半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质与流程

本申请涉及电子元器件技术领域，特别是涉及一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质。

背景技术：

绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，以下简称igbt)是一种是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的电压驱动式功率半导体器件。目前国内外有众多igbt生产厂家，每个厂家均包含不同型号的igbt产品，每个igbt产品的规格书中均会明确标示有电特性参数和热性能参数供使用者参考。目前对igbt产品的可靠性评价主要是以电参数和热性能作为衡量指标，但是，仅以电参数和热性能参数作为衡量igbt产品可靠性的检验指标所得到的关于igbt的可靠性仅可以代表被测igbt个体，无法代表不同igbt的总体水平，从而导致目前对于igbt产品可靠性的评价方法准确度低。

技术实现要素：

基于此，有必要针对目前对于igbt产品可靠性的评价方法准确度低的问题，提供一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质。

一种半导体器件可靠性检测方法，所述方法包括：

对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组；

分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值；

根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值；

根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

在其中一个实施例中，所述对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组，包括：

将所述多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组；

对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组；

对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组；

对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组；

对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组；

对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。

在其中一个实施例中，所述对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组，包括：

将所述第一测试组中的多个所述半导体器件分为第一子测试组、第二子测试组、第三子测试组和第四子测试组；

分别对所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组进行漏电流测试、芯片粘接空洞测试、击穿电压测试和静电耐量测试，得到所述第一子测试组的漏电流均值、所述第二子测试组的多个粘接空洞率、所述第三子测试组的多个击穿电压和所述第四子测试组的多个抗静电能力；

根据所述漏电流均值、所述多个粘接空洞率、所述多个击穿电压和所述多个抗静电能力确定所述第一结果数组。

在其中一个实施例中，所述对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组，包括：

对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，得到热阻系数均值、引线截面电流密度均值、晶圆功率密度均值和封装功率密度均值；

根据所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度均值、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值确定所述第二结果数组。

在其中一个实施例中，所述对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组，包括：

将所述第五测试组中的多个所述半导体器件分为第五子测试组、第六子测试组和第七子测试组；

分别对所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组进行高温反偏测试、无偏高压蒸汽压测试和功率温度循环测试，得到所述第五子测试组的平均漂移率、所述第六子测试组的第一失效率和所述第七子测试组的第二失效率；

根据所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率确定所述第五结果数组。

在其中一个实施例中，所述对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组，包括：

对所述第三测试组中的每个所述半导体器件进行物理特性测试，确定每个所述半导体器件的形貌特征，得到多个形貌表征参数；

确定所述第三测试组中的每个所述半导体器件各引脚之间的单位间距需承受电压，得到多个单位间距需承受电压；

根据所述多个形貌表征参数和所述多个单位间距需承受电压确定所述第三结果数组。

在其中一个实施例中，所述对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组，包括：

对所述第四测试组中的每个所述半导体器件进行可焊性测试，确定每个所述半导体器件的引脚焊面上锡率，得到所述第四结果数组。

一种半导体器件可靠性检测装置，包括：

测试模块，用于对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组；

分值评估模块，用于分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值；

标准分值确定模块，用于根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值；

可靠性确定模块，用于根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

一种计算机设备，包括：包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的方法的步骤。

本申请实施例提供的所述半导体器件可靠性检测方法，包括对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组。本申请实施例所述半导体器件可靠性检测方法分别对所述半导体器件从参数一致性水平、热性能水平、结构分析水平、工艺适应性水平和耐久性水平五个维度进行测试，检测维度更广，所涉及的评估参数更多，也更加全面，从而提高对所述半导体器件可靠性检测的准确度。本申请实施例所述半导体器件可靠性检测方法解决了现有技术中存在的目前对于igbt产品可靠性的评价方法准确度低的技术问题，达到了提高对于igbt产品可靠性的评价方法准确度的技术效果。

附图说明

图1为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法应用场景示意图；

图2为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法的流程示意图；

图3为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法的流程示意图；

图4为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法的流程示意图；

图5为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法的流程示意图；

图6为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法的流程示意图；

图7为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测方法的流程示意图；

图8为本申请一个实施例半导体器件可靠性检测装置结构示意图。

附图标记说明：

10、半导体器件可靠性检测装置；100、测试模块；200、分值评估模块；300、标准分值确定模块；400、可靠性确定模块。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请的一种半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例提供的半导体器件可靠性检测方法可以应用于任何半导体器件的可靠性检测，例如可以应用于igbt、场效应管、三极管等。以下实施例以所述半导体器件可靠性检测方法应用于igbt为例进行具体阐述。

