膜层厚度检测方法与流程

本发明属于膜层厚度检测技术领域，更具体地说，是涉及一种膜层厚度检测方法。

背景技术：

在显示触控面板制造行业内，出于性能结构的需要，很多产品会在基板的表面上镀制一层薄膜，甚至镀制数层薄膜。对于不同类型的显示触控面板，对薄膜的厚度会有不同的要求。由于经常出现镀制数层表面形态相近的薄膜，具体表现为相邻膜层之间的表面凹凸形态或者粗糙度很接近，导致在采用sem(scanningelectronmicroscope，扫描电子显微镜)对显示触控面板进行断面检测时，无法看到薄膜之间的分界线，甚至薄膜与基板之间的分界线也无法看清，导致无法测量膜层的厚度，但是在实际生产和失效分析中，又经常需要测量膜层的厚度，以达到监控生产或者厘清失效的原因。目前，虽然可以通过tem(transmissionelectronmicroscope，透射电子显微镜)检测出各种不同膜层的厚度，但是，该方法一般需要由专门的检测机构实施，导致检测的耗时长、成本高。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种膜层厚度检测方法，包括但不限于解决采用扫描电子显微镜难以检测出表面形态相近的数层薄膜间膜层厚度的技术问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种膜层厚度检测方法，包括以下步骤：

制作样品；

对所述样品的端面进行蚀刻；

采用扫描电子显微镜对蚀刻后的端面进行检测。

进一步地，所述样品包括第一膜层和覆盖于所述第一膜层表面的第二膜层，所述第二膜层的远离所述第一膜层的表面上覆盖有保护层。

可选地，所述制作样品包括以下步骤：

从待检对象上切割出具有平整端面的所述样品；

将所述样品的端面清洗干净。

可选地，采用扫描电子显微镜对蚀刻后的端面进行检测前，需要进行以下步骤：

采用纯净水将所述蚀刻后的端面清洗干净；

采用压缩空气将完成清洗的所述蚀刻后的端面吹干。

可选地，所述第一膜层为玻璃基板，所述第二膜层为二氧化硅膜。

可选地，所述蚀刻为采用氢氟酸对所述样品的端面进行酸蚀。

可选地，所述蚀刻的时间为5～10秒。

可选地，所述保护层为光学透明胶层。

可选地，所述样品还包括黑色矩阵层，所述黑色矩阵层位于所述玻璃基板和所述二氧化硅膜之间，所述二氧化硅膜的厚度大于150埃。

本发明提供的膜层厚度检测方法的有益效果在于：先通过在样品的端面上蚀刻出高度不同的台阶，使得在表面形态相近的第一膜层和第二膜层之间形成清晰的分界线，然后通过扫描电子显微镜对蚀刻后的端面进行观测，即可测量出第一膜层和/或第二膜层的厚度，从而有效地解决了采用扫描电子显微镜难以检测出表面形态相近的数层薄膜间膜层厚度的技术问题，降低了膜层厚度的检测难度和检测成本，提高了膜层厚度的检测精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例提供的膜层厚度检测方法的工作流程图；

图2为本发明实施例提供的样品蚀刻后的右侧示意图。

其中，图中各附图标记：

1—样品、10—蚀刻后的端面、11—第一膜层、12—第二膜层、13—保护层。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。

请参阅图1和图2，本发明提供的膜层厚度检测方法包括以下步骤：

制作样品1；

对样品1的端面进行蚀刻；

采用扫描电子显微镜对蚀刻后的端面10进行检测。

可以理解的是，样品1至少包括第一膜层11和第二膜层12，第二膜层12覆盖在第一膜层11的表面上，并且第一膜层11与第二膜层12的表面形态相近；利用扫描电子显微镜检测膜层厚度是本领域常规的技术手段，其具体的操作步骤在此不再赘述。在进行第一膜层11和/或第二膜层12的厚度检测前，需要在整块待检样品(显示触控面板)上裁切出一块可以放置在扫描电子显微镜工作台上的样品1，接着将可以蚀刻第一膜层11和第二膜层12的蚀刻液涂布在样品1的待检端面处，等待若干秒后(由于不同类型的蚀刻液所需的时间不同，此处不作唯一限定)，由于不同材质(主要体现于膜层所含原子或者分子的差别)在相同时间内的被蚀刻的深度不同，因此在被蚀刻后的端面10上会形成高低错落的至少两层台阶，即在第一膜层11和第二膜层12之间形成清晰可见的分界线，然后采用扫描电子显微镜(sem)对蚀刻后的端面10进行观测，即可测量出第一膜层11和/或第二膜层12的厚度。

