1.一种负荷传感器封装件，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体包括盖、柱、外围结构和底座，其中所述底座包括被配置成安装应力传感器的主表面，其中所述盖包括被配置成接收待测量的负荷的盖主表面，其中所述柱被配置成通过所述应力传感器将所述待测量的负荷的预先确定的部分传递到所述底座，其中所述外围结构被配置成将所述待测量的负荷的剩余部分传递到所述底座。
2.根据权利要求1所述的负荷传感器封装件，其特征在于，所述应力传感器包括：
第一半导体层，其包括被配置成接收所述待测量的负荷的所述预先确定的部分的第一主表面；
第二半导体层，其被设置在所述第一半导体层下方，所述第二半导体层包括第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器在第一方向上定向，并且所述第一电阻器包括第一类型的掺杂，所述第二电阻器在所述第一方向上定向，并且所述第二电阻器包括所述第一类型的掺杂，所述第一半导体层包括第二主表面，所述第二主表面被配置成被附接到所述第二半导体层；以及
第一裸片接合层，其被设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述第一裸片接合层包括开口，其中所述开口直接被设置在所述第一电阻器之上，并且所述开口与所述第一电阻器重叠，其中所述第二电阻器接触所述第一裸片接合层。
3.根据权利要求2所述的负荷传感器封装件，其特征在于，进一步包括第二裸片接合层，所述第二裸片接合层被设置在所述壳体的所述柱和所述第一半导体层之间。
4.根据权利要求3所述的负荷传感器封装件，其特征在于，所述壳体包括铁镍合金，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层包括硅，其中所述第一裸片接合层包括玻璃，并且其中所述第二裸片接合层包括银烧结物、金锡合金或金锗化物。
5.根据权利要求1所述的负荷传感器封装件，其特征在于，所述柱被附接到所述应力传感器，并且所述应力传感器被附接到所述底座。
6.根据权利要求1所述的负荷传感器封装件，其特征在于，进一步包括引线，所述引线延伸穿过所述外围结构。
7.根据权利要求6所述的负荷传感器封装件，其特征在于，进一步包括：在所述应力传感器上的接合焊盘，以及被耦合在所述应力传感器的所述接合焊盘与所述引线之间的接合接线。
8.根据权利要求1所述的负荷传感器封装件，其特征在于，所述负荷传感器封装件是气密密封的。
9.根据权利要求1所述的负荷传感器封装件，其特征在于，所述底座包括凸架，所述凸架包括引线，所述凸架远离所述外围结构的侧表面延伸。
10.根据权利要求1所述的负荷传感器封装件，其特征在于，进一步包括被设置在所述底座之上的印刷电路板，其中所述印刷电路板包括用于所述应力传感器的切口，其中所述印刷电路板被耦合到所述应力传感器的接合焊盘。
11.根据权利要求10所述的负荷传感器封装件，其特征在于，进一步包括：
引线，其延伸穿过所述壳体；以及
接合接线，其被耦合在所述印刷电路板和所述引线之间，其中所述印刷电路板在所述壳体内。
12.根据权利要求10所述的负荷传感器封装件，其特征在于，所述印刷电路板的一部分延伸穿过所述外围结构的侧表面。
13.一种传感器系统，其特征在于，包括：
半导体衬底；
第一桥接电路，其包括被设置在所述半导体衬底中的第一半导体应力传感器，所述第一半导体应力传感器处于平面应力状态；以及
第二桥接电路，其包括被设置在所述半导体衬底中的第二半导体应力传感器，所述第二半导体应力传感器对平面内应力的改变和平面外应力的改变进行响应。
14.根据权利要求13所述的传感器系统，其特征在于，所述第一桥接电路包括第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器和第四电阻器，其中所述第二桥接电路包括第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器和第八电阻器。
15.根据权利要求14所述的传感器系统，其特征在于，所述第一电阻器和所述第五电阻器包括在第一方向上定向的p型电阻器，其中所述第二电阻器和所述第六电阻器包括在第二方向上定向的n型电阻器，其中所述第三电阻器和所述第七电阻器包括在所述第二方向上定向的p型电阻器，其中所述第四电阻器和所述第八电阻器包括在所述第一方向上定向的n型电阻器。