请参见图1，本申请实施例提供的所述半导体器件可靠性检测方法，该计算机设备的内部结构图可以如图1所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种半导体器件可靠性检测方法。

请参见图2，本申请一个实施例提供了一种半导体器件可靠性检测方法，所述方法包括：

s100、对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组。

所述多个半导体器件可以为任何类型的半导体器件，例如所述多个半导体全部为igbt、全部为场效应管或者全部为其他任意类型的所述半导体器件。

所述参数一致性用于表征所述半导体器件在生产过程的控制水平，所述参数一致性是指所述多个半导体器件不同个体的参数的分布情况，例如：电参数、热参数等。所述第一结果数组是指由所述半导体器件不同个体的参数构成的数组。所述热性能用于表征所述半导体器件的过电流能力和散热能力，所述第二结果数组是指由所述半导体器件的过电流参数、散热系数等构成的数组。所述结构分析的结果用于表征所述半导体器件的内部结构和外部结构的物理特性，检测所述半导体器件是否存在结构缺陷，例如：形貌特征完整度、封装缺陷程度、芯片损伤程度等。所述第三结果数组是指由所述形貌特征完整度、所述封装缺陷度、所述芯片损伤度等构成的数组。

所述工艺适应性用于表征所述半导体器件的制造工艺水平，例如生产组装过程对于所述半导体器件的影响，可以暴露出所述半导体器件的工艺缺陷等，所述第四结果数组是指由所述半导体器件的工艺缺陷度等参数构成的数组。所述耐久性用于表征所述半导体器件在预设环境应力下的耐退化能力，所述退化包括内部结构的退化、功能参数的退化等。所述第五结果数组是指由所述内部结构的退化参数、所述功能参数的退化参数等构成的数组。

在本实施例中所述测试可以采用具体试验检测，也可以采用模拟软件等进行仿真模拟测试，本实施例对于所述测试的具体手段不作任何限定，可以根据实际需要具体选择。

s200、分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值。

所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组分别代表所述多个半导体器件的参数一致性水平、热性能水平、结构水平、工艺适应性水平和耐久性水平。

所述第一评估分值是指经评估打分量化后所述多个半导体器件的所述参数一致性水平；所述第二评估分值是指经评估打分量化后所述多个半导体器件的所述热性能水平；所述第三评估分值是指经评估打分量化后所述多个半导体器件的所述结构水平；所述第四评估分值是指经评估打分量化后所述多个半导体器件的所述工艺适应性水平；所述第五评估分值是指经评估打分量化后所述多个半导体器件的所述耐久性水平。

所述评估打分可以通过行业标准或是预设标准分值别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行性能评价。例如可以将每个结果数组分为三个等级、分别对应0、5、10分，或者可以细化分为十个等级，分别对应0～10分。本实施例对于所述评估打分的标准不作任何限定，可以根据实际需要具体设定或者选择。

s300、根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值。

所述预设加权模型是指对于所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权，也就说对于所述半导体器件在所述参数一致性、所述热性能、所述结构、所述工艺适应性和所述耐久性按照在实际使用中所占比重的不同进行加权。

所述预设加权模型例如可以预设不同的加权因子，然后分别对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权，然后对加权后的各项参数进行求和，以得到所述多个半导体器件的标准分值。本实施例对于所述加权模型不作任何限定，可以根据实际需要具体建立或设定。

所述标准分值用于表征所述多个半导体器件的整体可靠性水平，包含了上述的所述参数一致性水平、所述热性能水平、所述结构分析水平、所述工艺适应性水平和所述耐久性水平等。

s400、根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

所述可靠性用于表征所述半导体器件在实际使用的时候可以稳定的、可靠的工作的水平。在本实施例中，所述多个半导体器件的可靠性通过所述参数一致性水平、热性能水平、结构分析水平、工艺适应性水平和耐久性水平五个维度进行检测和评估，所涉及的评估参数更多，维度更广，从而使得通过本实施例所述确定的所述可靠性准确度更高。

