半导体结构中氮含量的测量方法及装置与流程

本发明主要涉及半导体测试领域，尤其涉及一种半导体结构中氮含量的测量方法。

背景技术：

半导体集成电路自诞生以来，经历了从小规模、中规模到大规模和超大规模集成的发展阶段，并日益成为现代科学技术中最为活跃的技术领域之一。

为了克服传统的二维存储器在存储容量等方面的限制，常常采用三维(3d)堆叠技术以实现存储器更高的性能和集成度。三维堆叠技术可以将不同功能的芯片或结构，通过堆叠、孔互连等微机械加工技术，在垂直方向上形成立体集成、信号连通的三维结构。利用这一技术将存储单元三维地布置在衬底之上可以大幅提高存储芯片的存储密度。

半导体堆栈(stack)结构已经被广泛应用于3d存储芯片的制造中。举例来说，siox-sioxnx-sioxny堆栈(onostack)的多层结构往往是3dnand等非挥发性三维存储芯片的核心结构，其成分及厚度的变化会很大程度上影响芯片的编程、储存和读取能力。在ono堆栈结构中，氮(n)元素的含量分布是一项非常关键的成分指标。由于氮元素的含量会显著影响多层结构的电学性能，因而准确地测量半导体结构中的氮含量显得尤为重要。

用于元素含量分析的仪器和方法主要有二次离子质谱(secondaryionmassspectroscopy，sims)，x射线光电子能谱分析(x-rayphotoelectronspectroscopy，xps)，能谱仪(energydispersivespectrometer，eds)以及电子能量损失图谱(electronenergylossspectroscopy，eels)等。

ono堆栈结构的厚度一般小于20纳米(nm)，由ono堆栈结构包围而成的沟道孔直径小于150nm。二次离子质谱和x射线光电子能谱分析的探测区域处于微米尺度，无法应用于例如3dnand存储芯片等器件中的元素分析。能谱仪定量分析受制于信号量小、样品对信号吸收(特别是轻元素信号吸收特别明显)、二次荧光干扰等的影响，测量结果准确度和精确度无法满足要求。电子能量损失图谱具有信号量大、信号干扰小的特点，在元素的定性和定量分析中具有广阔的应用前景。

ono堆栈结构中氮元素的电子能量损失图谱定量表征难点在于高能入射电子束造成结构的辐照损伤会极大地影响测量结果的精度。这种辐照损伤主要来源于ono堆栈结构中氮化硅的离子化损伤。已有的文献(igorlevinetal.appliedphysicsletters83,1548(2003))提到辐照损伤会造成氮元素朝着ono堆栈薄膜(film)界面扩散，也提出了减小采谱时间和增加搜集效率可以减小辐照损伤，而无法给出ono堆栈结构中氮含量分布的高精度结果。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体结构中氮含量的测量方法，该方法可以有效提高半导体结构中氮含量的测量精度。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体结构中氮含量的测量方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括电荷俘获层以及形成于所述电荷俘获层之上的隧穿层；扫描所述半导体结构，以获得所述半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与所述第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，所述第一扩展区域与所述第二扩展区域至少没有重叠；根据所述氮含量电子能量损失图谱，确定所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。

在本发明的一实施例中，以固定步长扫描所述半导体结构的所有采集区域。

在本发明的一实施例中，从同一端逐行或逐列扫描所述半导体结构。

在本发明的一实施例中，以之字形逐行或逐列扫描所述半导体结构。

在本发明的一实施例中，以固定步长扫描所述半导体结构中同一行或同一列的采集区域。

在本发明的一实施例中，以第一固定步长扫描第n行或第n列的采集区域，以第二固定步长扫描第n+1行或第n+1列的采集区域，所述第二固定步长不小于所述第二固定步长，其中，n为正整数。

在本发明的一实施例中，读取所述氮含量电子能量损失图谱中氮含量的峰值作为所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。

在本发明的一实施例中，读取所述氮含量电子能量损失图谱中氮含量的平均值作为所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。

