技术特征：
1.一种用于闪烁体余辉的检测装置，包括：led芯片光源，用于在被开启后发出紫外光，以及在被关断后不发出紫外光，其中，所述紫外光照射在闪烁体上以使得所述闪烁体发出光信号；光电探测器，用于接收所述闪烁体发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号；信号处理器，用于对所述电信号进行信号处理，以得到所述闪烁体的闪烁光强度；以及信息处理设备，用于从所述信号处理器接收所述闪烁光强度，并拟合得到所述闪烁光强度随时间变化的曲线，并根据所述曲线获得所述闪烁体的余辉特性参数。2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述紫外光的波长范围为200nm至350nm。3.根据权利要求1所述的检测装置，还包括：芯片控制器，与所述led芯片光源电连接，用于控制所述led芯片光源的开启或关断；其中，所述芯片控制器控制所述led芯片光源关断时的关断过程时间为10微秒至100微秒。4.根据权利要求3所述的检测装置，其中，所述芯片控制器还用于调节所述led芯片光源的发光功率，以调节所述led芯片光源所发出的紫外光的光强。5.根据权利要求1至4任意一项所述的检测装置，还包括：准直器，与所述led芯片光源的出光面接触，用于将所述led芯片光源发出的紫外光进行准直处理以得到准直紫外光，并将所述准直紫外光照射在闪烁体上。6.根据权利要求5所述的检测装置，其中，所述led芯片光源、所述光电探测器、所述闪烁体和所述准直器被设置在暗箱内。7.根据权利要求5所述的检测装置，还包括：载物台，用于承载所述闪烁体；其中，所述led芯片光源、所述准直器、所述光电探测器与所述闪烁体处于所述载物台的同一侧。8.根据权利要求7所述的检测装置，其中，所述光电探测器包括窗口，所述窗口的材料为紫外光不能透过的材料。9.根据权利要求8所述的检测装置，其中，所述窗口的材料包括硼硅玻璃。10.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述led芯片光源与所述光电探测器分别位于所述闪烁体的两侧，且所述闪烁体与所述光电探测器通过光耦合剂耦合。11.根据权利要求1所述的检测装置，还包括：探测器电源，与所述光电探测器电连接，用于向所述光电探测器供电。12.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述光电探测器包括：光电倍增管、硅光电倍增管或多像素光子计数器。13.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述电信号为模拟电信号；所述信号处理器包括：信号放大单元，用于从所述光电探测器接收所述模拟电信号并对所述模拟电信号进行
放大处理以得出放大后的模拟电信号；以及信号采集单元，与所述信号放大单元电连接，用于根据预定的采样频率采集所述放大后的模拟电信号，并将所述放大后的模拟电信号转换为数字电信号以得到所述闪烁光强度，并将所述闪烁光强度输出到所述信息处理设备。14.根据权利要求12所述的检测装置，其中，所述采样频率大于1khz。15.根据权利要求1所述的检测装置，其中，所述led芯片光源的基底材料包括：gaas、gaasp、gaalas、gap和algan中的至少一种。16.一种利用如权利要求1至15任意一项所述的检测装置检测闪烁体余辉的方法，包括：开启所述led芯片光源以使得所述led芯片光源发出紫外光，其中，所述紫外光照射在闪烁体上以使得所述闪烁体发出光信号，并在开启所述led芯片光源预定时间后，关断所述led芯片光源；利用光电探测器接收所述闪烁体发出的光信号，并将所述光信号转换为电信号；利用信号处理器对所述电信号进行信号处理，以得到所述闪烁体的闪烁光强度；以及利用信息处理设备从所述信号处理器接收所述闪烁光强度，并拟合得到所述闪烁光强度随时间变化的曲线，并根据所述曲线获得所述闪烁体的余辉特性参数。17.根据权利要求16所述的方法，其中，在开启所述led芯片光源之前，所述方法还包括：获取所述闪烁体的激发光谱；以及根据所述闪烁体的激发光谱，选用与所述激发光谱的峰值波长对应的led芯片光源。
技术总结
本公开提供了一种用于闪烁体余辉的检测装置和方法。该检测装置包括：LED芯片光源，用于在被开启后发出紫外光，以及在被关断后不发出紫外光，其中，该紫外光照射在闪烁体上以使得该闪烁体发出光信号；光电探测器，用于接收闪烁体发出的光信号，并将该光信号转换为电信号；信号处理器，用于对电信号进行信号处理，以得到闪烁体的闪烁光强度；以及信息处理设备，用于从信号处理器接收闪烁光强度，并拟合得到该闪烁光强度随时间变化的曲线，并根据该曲线获得闪烁体的余辉特性参数。本公开实现了闪烁体余辉的便捷检测。体余辉的便捷检测。体余辉的便捷检测。
技术研发人员：王燕春 何会绍 邹湘 朱维彬 张清军 李元景
受保护的技术使用者：同方威视技术股份有限公司
技术研发日：2020.03.31
技术公布日：2021/10/7