本实施例提供的所述半导体器件可靠性检测方法，包括对同类型的多个半导体器件分别进行所述参数一致性测试、所述热性能测试、所述结构分析测试、所述工艺适应性测试和所述耐久性测试，分别得到所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组。本申请实施例所述半导体器件可靠性检测方法分别对所述半导体器件从所述参数一致性水平、所述热性能水平、所述结构分析水平、所述工艺适应性水平和所述耐久性水平五个维度进行测试，检测维度更广，所涉及的评估参数更多，也更加全面，从而提高对所述半导体器件可靠性检测的准确度。本申请实施例所述半导体器件可靠性检测方法解决了现有技术中存在的目前对于igbt产品可靠性的评价方法准确度低的技术问题，达到了提高对于igbt产品可靠性的评价方法准确度的技术效果。

请参见图3，在一个实施例中，所述步骤s100包括：

s110、将所述多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组。

所述多个半导体器件的数量不少于5个，将所述多个半导体器件分为五个测试组，分别为所述第一测试组、所述第二测试组、所述第三测试组、所述第四测试组和所述第五测试组。所述第一测试组、所述第二测试组、所述第三测试组、所述第四测试组和所述第五测试组分别用于对所述多个半导体器件进行所述参数一致性测试、所述热性能测试、所述结构分析测试、所述工艺适应性测试和所述耐久性测试。所述第一测试组、所述第二测试组、所述第三测试组、所述第四测试组和所述第五测试组中的所述半导体器件数量可以相同，也可以不同，本实施例对于每个测试组中的所述半导体器件的数量不作任何限定，可以根据实际情况具体设定。

s120、对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组。

对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到多个所述一致性表征参数，然后根据多个所述一致性参数确定所述第一结果数组。所述一致性表征参数是指在所述参数一致性测试中直接获取的检测参数或者经数理计算、统计等方式获得的结果参数，例如所述一致性表征参数可以包括：漏电流、粘接空洞率、击穿电压、静电耐量等。本实施例对于所述一致性表征参数不作具体限定，可以根据实际情况具体选择或者设定。

s130、对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组。

对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到多个所述热性能表征参数，根据多个所述热性能表征参数确定所述第二结果数组。所述热性能表征参数是指在所述热性能测试中直接获取的检测参数或者经数理计算、统计等方式获得的结果参数，例如所述热性能表征参数可以包括：热阻系数、引线截面电流密度、晶圆功率密度、封装功率密度等。本实施例对于所述热性能表征参数不作任何限定，可根据实际情况具体选择或者设定。

s140、对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组。

对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到多个所述结构表征参数，根据多个所述结构表征参数确定第三结果数组。所述结构表征参数是指在所述结构分析测试中直接获取的检测参数或者经数理计算、统计等方式获得的结果参数，例如所述结构表征参数可以包括：物理特性参数、形貌缺陷参数等。本实施例对于所述结构表征参数不作任何限定，可根据实际情况具体选择或者设定。

s150、对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组。

对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到多个所述工艺适应性表征参数，根据多个所述工艺适应性表征参数确定所述第四结果数组。所述工艺适应性表征参数是指在所述工艺适应性测试中直接获取的检测参数或者经数理计算、统计等方式获得的结果参数，例如工艺适应性参数可以包括：引脚焊面上锡率、层间形貌参数等。本实施例对于所述工艺适应性参数不作任何限定，可根据实际情况具体选择或者设定。

s160、对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。

对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到多个所述耐久性表征参数，根据多个所述耐久性表征参数确定所述第五结果数组。所述耐久性表征参数是指在所述耐久性测试中直接获取的检测参数或者经数理计算、统计等方式获得的结果参数，例如所述耐久性表征参数可以包括：钝化层长期稳定性参数，栅极氧化层的长期稳定性参数，键合、粘接结构的热疲劳参数等。本实施例对于所述耐久性表征参数不作任何限定，可根据实际情况具体选择或者设定。