在本发明的一实施例中，所述步长为1.22-1.83nm。

本发明的另一方面提供一种半导体结构中氮含量的测量装置，所述半导体结构包括电荷俘获层以及形成于所述电荷俘获层之上的隧穿层，所述测量装置包括：透射电子显微镜，适于扫描所述半导体结构，以获得所述半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与所述第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，所述第一扩展区域与所述第二扩展区域至少没有重叠；平台，适于根据所述氮含量电子能量损失图谱，确定所述电荷俘获层和所述隧穿层中的氮含量。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明的半导体结构中氮含量的测量方法，通过使入射电子束分别在相邻的第一采集区域和第二采集区域中电荷俘获层的底部形成至少不重叠的第一扩展区域和第二扩展区域，显著减小了入射电子束对半导体结构的影响，可以有效提高半导体结构中氮含量的测量精度。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的流程图；

图2a是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的半导体结构的截面示意图；

图2b是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的半导体结构的截面透射电子显微镜成像图；

图3是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的扫描半导体结构的示意图；

图4是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的第一扩展区域和第二扩展区域的示意图；

图5是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时的扫描示意图；

图6是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为1.22nm时的扫描示意图；

图7a是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时的扫描前成像图；

图7b是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时的扫描后成像图；

图8a是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为1.22nm时的扫描前成像图；

图8b是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为1.22nm时的扫描后成像图；

图9是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的半导体结构的氮含量电子能量损失图谱；

图10是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的不同步长时半导体结构的氮含量电子能量损失图谱。

具体实施方式

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。

在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。例如，如果翻转附图中的器件，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件的方向将改为在所述其他元件或特征的“上方”。因而，示例性的词语“下方”和“下面”能够包含上和下两个方向。器件也可能具有其他朝向(旋转90度或处于其他方向)，因此应相应地解释此处使用的空间关系描述词。此外，还将理解，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

应当理解，当一个部件被称为“在另一个部件上”、“连接到另一个部件”、“耦合于另一个部件”或“接触另一个部件”时，它可以直接在该另一个部件之上、连接于或耦合于、或接触该另一个部件，或者可以存在插入部件。相比之下，当一个部件被称为“直接在另一个部件上”、“直接连接于”、“直接耦合于”或“直接接触”另一个部件时，不存在插入部件。同样的，当第一个部件被称为“电接触”或“电耦合于”第二个部件，在该第一部件和该第二部件之间存在允许电流流动的电路径。该电路径可以包括电容器、耦合的电感器和/或允许电流流动的其它部件，甚至在导电部件之间没有直接接触。

本发明提出一种半导体结构中氮含量的测量方法，该方法可以有效提高半导体结构中氮含量的测量精度。

本发明的半导体结构中氮含量的测量方法包括以下步骤：提供半导体结构，该半导体结构包括电荷俘获层和形成于电荷俘获层之上的隧穿层；扫描半导体结构以获得半导体结构的氮含量电子能量损失图谱，其中入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，第一扩展区域与第二扩展区域至少没有重叠；以及根据氮含量电子能量损失图谱确定电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。

图1是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的流程图。下面结合图1对该半导体结构中氮含量的测量方法进行详细说明。可以理解的是，以下所进行的描述仅仅示例性的，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神的情况下，进行各种变化。

步骤110，提供半导体结构。半导体结构包括电荷俘获层以及形成于电荷俘获层之上的隧穿层。

图2a是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的半导体结构的截面示意图。图2b是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的半导体结构的截面透射电子显微镜成像图。

参考图2a和图2b所示，在本发明的一实施例中，半导体结构200可以包括电荷俘获层(traplayer)202以及形成于电荷俘获层202之上的隧穿层(tunnellayer)203。

