1.一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体(1)、硅差压芯片安装仓(2)和硅差压芯片保护压盖(9)，其特征在于：所述差速传感器本体(1)的顶部安装有硅差压芯片安装仓(2)，所述硅差压芯片安装仓(2)内部的两端皆设置有滑槽(14)，且滑槽(14)通过滑块安装有缓冲板(3)，所述缓冲板(3)的顶部安装有pcb板(11)，且pcb板(11)顶部的中间位置处安装有硅差压芯片(10)，所述硅差压芯片安装仓(2)的内部安装有硅差压芯片保护压盖(9)，且硅差压芯片保护压盖(9)顶部的中间位置处安装有高压入管(6)，所述高压入管(6)穿过硅差压芯片安装仓(2)并延伸至硅差压芯片安装仓(2)的外部，且高压入管(6)的内部设置有高压通口(7)。
2.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，其特征在于：所述硅差压芯片保护压盖(9)底部的中间位置处安装有第二弧形保护胶圈(5)，且第二弧形保护胶圈(5)底部的中间位置处安装有第一弧形保护胶圈(4)，所述第一弧形保护胶圈(4)底部的中间位置处安装有橡胶连接柱(13)，所述橡胶连接柱(13)远离第一弧形保护胶圈(4)的一端与硅差压芯片(10)连接。
3.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，其特征在于：所述缓冲板(3)的底部均匀安装有缓冲弹簧(12)，且缓冲弹簧(12)远离缓冲板(3)的一端皆与硅差压芯片安装仓(2)连接。
4.根据权利要求3所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，其特征在于：所述缓冲弹簧(12)的外侧皆设置有防锈层。
5.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，其特征在于：所述硅差压芯片保护压盖(9)顶部正对高压通口(7)位置处设置有高压入口(8)。
6.根据权利要求2所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，其特征在于：所述第二弧形保护胶圈(5)与硅差压芯片保护压盖(9)的宽度相同。