技术总结
本实用新型提供一种差压传感器，包括由上盖板、工字型挡墙和基板形成的封装结构，上盖板与工字型挡墙形成第一腔室，工字型挡墙与基板形成第二腔室，在第一腔室设置有MEMS芯片，在第二腔室设置有ASIC芯片，其中，在上盖板上设置有第一透气孔，在工字型挡墙的横梁上设置有第二透气孔，在基板上设置有第三透气孔；MEMS芯片设置在工字型挡墙的横梁上，并且MEMS芯片与第二透气孔相连通。利用本实用新型，能够解决现有的差压传感器由于结构设置，封装应力对MEMS芯片和ASIC芯片有影响而导致差压传感器性能差的问题。
技术研发人员：闫文明
受保护的技术使用者：歌尔科技有限公司
技术研发日：2019.05.21
技术公布日：2020.03.20