在本发明的一实施例中，可以采用原子层沉积(ald,atomiclayerdeposition)生长工艺在单晶硅(si)衬底(substrate)201上分别生长电荷俘获层202和隧穿层203。在一些示例中，半导体结构200还包括隧穿层203之上的多晶硅层(polysilayer)204以及多晶硅层201之上的保护层(protectlayer)205。示例性的，多晶硅层204可以采用原子层沉积生长工艺形成于隧穿层203之上。保护层205可以为非晶碳层，但本实施例并未以此为限。

在本发明的一实施例中，可以使用聚焦离子束(fib,focusedionbeam)制备半导体结构200。示例性的，半导体结构200的厚度可以为50-80nm。

步骤120，扫描半导体结构以获得半导体结构的氮含量电子能量损失图谱。其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，第一扩展区域与第二扩展区域至少没有重叠。

图3是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的扫描半导体结构的示意图。参考图3所示，半导体结构300中每个采集区域(图中所示为方格)的直径为步长。在本发明的一实施例中，可以以固定步长扫描半导体结构300的所有采集区域。所有采集区域的氮含量电子能量损失谱整合起来即为半导体结构300的氮含量电子能量损失图谱。

在本发明的一实施例中，可以从同一端逐行或逐列扫描半导体结构300。在图3所示的一个示例中，以采集区域301为端点，逐行扫描半导体结构300。在一些示例中，可以以固定步长扫描半导体结构300中同一行或同一列的采集区域。在另一些示例中，还可以以第一固定步长扫描第n行或第n列的采集区域，以第二固定步长扫描第n+1行或第n+1列的采集区域。其中，第二固定步长不小于第二固定步长，且n为正整数。

在本发明的另一实施例中，可以以之字形逐行或逐列扫描半导体结构300。示例性的，可以以固定步长扫描半导体结构300中同一行或同一列的采集区域。

在本发明的一实施例中，上述步长的范围可以为1.22-1.83nm。优选的，步长可以是1.22nm。

图4是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的第一扩展区域和第二扩展区域的示意图。参考图4所示，扫描半导体结构400，入射电子束在半导体结构400的第一采集区域410中电荷俘获层401的底部形成第一扩展区域411，并在与第一采集区域410相邻的第二采集区域420中电荷俘获层401的底部形成第二扩展区域421。其中，第一扩展区域411与第二扩展区域421至少没有重叠。在图4所示的一个示例中，第一扩展区域411与第二扩展区域421相连但不重叠。可以理解，第一扩展区域411与第二扩展区域421还可以是不相连的区域(图未示)，但本实施例并未以此为限。

图5是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时的扫描示意图。图6是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为1.22nm时的扫描示意图。

参考图4至图6所示，具有一定直径(d)的入射电子束在半导体结构400内会存在一定程度的扩散，扩散导致入射电子束在采集区域的作用面积会大于入射电子束自身的入射截面积。

在图5所示的一个示例中，入射电子束的入射直径为0.3nm，步长为0.7nm。入射电子束在半导体结构500内扩散，相邻采集区域入射电子束的作用区域发生重叠，导致第n+1个采集区域内的原子已经被第n个采集区域的入射电子束作用。由于入射电子束对半导体结构500中的氮化硅造成的辐照损伤是永久性的，相邻采集区域入射电子束的作用区域发生重叠会影响半导体结构500中氮含量的测量结果。

在图6所示的一个示例中，入射电子束的入射直径为0.3nm，步长为1.22nm。入射电子束在半导体结构600内扩散，相邻采集区域入射电子束的作用区域没有发生重叠。第n+1个采集区域内的原子不会被第n个采集区域的入射电子束作用。这种使相邻采集区域入射电子束的作用区域没有发生重叠的步长设置显著减小了入射电子束对半导体结构600中氮含量的测量结果的影响。

图7a是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时的扫描前成像图。图7b是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时的扫描后成像图。

参考图7a和图7b所示，当步长为0.7nm时，扫描半导体结构700后，半导体结构700的隧穿层703发生了明显的结构变化。在扫描过程中，入射电子束对隧穿层703造成了严重的辐照损伤。

图8a是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为1.22nm时的扫描前成像图。图8b是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为1.22nm时的扫描后成像图。