16.根据权利要求15所述的传感器系统，其特征在于，所述第二电阻器和所述第四电阻器对侧向平面内应力和横向平面内应力的改变进行响应，而不对垂直应力进行响应，其中所述第六电阻器和所述第八电阻器对所述侧向平面内应力、所述横向平面内应力和所述垂直应力进行响应。
17.根据权利要求16所述的传感器系统，其特征在于，所述第一桥接电路进一步包括：
第一支路，其包括将所述第一电阻器和所述第二电阻器串联连接的第一节点；以及
第二支路，其包括将所述第三电阻器和所述第四电阻器串联连接的第二节点，其中所述第一支路与所述第二支路并联连接，所述第一电阻器被连接到所述第四电阻器，并且所述第二电阻器被连接到所述第三电阻器。
18.根据权利要求17所述的传感器系统，其特征在于，进一步包括在所述第一节点和所述第二节点之间的第一输出节点。
19.根据权利要求18所述的传感器系统，其特征在于，所述第二桥接电路进一步包括：
第三支路，其包括将所述第五电阻器和所述第六电阻器连接的第三节点；以及
第四支路，其包括将所述第七电阻器和所述第八电阻器连接的第四节点，其中所述第三支路与所述第四支路并联连接，所述第五电阻器被连接到所述第八电阻器，并且所述第六电阻器被连接到所述第七电阻器。
20.根据权利要求19所述的传感器系统，其特征在于，进一步包括在所述第三节点和所述第四节点之间的第二输出节点。
21.根据权利要求13所述的传感器系统，其特征在于，所述第一桥接电路是第一惠斯通电桥电路，并且其中所述第二桥接电路是第二惠斯通电桥电路。
22.一种负荷传感器，其特征在于，包括：
第一半导体层，其包括被配置成接收待测量的负荷的第一主表面；
第二半导体层，其被设置在所述第一半导体层下方，所述第二半导体层包括第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器在第一方向上定向，并且所述第一电阻器包括第一类型的掺杂，所述第二电阻器在所述第一方向上定向，并且所述第二电阻器包括所述第一类型的掺杂，其中所述第一半导体层包括第二主表面，所述第二主表面被配置成被附接到所述第二半导体层；以及
裸片接合层，其被设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述裸片接合层包括第一开口，其中所述第一开口直接被设置在所述第一电阻器之上，并且所述第一开口与所述第一电阻器重叠，其中所述第二电阻器接触所述裸片接合层。
23.根据权利要求22所述的负荷传感器，其特征在于，所述第二半导体层进一步包括：
第三电阻器，其在第二方向上定向，并且所述第三电阻器包括所述第一类型的掺杂，以及
第四电阻器，其在所述第二方向上定向，所述第四电阻器包括所述第一类型的掺杂。
24.根据权利要求23所述的负荷传感器，其特征在于，所述第二半导体层进一步包括：
第五电阻器，其在所述第一方向上定向，所述第五电阻器包括第二类型的掺杂，所述第二类型的掺杂与所述第一类型的掺杂相反，
第六电阻器，其在所述第一方向上定向，所述第六电阻器包括所述第二类型的掺杂，
第七电阻器，其在所述第二方向上定向，所述第七电阻器包括所述第二类型的掺杂，以及
第八电阻器，其在所述第二方向上定向，所述第八电阻器包括所述第二类型的掺杂。
25.根据权利要求24所述的负荷传感器，其特征在于，所述裸片接合层进一步包括第二开口，其中所述第二开口直接被设置在所述第三电阻器之上，并且所述第二开口与所述第三电阻器重叠，其中所述第四电阻器、所述第五电阻器、所述第六电阻器、所述第七电阻器和所述第八电阻器接触所述裸片接合层。
26.根据权利要求22所述的负荷传感器，其特征在于，所述第二半导体层与所述第一半导体层不同地成形。
27.根据权利要求22所述的负荷传感器，其特征在于，所述负荷传感器的所有接合焊盘沿着所述第二半导体层的单侧设置。
28.根据权利要求27所述的负荷传感器，其特征在于，所述负荷传感器的所述接合焊盘被设置在所述第二半导体层的所有拐角上。
29.根据权利要求22所述的负荷传感器，其特征在于，所述第二半导体层被成形为具有八边形形状。
30.根据权利要求22所述的负荷传感器，其特征在于，所述裸片接合层包括在5μm和200μm之间的厚度，并且所述裸片接合层包括玻璃。