请参见图4，在一个实施例中，所述步骤s120包括：

s121、将所述第一测试组中的多个所述半导体器件分为第一子测试组、第二子测试组、第三子测试组和第四子测试组。

所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组中的所述半导体器件的数量可以相同，也可以不同，本实施例不作任何限定，可根据实际情况具体设定。

s122、分别对所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组进行漏电流测试、芯片粘接空洞测试、击穿电压测试和静电耐量测试，得到所述第一子测试组的漏电流均值、所述第二子测试组的多个粘接空洞率、所述第三子测试组的多个击穿电压和所述第四子测试组的多个抗静电能力。

所述漏电流是指每个所述半导体元器件在pn结截止时流过的微弱电流。通过检测，确定所述第一子测试组中每个所述半导体元器件的过电流强度，然后对所述第一子测试组中的所有所述半导体元器件的所述过电流求取均值，以获得所述第一子测试组的漏电流均值。所述芯片粘接空洞是指所述半导体器件中各芯片之间在粘结时存在明显的粘结空洞，所述粘结空洞率是指每个所述半导体器件上所述粘结空洞的面积占各芯片总接触面积的比率。所述击穿电压是指所述半导体器件所能承受的最大电压。所述抗静电能力是指在防静电工作区内的指定空间所允许的对地静电电位值。

在本实施例中，所述均值可以为算术平均值，几何平均值、均方根平均值、调和平均值、加权平均值中的任一种，本实施不作具体限定。

s123、根据所述漏电流均值、所述多个粘接空洞率、所述多个击穿电压和所述多个抗静电能力确定所述第一结果数组。

所述第一结果数组用于表征所述第一测试组的所述参数一致性水平，所述第一结果数组包含所述半导体器件的漏电流水平、粘结空洞水平、击穿电压水平和抗静电能力水平，涉及了关于所述半导体器件参数一致性水平的几乎所有关键参数，检测维度更广，从而增强了本实施例所述参数一致性测试结果的准确度。

请参见图5，在一个实施例中，所述步骤s130包括：

s131、对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，得到热阻系数均值、引线截面电流密度均值、晶圆功率密度均值和封装功率密度均值。

所述热阻系数是指所述半导体器件对热流传导的阻碍能力，所述热阻系数越大，则所述半导体器件对热传导的阻碍能力越强，所述热阻系数用于表征所述半导体器件的导热能力。所述热阻系数均值是指所述第二测试组中所有热阻系数的均值。

所述引线截面电流密度是指所述半导体器件的引线上所流过的电流与所述引线之间的比值，用于表征所述半导体器件的引线的电传导能力。所述引线截面电流密度均值是指所述第二测试组中所有的所述引线截面电流密度的均值。

所述晶圆功率密度是指每个晶圆的功率与该晶圆截面面积之间的比值，所述晶圆功率密度均值是指所述第二测试组中所有晶圆功率密度的均值。所述封装功率密度是指每个所述半导体器件中每个芯片的功率与该芯片面积的比值，所述封装功率密度均值是指所述第二测试组中所有所述封装功率密度的均值。

在本实施例中，所述均值可以为算术平均值，几何平均值、均方根平均值、调和平均值、加权平均值中的任一种，本实施不作具体限定。

s132、根据所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度均值、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值确定所述第二结果数组。

所述第二结果数组用于表征所述第二测试组中的多个所述半导体器件的热性能水平，所述第二结果数组中包含了所述半导体器件的所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值。所述第二结果数组涉及了关于所述半导体器件的热性能水平的几乎所有关键参数，检测维度更广，从而增强了本实施例所述热性能测试的准确度。

请参见图6，在一个实施例中，所述步骤s160包括：

s161、将所述第五测试组中的多个所述半导体器件分为第五子测试组、第六子测试组和第七子测试组。

所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组中的所述半导体器件的数量可以相同，也可以不同，本实施例不作任何限定，可根据实际情况具体设定。

s162、分别对所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组进行高温反偏测试、无偏高压蒸汽压测试和功率温度循环测试，得到所述第五子测试组的平均漂移率、所述第六子测试组的第一失效率和所述第七子测试组的第二失效率。