参考图8a和图8b所示，当步长为1.22nm时，扫描半导体结构800后，半导体结构800的隧穿层803没有发生明显的结构变化。在扫描过程中，入射电子束对隧穿层803造成的辐照损伤很小。

应当注意的是，图3至图8b所描述的半导体结构(半导体结构300、半导体结构400、半导体结构500、半导体结构600、半导体结构700以及半导体结构800)均为步骤110中提供的半导体结构200或是与半导体结构200相同的半导体结构。

图9是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的步长为0.7nm时和步长为1.22nm时半导体结构的氮含量电子能量损失图谱。

在扫描半导体结构700和半导体结构800之后，以深度为横坐标，以氮含量百分比为纵坐标，可以分别得到图9所示的两种步长时的氮含量电子能量损失图谱。

步骤130，根据氮含量电子能量损失图谱确定电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。

根据图9所示的扫描后的半导体结构700和半导体结构800的氮含量电子能量损失图谱，可以分别确定出扫描后的半导体结构700和半导体结构800中电荷俘获层及隧穿层中的氮含量。

在图9所示的氮含量电子能量损失图谱中，隧穿层(例如隧穿层703和隧穿层803)和电荷俘获层(例如电荷俘获层702和电荷俘获层802)

参考图9所示，步长为0.7nm时的半导体结构700的隧穿层703的氮含量明显小于步长为1.22nm时的半导体结构800的隧穿层803的氮含量。

图10是本发明一实施例的一种半导体结构中氮含量的测量方法的不同步长时半导体结构的氮含量电子能量损失图谱。

在不同的步长下分别对半导体结构进行扫描以获得半导体结构的氮含量电子能量损失图谱。在图10所示的氮含量电子能量损失图谱中，横坐标为深度，纵坐标为氮含量百分比。

参考图10所示，当步长从0.5nm增大至1.22nm时，半导体结构(例如半导体结构200)的隧穿层(例如隧穿层203)的氮含量增大。当步长从1.22nm增大至1.83nm时，半导体结构的隧穿层的氮含量没有发生明显变化。

另一方面，当步长从0.5nm增大至1.83nm时，半导体结构的氮含量电子能量损失图谱中电荷俘获层(例如电荷俘获层202)部分的形貌和峰值没有发生明显变化。但是当步长增大至2.04nm时，氮含量电子能量损失图谱由于分辨率过低而失真。

在本发明的一实施例中，可以读取氮含量电子能量损失图谱中氮含量的峰值作为电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。示例性的，设置步长为1.22nm，对半导体结构(例如半导体结构200)进行扫描，得到30个不同采集区域的氮含量电子能量损失图谱。读取氮含量电子能量损失图谱中氮含量的峰值作为电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。分别计算半导体结构的隧穿层(例如隧穿层203)和电荷俘获层(例如电荷俘获层202)中氮含量的平均值(average)和标准差(std,standarddeviation)，统计结果如表1所示。

表1

参考表1所示，半导体结构的隧穿层以及电荷俘获层中氮含量的测量精度(3σ)的绝对值可以达到3％。

在本发明的另一些实施例中，还可以读取氮含量电子能量损失图谱中氮含量的平均值作为电荷俘获层和隧穿层中的氮含量，但本实施例并未以此为限。

本发明的一种半导体结构中氮含量的测量方法可以在保证信背比(sbr,signal-to-backgroundratio)的前提下有效减小入射电子束对半导体结构的辐照损伤，从而提高了氮含量的测量精度。当设置步长为较大值(例如1.22nm)时，可以显著减小入射电子束对半导体结构的影响，尤其是对半导体结构中氮化硅的辐照损伤。

应当注意，以上使用了例如图1所示的流程图用来说明根据本申请的实施例的方法所执行的操作。可以理解的是，前面的操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。

