蚀刻液喷射速度获取系统及方法与流程

文档序号:20002871发布日期:2020-02-22 03:20阅读:345来源:国知局
蚀刻液喷射速度获取系统及方法与流程

本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种蚀刻液喷射速度获取系统及方法。



背景技术:

在显示面板制备过程中,需要使用蚀刻液对膜层(如铜层等金属膜层)进行刻蚀,以形成所需要的图案,例如源极、漏极等。不同规格的蚀刻液(例如不同浓度的蚀刻液、不同厂家的蚀刻液等)对膜层的刻蚀速率不同,这就导致相同的环境条件以及喷射速度下,不同规格的蚀刻液对膜层的刻蚀结果不同(体现为蚀刻参数不同)。

每种规格的显示面板都需要一个较佳的蚀刻参数,为了得到这个蚀刻参数,现有技术需要在显示面板制造线上,使用蚀刻液按照不同喷射速度进行刻蚀测试,直至得到这个蚀刻参数;该方式实现成本高。

因此,现有技术需要在显示面板制造线上进行测试所导致的成功过高的技术问题,需要解决。



技术实现要素:

本发明提供一种蚀刻液喷射速度获取系统及方法,以解决当前技术存在的需要在显示面板制造线上进行测试所导致的成功过高的技术问题。

为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:

本发明提供一种蚀刻液喷射速度获取系统,其包括:

烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品;

控制单元,用于控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件,且控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动;

检测单元,用于检测所述蚀刻样品的蚀刻参数;

处理单元,用于构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系;并根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度,以及根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,所述控制单元用于控制所述驱动构件工作,使得所述转盘匀速转动。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,所述蚀刻液喷射速度获取系统还包括:

获取单元,用于对样品基板进行切割,得到所述蚀刻样品;

固定单元,用于将所述蚀刻样品固定在所述转盘上的特定位置。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,所述固定单元还用于将多个蚀刻样品分别固定在所述转盘上多个不同的特定位置。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,所述处理单元用于获取多个环境条件下,速度与蚀刻参数的对应关系。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,所述处理单元用于获取同一环境条件下,多个速度以及对应的蚀刻参数,根据多个速度以及对应的蚀刻参数得到所述对应关系。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,其特征在于,所述检测单元用于使用扫描电子显微镜检测所述蚀刻样品的蚀刻参数。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统中,所述处理单元用于获取喷嘴与目标膜层的位置关系以及速度变化函数,根据所述位置关系、速度变化函数以及所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

同时,本发明实施例提供一种蚀刻液喷射速度获取方法,其包括:

提供烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品;

控制单元控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件;

控制单元控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动;

检测单元检测所述蚀刻样品的蚀刻参数;

处理单元构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系;

处理单元根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度,并根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

在本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取方法中,所述蚀刻参数包括锥角和关键尺寸中的至少一种。

有益效果:本发明提供一种蚀刻液喷射速度获取系统及方法,该方法通过提供烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品,然后控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件,并控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动,在此基础上检测所述蚀刻样品的蚀刻参数,构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系,根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度,并根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度;该方法通过在烧杯测试装置内进行刻蚀测试,并根据结果绘制对应关系,然后根据目标蚀刻参数及目标环境条件进行蚀刻液的喷射速度的预估,不需要在显示面板制造线上进行喷射速度的测试,解决了当前技术存在的需要在显示面板制造线上进行测试所导致的成功过高的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统的示意图;

图2为本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取方法的示意图;

图3为本发明实施例提供的烧杯测试装置的示意图;

图4为本发明实施例提供的蚀刻参数的示意图;

图5为本发明实施例提供的对应关系的示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。

针对现有技术需要在显示面板制造线上进行测试所导致的成功过高的技术问题,本发明实施例可以解决。

在一种实施例中,如图1及图3所示,本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取系统包括:

烧杯测试装置10,包括烧杯主体11、转盘12、设置在所述转盘12上的蚀刻样品13、驱动所述转盘12运动的驱动构件14;蚀刻液15位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品13;

控制单元20,用于控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件,且控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动;

检测单元30,用于检测所述蚀刻样品的蚀刻参数;

处理单元40,用于构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系;并根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度,以及根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

本实施例提供一种蚀刻液喷射速度获取系统,其提供烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件,蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品;在此基础上控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件,并控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动,在此基础上检测所述蚀刻样品的蚀刻参数,构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系,根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度,并根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度;该方法通过在烧杯测试装置内进行刻蚀测试,并根据结果绘制对应关系,然后根据目标蚀刻参数及目标环境条件进行蚀刻液的喷射速度的预估,不需要在显示面板制造线上进行喷射速度的测试,解决了当前技术存在的需要在显示面板制造线上进行测试所导致的成功过高的技术问题。