所述漂移率是指所述第五子测试组中的所有所述半导体元器件在经所述高温反偏测试前后关键参数的平均变化率。本实施例对于所述关键参数不作任何限定，可以根据实际情况具体选择，例如可以为：电参数、热参数等。所述平均漂移率是指所述第五子测试组中所有的所述半导体器件的所述漂移率的均值。所述第一失效率是指所述第六子测试组中的所述半导体元器件在经所述无偏高压蒸汽压测试后失效的所述半导体元器件数量与所述第六子测试组中所有所述半导体元器件总数量的比值。所述第二失效率是指所述第七子测试组中的所述半导体元器件在经所述功率温度循环测试后失效的所述半导体元器件数量与所述第七子测试组中所有所述半导体元器件总数量的比值。

在本实施例中，所述均值可以为算术平均值，几何平均值、均方根平均值、调和平均值、加权平均值中的任一种，本实施不作具体限定。

s163、根据所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率确定所述第五结果数组。

所述第五结果数组用于表征所述多个半导体器件的耐久性水平，所述第五结果数组包含了所述半导体器件的所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率。所述第五结果数组涉及了关于所述半导体器件的耐久性水平的几乎所有关键参数，检测维度更广，从而增强了本实施例所述耐久性测试的准确度。

请参见图7，在一个实施例中，所述步骤s140包括：

s141、对所述第三测试组中的每个所述半导体器件进行物理特性测试，确定每个所述半导体器件的形貌特征，得到多个形貌表征参数。

所述形貌特征是指所述半导体器件的外观特征，例如是否存在缺陷，是否存在明显不合理结构、是否有缺陷或损伤等。所述形貌表征参数是指根据所述半导体器件外观特征确定的用于检测或者评估的特征参数，例如所述半导体器件表面存在0.1mm深度及以上的凹坑等。本实施例对于所述形貌表征参数不作具体限定，可根据实际情况具体选择或者设定。

s142、确定所述第三测试组中的每个所述半导体器件各引脚之间的单位间距需承受电压，得到多个单位间距需承受电压，得到多个单位间距需承受电压。

所述单位间距需承受电压是指每个所述半导体器件两引脚之间需要承受的电压强度与所述两引脚之间距离的比值，所述单位间距需承受电压用于表征所述半导体器件之间的电性能水平。

s143、根据所述多个形貌表征参数和所述多个单位间距需承受电压确定所述第三结果数组。

所述第三结果数组用于表征所述第三测试组中的多个所述半导体元器件的结构特性，所述第三结果数组包含了所述形貌表征参数和所述单位间距需承受电压。所述第三结果数组涉及了关于所述半导体器件结构特性的几乎所有关键参数，检测维度更广，从而增强了本实施例所述结构特性测试的准确度。

在一个实施例中，所述步骤s150包括：对所述第四测试组中的每个所述半导体器件进行可焊性测试，确定每个所述半导体器件的引脚焊面上锡率，得到所述第四结果数组。

所述引脚焊面上锡是指所述半导体元器件的引脚完全浸润焊锡后，引脚焊面挂锡的情况。所述引脚焊面上锡率是指所述第四测试组中所述半导体元器件引脚焊面的实际上锡面积的总和与所述第四测试组中所述半导体元器件引脚焊接应上锡面积的总和之间的比值，用于表征所述半导体元器件焊接工艺的可靠性。

在一个实施例中，所述步骤300中所述标准分值可以根据如下公式确定：

其中：qs表示所述标准分值，pi表示第i评估分值，wi表示所述第i评估分值所对应的加权因子。

在一个实施例中，所述步骤400可以根据如下标准确定，例如：

当100≥qs＞85分时，可以评定所述半导体器件的可靠性为优；当85≥qs＞65分时，可以评定所述半导体器件的可靠性为良；当65≥qs＞35分时，可以评定所述半导体器件的可靠性为中；当35≥qs≥0分时，可以评定所述半导体器件的可靠性为差，其中qs表示所述标准分值。

在一个实施例中，所述步骤s300包括：

所述预设加权模型可以为预设加权因子，每个评估分值对应的加权因子可以根据其对应的性能在实际使用中所占比重进行设定。例如：漏电流均值：粘接空洞率：击穿电压：抗静电能力：热性能表征参数：平均漂移率：第一失效率：第二失效率：结构表征参数：工艺适应性表征参数＝9：8：7：5：9：8：4：5：4：2。

