1.一种排查弹坑的测试方法，其特征在于，包括：
对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片；
将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑。
2.如权利要求1所述的一种排查弹坑的测试方法，其特征在于，其特征在于，所述对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片，包括：
从起始电压开始依次增加电压值对所述待测芯片进行电性测试，每次测试相对于上次测试增加的电压值均相同；
获取每次增加电压值进行测试通过所述待测芯片的瞬时电流值；或，
从起始电流开始依次增加电流值对所述待测芯片进行电性测试，每次测试相对于上次测试增加的电流值均相同；
获取每次增加电流值进行测试通过所述待测芯片的瞬时电压值。
3.如权利要求2所述的一种排查弹坑的测试方法，其特征在于，其特征在于，每次测试增加的电压值为5v，每次测试增加的电流值为10na。
4.如权利要求2所述的一种排查弹坑的测试方法，其特征在于，其特征在于，所述起始电压为正常芯片的额定电压，所述起始电流为正常芯片的额定电流。
5.如权利要求1所述的一种排查弹坑的测试方法，其特征在于，其特征在于，所述将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑，包括：
将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压值进行对比分析，如果通过所述待测芯片的瞬时电压值小于预设电压阈值，则判断所述待测芯片存在弹坑；或
将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电流值与预设电流值进行对比分析，如果通过所述待测芯片的瞬时电流值大于预设电流阈值，则判断所述待测芯片存在弹坑。
6.如权利要求1所述的一种排查弹坑的测试方法，其特征在于，其特征在于，还包括：
通过与所述待测芯片任意两个引脚连接进行电性测试，或
通过与所述待测芯片任意一个引脚和芯片基板连接进行电性测试。
7.一种排查弹坑测试装置，其特征在于，包括：
测试单元，用于对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片；
判断单元，用于将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑。
8.一种智能打线设备，其特征在于，包括：打线装置和排查弹坑检测装置，所述排查弹坑检测装置与所述打线装置连接，所述打线装置根据所述排查弹坑检测装置的检测结果对打线参数自行校验及修改。
9.如权利要求8所述的一种智能打线设备，其特征在于，所述排查弹坑测试装置，包括：
测试单元，用于对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片；
判断单元，用于将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑。