1.一种基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器，其特征在于，所述压阻式加速度传感器包括：敏感元件基材、电阻以及表面走线材料；所述敏感元件基材为碳化硅，所述电阻为通过预设阈值程度掺杂的碳化硅材料构成的元器件，所述表面走线材料为金。
2.根据权利要求1所述的基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器，其特征在于，所述压阻式加速度传感器还包括：玻璃上盖、底部硅基衬底以及陶瓷管壳。
3.根据权利要求1所述的基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器，其特征在于，所述压阻式加速度传感器还包括：硅基内部管壳衬底，所述硅基内部管壳衬底被配置用于提供预设精度的振动裕度与保护限位。
4.根据权利要求1所述的基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器，其特征在于，所述压阻式加速度传感器基于压阻效应，采用双悬臂梁设计完成。
5.一种基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
通过正面干法刻蚀机对sic晶片外延层进行电阻光刻刻蚀，并形成电阻图形；
使用sio2保护隔离件，并在预设位置刻蚀窗口完成介质孔光刻操作；
将元器件镂空部分的通过正面深槽光刻方式正面刻蚀预设深度，并通过预设深度控制电阻条所在的悬臂梁位置厚度；
在所述电阻条sio2窗口位置通过lift-off工艺形成欧姆接触；
通过金属布线光刻方法将元器件做成pad，并与所述欧姆接触形成金属互联；
对所述金属互联部分依次通过清洗操作、正面匀胶操作、正面键合操作完成背面减薄；
再对经过处理的所述金属互联部分依次通过溅射操作、光刻操作、显影操作、坚膜操作、打底膜操作、腐蚀金属操作、刻蚀操作完成背孔光刻操作。
6.根据权利要求5所述的基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法，其特征在于，还包括：制备碳化硅的掩膜版。
7.根据权利要求5所述的基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法，其特征在于，还包括：对所述金属互联部分依次通过清洗操作、正面匀胶操作、正面键合操作完成背面减薄的次数为两次。