在一个实施例中，所述步骤s200包括：

所述评估打分可以通过预设等级模型实现，例如可以将每个结果数组分为多个层级，每个层级对应不同的分值。例如可以将每个结果数组分为四个层级，第一层级对应10～9分，第二层级对应8～7分，第三层级对应6～4分，第四层级对应3～0分。根据每个所述结果数组中的参数对每个所述结果数组进行打分评估，从而确定每个数组的评估分值。

应该理解的是，虽然流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

请参见图8，本申请一个实施例提供了一种半导体器件可靠性检测装置10，包括：测试模块100、分值评估模块200、标准分值确定模块300和可靠性确定模块400。

所述测试模块100用于对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组。

所述分值评估模块200用于分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值。

所述标准分值确定模块300用于根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值。

所述可靠性确定模块400用于根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

在一个实施例中，所述测试模块100具体用于将所述多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组；对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组；对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组；对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组；对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组；对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。

在一个实施例中，所述测试模块100还用于将所述第一测试组中的多个所述半导体器件分为第一子测试组、第二子测试组、第三子测试组和第四子测试组；分别对所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组进行漏电流测试、芯片粘接空洞测试、击穿电压测试和静电耐量测试，得到所述第一子测试组的漏电流均值、所述第二子测试组的多个粘接空洞率、所述第三子测试组的多个击穿电压和所述第四子测试组的多个抗静电能力；根据所述漏电流均值、所述多个粘接空洞率、所述多个击穿电压和所述多个抗静电能力确定所述第一结果数组。

在一个实施例中，所述测试模块100还用于对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，得到热阻系数均值、引线截面电流密度均值、晶圆功率密度均值和封装功率密度均值；根据所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度均值、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值确定所述第二结果数组。

在一个实施例中，所述测试模块100还用于将所述第五测试组中的多个所述半导体器件分为第五子测试组、第六子测试组和第七子测试组；分别对所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组进行高温反偏测试、无偏高压蒸汽压测试和功率温度循环测试，得到所述第五子测试组的平均漂移率、所述第六子测试组的第一失效率和所述第七子测试组的第二失效率；根据所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率确定所述第五结果数组。

在一个实施例中，所述测试模块100还用于对所述第三测试组中的每个所述半导体器件进行物理特性测试，确定每个所述半导体器件的形貌特征，得到多个形貌表征参数；确定所述第三测试组中的每个所述半导体器件各引脚之间的单位间距需承受电压，得到多个单位间距需承受电压；根据所述多个形貌表征参数和所述多个单位间距需承受电压确定所述第三结果数组。

在一个实施例中，所述测试模块100还用于对所述第四测试组中的每个所述半导体器件进行可焊性测试，确定每个所述半导体器件的引脚焊面上锡率，得到所述第四结果数组。

关于所述半导体器件可靠性检测装置10的具体限定可以参见上文中对于所述半导体器件可靠性检测方法的限定，在此不再赘述。上述所述半导体器件可靠性检测装置10中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

本申请一个实施例提供了一种计算机设备，包括：包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如下步骤：

对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组；

分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值；

根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值；

根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现：将所述多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组；对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组；对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组；对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组；对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组；对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现：将所述第一测试组中的多个所述半导体器件分为第一子测试组、第二子测试组、第三子测试组和第四子测试组；分别对所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组进行漏电流测试、芯片粘接空洞测试、击穿电压测试和静电耐量测试，得到所述第一子测试组的漏电流均值、所述第二子测试组的多个粘接空洞率、所述第三子测试组的多个击穿电压和所述第四子测试组的多个抗静电能力；根据所述漏电流均值、所述多个粘接空洞率、所述多个击穿电压和所述多个抗静电能力确定所述第一结果数组。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现：对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，得到热阻系数均值、引线截面电流密度均值、晶圆功率密度均值和封装功率密度均值；根据所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度均值、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值确定所述第二结果数组。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现：将所述第五测试组中的多个所述半导体器件分为第五子测试组、第六子测试组和第七子测试组；分别对所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组进行高温反偏测试、无偏高压蒸汽压测试和功率温度循环测试，得到所述第五子测试组的平均漂移率、所述第六子测试组的第一失效率和所述第七子测试组的第二失效率；根据所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率确定所述第五结果数组。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现：对所述第三测试组中的每个所述半导体器件进行物理特性测试，确定每个所述半导体器件的形貌特征，得到多个形貌表征参数；确定所述第三测试组中的每个所述半导体器件各引脚之间的单位间距需承受电压，得到多个单位间距需承受电压；根据所述多个形貌表征参数和所述多个单位间距需承受电压确定所述第三结果数组。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现：对所述第四测试组中的每个所述半导体器件进行可焊性测试，确定每个所述半导体器件的引脚焊面上锡率，得到所述第四结果数组。

