现象从第二基板4的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧移动的例子，但是试样s的成分s1也可以不通过毛细管现象从第二基板4的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧移动。例如，也可以通过对试样支承体1a整体朝向试样s适度加压等，使试样s的成分s1从第二基板4的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c朝向第一基板2侧移动。

在第二基板4上，通过试样s的成分s1的表面张力、液体密度、温度(或蒸汽压)、第二基板4的第二贯通孔4c的宽度w1、以及第二基板4的厚度(即第二贯通孔4c的长度)等的组合，有时不发生毛细管现象。在这种情况下，可以通过对试样支承体1a整体朝向例如试样s适度加压等，使试样s的成分s1从第二基板4的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c向第三表面4a侧移动。而且，使试样s的成分s1与第一基板2的第二表面2b接触，由此可以通过毛细管现象使试样s的成分s1从第一基板2的第二表面2b侧经由第一贯通孔2c朝向第一表面2a侧移动。这样，即使在第二贯通孔4c内未发生毛细管现象的情况下，也能够使试样s的成分s1到达第一基板2的第一表面2a侧。此外，作为一例，第二基板4的厚度为100μm左右，试样s的成分s1为纯水，试样s的成分s1和第二基板4的接触角为20°，并且在第二贯通孔4c的宽度w1低于280μm的情况下，试样s的成分s1通过毛细管现象从第二基板4的第四表面4b侧经由第二贯通孔4c向第三表面4a侧移动。

在试样支承体1b上，只要能够将第一基板2和第二基板4固定，就不限于该方式。例如，从厚度方向观察时，固定部件9也可以不呈长方形框状。固定部件9也可以构成为例如在第一基板2及第二基板4的缘部的任意位置夹持第一基板2及第二基板4。另外，试样支承体1b也可以不具备固定部件9。例如，也可以由测定者的手指等夹持第一基板2和第二基板4。另外，在使用试样支承体1b的试样s的质谱分析方法中，也可以在使试样s的成分s1经由第二基板4向第一基板2的第一表面2a侧移动后，在将第二基板4配置于试样s上的状态下将第一基板2从第二基板4剥离。

试样支承体1a、1c、1d、1e也可以具备框架8。试样支承体1b也可以不具备框架8。

在质谱分析装置10中，也可以是，激光照射部13对第一基板2的第一表面2a(或与实效区域r对应的区域)一并照射激光l，离子检测部15维持该区域的二维信息，同时检测试样离子s2。即，质谱分析装置10也可以是投影型质谱分析装置。

示出了从厚度方向观察到的框架8的开口8a的形状为圆形的例子，但开口8a也可以呈各种形状。框架8的开口8a的形状也可以为例如矩形。

示出了试样支承体1a、1b、1c、1d、1e载置于载波片6的例子，但试样支承体1a、1b、1c、1d、1e也可以直接载置于质谱分析装置10的支承部12。

另外，试样支承体1a、1b、1c、1d、1e的用途不限于照射激光l实现的试样s的离子化。试样支承体1a、1b、1c、1d、1e也可以用于照射除激光l外的能量线(例如离子束、电子束等)实现的试样s的离子化。

试样支承体1a、1b、1c、1d、1e也可以通过除带7外的单元(例如使用粘接剂、夹具等的单元)固定于载波片6。另外，也可以不经由载波片6的载置面6a及带7而对导电层3施加电压。在该情况下，载波片6及带7也可以不具有导电性。

上述的试样的离子化方法不仅可以用于构成试样s的分子的质谱分析，也可以用于离子移动性测定等其它测定·实验。

试样s也可以是干燥试样。在该情况下，为了通过毛细管现象使试样s的成分s1在第一基板2的第一表面2a侧移动，也可以将例如溶剂(例如乙腈混合液、丙酮等)添加到试样s中。

标记说明

1a、1b、1c、1d、1e试样支承体

2第一基板(第一层)

2a第一表面(表面)

2c、30c第一贯通孔

3导电层

4第二基板(第二层)

4b第四表面(表面)

4c、30d第二贯通孔

5粘接层

8框架(框体)

9固定部件

17第三基板(第三层)

30a表面

30b表面

31第一层

32第二层

l激光(能量线)

s试样

s1成分

s2试样离子。