在一种实施例中,所述控制单元用于控制所述驱动构件工作,使得所述转盘匀速转动。

在一种实施例中,如图1所示,蚀刻液喷射速度获取系统还包括:

获取单元50,用于对样品基板进行切割,得到所述蚀刻样品;

固定单元60,用于将所述蚀刻样品固定在所述转盘上的特定位置。

本实施例对蚀刻样品的获取方式进行限定,对样品基板进行切割得到蚀刻样品,使得测量结果更接近显示面板制造线上的需求。

在一种实施例中,如图2所示,所述固定单元还用于将多个蚀刻样品分别固定在所述转盘上多个不同的特定位置。

在一种实施例中,所述处理单元用于获取多个环境条件下,速度与蚀刻参数的对应关系。

在一种实施例中,所述处理单元用于获取同一环境条件下,多个速度以及对应的蚀刻参数,根据多个速度以及对应的蚀刻参数得到所述对应关系。

在一种实施例中,所述检测单元用于使用扫描电子显微镜检测所述蚀刻样品的蚀刻参数。

在一种实施例中,所述处理单元用于获取喷嘴与目标膜层的位置关系以及速度变化函数,根据所述位置关系、速度变化函数以及所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

在一种实施例中,如图2所示,本发明实施例提供的蚀刻液喷射速度获取方法包括以下步骤:

s201:提供烧杯测试装置。

如图3所示,烧杯测试装置包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品。

s202:控制单元控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件。

在一种实施例中,预设环境条件包括预设温度等参数。

s203:控制单元控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动。

在一种实施例中,本步骤包括:

获取有效喷射速度范围v1至v2;

将所述有效喷射速度范围n等分,n为整数且大于2,得到一系列预设速度v1、v3、v4、……、vi、……、vn、vn+1、v2;

根据预设速度vi确定转盘转速wi和圆心距ri,vi=wi*ri;

将蚀刻样品固定在所述圆心距ri位置;

控制所述转盘以转速wi转动。

在本发明实施例中,由于蚀刻样品尺寸很小,其随转盘转动时,不会引起蚀刻液运动,因此蚀刻样品的线速度vi就是蚀刻样品与所述蚀刻液的相对速度。

s204:检测单元检测所述蚀刻样品的蚀刻参数。

在一种实施例中,本步骤包括:在蚀刻完成后,使用扫描电子显微镜检测所述蚀刻样品的蚀刻参数。

在一种实施例中,蚀刻参数包括如图4所示的锥角a锥角和关键尺寸cdloss中的至少一种。

s205:处理单元构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系。

在一种实施例中,本步骤包括:获取多个环境条件下,速度与蚀刻参数的对应关系。

在一种实施例中,本步骤包括:获取同一环境条件下,多个速度以及对应的蚀刻参数,根据多个速度以及对应的蚀刻参数得到所述对应关系。

在一种实施例中,如图5所示,以蚀刻参数为关键尺寸cdloss为例,在预设环境条件,例如温度hi下,分别获取速度v1至vn+1对应的关键尺寸cdloss,绘制得到对应关系曲线。

s206:处理单元根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度。

在一种实施例中,本步骤包括:调用目标环境条件对应的目标对应关系,例如温度hi对应的对应关系曲线i,在目标对应关系中,根据目标蚀刻参数,例如目标cdloss确定至少一个目标速度。

s207:处理单元根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

在一种实施例中,本步骤包括:获取喷嘴与目标膜层的位置关系以及速度变化函数,根据所述位置关系、速度变化函数以及所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度。

在一种实施例中,位置关系包括距离和喷射角度等,速度变化函数是指速度随着距离和喷射角度的变化而变化的函数,根据这些参数以及目标速度可以确定蚀刻液在喷嘴处的喷射速度。

根据上述实施例可知:

本发明提供一种蚀刻液喷射速度获取系统及方法,该方法通过提供烧杯测试装置,包括烧杯主体、转盘、设置在所述转盘上的蚀刻样品、驱动所述转盘运动的驱动构件;蚀刻液位于所述烧杯主体内,且接触所述蚀刻样品,然后控制所述烧杯测试装置处于预设环境条件,并控制所述驱动构件运动,以使得所述蚀刻样品与所述蚀刻液按照预设速度相对运动,在此基础上检测所述蚀刻样品的蚀刻参数,构建环境条件、速度与蚀刻参数的对应关系,根据所述对应关系,确定目标蚀刻参数及目标环境条件对应的目标速度,并根据所述目标速度计算所述蚀刻液的喷射速度;该方法通过在烧杯测试装置内进行刻蚀测试,并根据结果绘制对应关系,然后根据目标蚀刻参数及目标环境条件进行蚀刻液的喷射速度的预估,不需要在显示面板制造线上进行喷射速度的测试,解决了当前技术存在的需要在显示面板制造线上进行测试所导致的成功过高的技术问题。

综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

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