本申请一个实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如下步骤：

对同类型的多个半导体器件分别进行参数一致性测试、热性能测试、结构分析测试、工艺适应性测试和耐久性测试，分别得到第一结果数组、第二结果数组、第三结果数组、第四结果数组和第五结果数组；

分别对所述第一结果数组、所述第二结果数组、所述第三结果数组、所述第四结果数组和所述第五结果数组进行评估打分，确定第一评估分值、第二评估分值、第三评估分值、第四评估分值和第五评估分值；

根据预设加权模型，对所述第一评估分值、所述第二评估分值、所述第三评估分值、所述第四评估分值和所述第五评估分值进行加权计算，得到所述多个半导体器件的标准分值；

根据所述标准分值确定所述多个半导体器件的可靠性。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现：将所述多个半导体器件分为第一测试组、第二测试组、第三测试组、第四测试组和第五测试组；对所述第一测试组中的多个所述半导体器件进行所述参数一致性测试，确定所述第一测试组中每个所述半导体器件的一致性表征参数，得到第一结果数组；对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行所述热性能测试，确定所述第二测试组中每个所述半导体器件的热性能表征参数，得到第二结果数组；对所述第三测试组中的多个所述半导体器件进行所述结构分析测试，确定所述第三测试组中每个所述半导体器件的结构表征参数，得到第三结果数组；对所述第四测试组中的多个所述半导体器件进行所述工艺适应性测试，确定所述第四测试组中每个所述半导体器件的工艺适应性表征参数，得到第四结果数组；对所述第五测试组中的多个所述半导体器件进行所述耐久性测试，确定所述第五测试组中每个所述半导体器件的耐久性表征参数，得到第五结果数组。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现：将所述第一测试组中的多个所述半导体器件分为第一子测试组、第二子测试组、第三子测试组和第四子测试组；分别对所述第一子测试组、所述第二子测试组、所述第三子测试组和所述第四子测试组进行漏电流测试、芯片粘接空洞测试、击穿电压测试和静电耐量测试，得到所述第一子测试组的漏电流均值、所述第二子测试组的多个粘接空洞率、所述第三子测试组的多个击穿电压和所述第四子测试组的多个抗静电能力；根据所述漏电流均值、所述多个粘接空洞率、所述多个击穿电压和所述多个抗静电能力确定所述第一结果数组。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现：对所述第二测试组中的多个所述半导体器件进行热性能测试，得到热阻系数均值、引线截面电流密度均值、晶圆功率密度均值和封装功率密度均值；根据所述热阻系数均值、所述引线截面电流密度均值、所述晶圆功率密度均值和所述封装功率密度均值确定所述第二结果数组。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现：将所述第五测试组中的多个所述半导体器件分为第五子测试组、第六子测试组和第七子测试组；分别对所述第五子测试组、所述第六子测试组和所述第七子测试组进行高温反偏测试、无偏高压蒸汽压测试和功率温度循环测试，得到所述第五子测试组的平均漂移率、所述第六子测试组的第一失效率和所述第七子测试组的第二失效率；根据所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率确定所述第五结果数组。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现：对所述第三测试组中的每个所述半导体器件进行物理特性测试，确定每个所述半导体器件的形貌特征，得到多个形貌表征参数；确定所述第三测试组中的每个所述半导体器件各引脚之间的单位间距需承受电压，得到多个单位间距需承受电压；根据所述多个形貌表征参数和所述多个单位间距需承受电压确定所述第三结果数组。

在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现：对所述第四测试组中的每个所述半导体器件进行可焊性测试，确定每个所述半导体器件的引脚焊面上锡率，得到所述第四结果数组。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。