本发明提供的膜层厚度检测方法，先通过在样品1的端面上蚀刻出高度不同的台阶，使得在表面形态相近的第一膜层11和第二膜层12之间形成清晰的分界线，然后通过扫描电子显微镜对蚀刻后的端面10进行观测，即可测量出第一膜层11和/或第二膜层12的厚度，从而有效地解决了采用扫描电子显微镜难以检测出表面形态相近的数层薄膜间膜层厚度的技术问题，降低了膜层厚度的检测难度和检测成本，提高了膜层厚度的检测精度。

进一步地，请参阅图2，在本发明中，当样品1仅由第一膜层11和第二膜层12组成时，需要在第二膜层12的远离第一膜层11的表面上覆盖保护层13。从而防止第二膜层12的表面被蚀刻导致第二膜层12变薄增加检测的难度，确保了第二膜层12厚度的检测精度。当然，根据具体情况和需求，如果在第二膜层12的远离第一膜层11的表面上覆盖有氧化铟锡(ito)膜层或者黑色矩阵层等，同样能够起到保护第二膜层12的表面不被蚀刻的作用。

可选地，请参阅图2，在本发明中，上述制作样品步骤包括：

从待检对象上切割出具有平整端面的样品1，具体是指，将样品1从待检样品上裁切出来时，需要确保样品1的待检端面是一个平整的面，进而确保在蚀刻后的端面10上得到第一膜层11与第二膜层12之间清晰的分界线；

将样品1的端面清洗干净，即通过压缩空气将样品1的待检端面清理干净，这样可以有效地防止因废屑、灰尘等粘附在样品1的待检端面上影响蚀刻的效果。

可选地，请参阅图2，在本发明中，采用扫描电子显微镜对蚀刻后的端面10进行检测前，需要进行以下步骤：

采用纯净水将蚀刻后的端面10清洗干净；

采用压缩空气将完成清洗的蚀刻后的端面10吹干。从而有效地避免了残留在蚀刻后的端面10上的蚀刻液影响扫描电子显微镜的观测并且对扫描电子显微镜造成损坏，提高了膜层厚度的检测精度。

可选地，请参阅图2，在本发明中，当第一膜层11为玻璃基板，第二膜层12为二氧化硅膜时，上述蚀刻采用氢氟酸(hf)对样品1的待检端面进行酸蚀。此处蚀刻的时间优选为5～10秒，即将氢氟酸涂布在样品1的待检端面上，保持5～10秒。这样可以确保在较短的时间内，在蚀刻后的端面10上得到玻璃基板与二氧化硅膜之间清晰的分界线。

可选地，在本发明中，保护层13为光学透明胶层。其具有取材、涂布操作简易等特点，有利于提高膜层厚度检测的效率。

进一步地，请参阅图2，在本发明中，当样品1还包括黑色矩阵层(未图示)，并且该黑色矩阵层位于玻璃基板和二氧化硅膜之间时，二氧化硅膜的厚度需要在大于150埃的情况下才能确保采用本发明提供的膜层厚度检测方法检测出二氧化硅膜的厚度，如果二氧化硅膜的厚度小于或者等于150埃，由于二氧化硅膜难以在粗糙的黑色矩阵层表面连续平滑地成膜，即部分二氧化硅膜填充至黑色矩阵层的凹凸不平的表面的凹孔内，因此采用本发明提供的膜层厚度检测方法无法精确地检测出二氧化硅膜的厚度。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。