本发明的以上实施例提出了一种半导体结构中氮含量的测量方法，该方法可以有效提高半导体结构中氮含量的测量精度。

本发明的另一方面提出一种半导体结构中氮含量的测量装置，该半导体结构中氮含量的测量装置可以有效提高半导体结构中氮含量的测量精度。

该半导体结构中氮含量的测量装置中的半导体结构包括电荷俘获层以及形成于电荷俘获层之上的隧穿层。该半导体结构中氮含量的测量装置包括透射电子显微镜和平台。

透射电子显微镜用于扫描半导体结构，以获得半导体结构的氮含量电子能量损失图谱。其中，入射电子束在第一采集区域中电荷俘获层的底部形成第一扩展区域，并在与第一采集区域相邻的第二采集区域中电荷俘获层的底部形成第二扩展区域，第一扩展区域与第二扩展区域至少没有重叠。

在本发明的一些示例中，上述透射电子显微镜还包括电子能量损失图谱仪(eels,electronenergylossspectroscopy)。电子能量损失图谱仪可以利用入射电子束在半导体结构中发生非弹性散射，电子损失的能量直接反映了发生散射的机制、半导体结构的化学组成以及厚度等信息，从而对薄半导体结构微区的元素组成、化学键及电子结构等进行分析。

平台用于根据氮含量电子能量损失图谱，以确定电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。在本发明的一些示例中，平台包括计算机设备和运行于该计算机设备上的计算机软件。

示例性的，计算机设备可以包括存储器和处理器。存储器用于存储可由处理器执行的指令。处理器用于执行指令以实现根据氮含量电子能量损失图谱确定电荷俘获层和隧穿层中的氮含量。

在一些实施例中，上述计算机设备还包括通信端口、输入/输出设备以及内部通信总线。通信端口可以负责计算机设备与外部设备之间的数据通信。输入/输出设备可以支持计算机设备与其他部件之间的输入/输出数据流。作为举例，输入/输出设备可以包括以下的部件的一种或多种：键盘、鼠标、摄像头、显示器、扫描仪、触摸屏、手写输入板和麦克风等输入设备或上述的任意组合。输入/输出设备既可以将各种数值型的数据，也可以将各种非数值型的数据，如图形、影像、声音等输入到计算机设备中。内部通信总线可以实现计算机设备中各部件之间的数据通信。

可以理解，本申请的半导体结构中氮含量的测量方法可以在上述半导体结构中氮含量的测量装置中实施，但本发明并未以此为限。

本申请的一种半导体结构中氮含量的测量方法并不限于由一个半导体结构中氮含量的测量装置实施，而是可以由多个联机的半导体结构中氮含量的测量装置协同实施。联机的半导体结构中氮含量的测量装置可以通过局域网或者广域网连接和通信。

本实施例的半导体结构中氮含量的测量装置的其他实施细节可参考图1至图10所描述的实施例，在此不再展开。

本发明的以上实施例提出了一种半导体结构中氮含量的测量装置，该半导体结构中氮含量的测量装置可以有效提高半导体结构中氮含量的测量精度。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。

同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

本申请各部分操作所需的计算机程序编码可以用任意一种或多种程序语言编写，包括面向对象编程语言如java、scala、smalltalk、eiffel、jade、emerald、c++、c#、vb.net、python等，常规程序化编程语言如c语言、visualbasic、fortran2003、perl、cobol2002、php、abap，动态编程语言如python、ruby和groovy，或其他编程语言等。该程序编码可以完全在用户计算机上运行、或作为独立的软件包在用户计算机上运行、或部分在用户计算机上运行部分在远程计算机运行、或完全在远程计算机或服务器上运行。在后种情况下，远程计算机可以通过任何网络形式与用户计算机连接，比如局域网(lan)或广域网(wan)，或连接至外部计算机(例如通过因特网)，或在云计算环境中，或作为服务使用如软件即服务(saas)。

此外，除非权利要求中明确说明，本申请所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本申请流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本申请实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安装所描述的系统。

同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个申请实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。

虽然本发明已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，在没有脱离本发明精神的情况下还可作出各种等效的变化或替换，因此，只要在本发明的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。