超/特高压GIS设备盆式绝缘子缺陷的综合评定方法与流程

本发明属于超/特高压gis设备绝缘件潜伏性缺陷在线检测及综合评定技术领域，具体涉及一种超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定方法。

背景技术：

近年来，随着社会工业化进程的加快，人民生活水平的不断提高，为了满足用电需求的大幅度上升，对我国输电网电压等级不断提出新要求，然而气体绝缘组合电器(gasinsulatedswitchgear，gis)由于具有结构紧凑、绝缘性能好、维护量小、供电可靠性高等诸多优点被广泛应用于超/特高压电力系统中，它在电力系统中起着至关重要的作用。

盆式绝缘子作为gis中的核心部件，有着将其内部的导体与气体绝缘组合开关的外壳隔离使其不会接触、将不同密闭空间中的气体进行隔离和密封、支撑气体绝缘组合开关的外壳以达到支撑和加固等重要作用，其结构设计需要考虑电气和机械两方面的性能，关乎着整套设备的安全。由此可见，盆式绝缘子的绝缘性能好坏决定了gis设备的绝缘性和运行可靠性，直接关系到电网的安全稳定运行。然而盆式绝缘子是gis中最薄弱的绝缘环节，其绝缘性能在很大程度上取决于盆体表面和内部以及金属电极表面是否存在缺陷。在盆式绝缘子生产、试验、安装和运行过程中，由于不恰当的工艺、过高的试验载荷、机械震动、机械磨损、操作失误等原因会引入气体间隙、表面凸起或凹陷、导电颗粒等潜伏性缺陷，这些缺陷会使得其附近的电场发生突变，从而导致gis设备发生故障以及影响电力系统的稳定运行。根据大量统计资料表明，由盆式绝缘子缺陷导致的故障占gis总故障的37％，对于已经投运20年以上的gis设备危害更大。基于盆式绝缘子特殊的材质以及安装位置的特殊性导致其缺陷难以被预先发现，如何在不拆卸gis设备的前提下，高效准确地对盆式绝缘子进行定期检测并做出潜伏性缺陷的综合评定是当下的研究热点和难点，具有很大的现实意义。

目前，国内外对于超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷检测分析的研究主要集中于定性分析，并没有量化缺陷，如2019年知网文献“基于超声导波的盆式绝缘子缺陷检测及定位”——2019年高电压技术、2017年知网文献“超声波局部放电检测技术在500kvgis盆式绝缘子上颗粒缺陷诊断中的应用”——2017年高压电器等文献中所述的基于超声导波的盆式绝缘子缺陷检测技术，如2017年知网文献“gis设备典型缺陷的x射线数字成像检测技术”——2017年电网技术、2018年知网文献“基于x射线的盆式绝缘子缺陷识别方法研究”——2018年硕士学位论文以及2019年知网文献“基于x射线的盆式绝缘子缺陷检测技术研究”——2019年电力设备管理等文献中所述的基于x射线的盆式绝缘子缺陷检测技术，以及其他文献中对于盆式绝缘子缺陷检测分析的研究均没有涉及对缺陷的定量分析。由于，定性分析带有一定的认为主观性、模糊性，无法客观、准确、全面的反映gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷等级，以至于不能及时合理的安排检修和做出适当处理导致gis设备发生故障以及影响电力系统的稳定运行。因此，为了在gis设备发生故障之前及时安排合理的维修计划，保证gis设备安全可靠运行的首要任务是客观、准确的对gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷等级进行综合评定，即对缺陷的定量分析。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定方法，以达到客观、准确的对盆式绝缘子潜伏性缺陷等级进行综合评定，克服了上述现有技术仅是对盆式绝缘子潜伏性缺陷进行定性分析存在的主观性、模糊性等不足，减少或者避免了由于盆式绝缘子潜伏性缺陷引发的各类事故，保证了gis设备安全可靠运行乃至整个电力系统的稳定运行。

为了达到上述目的，本发明提供了一种超/特高压gis设备盆式绝缘子缺陷的综合评定方法，包括以下步骤：

步骤1，先利用x射线成像技术对超/特高压gis设备典型盆式绝缘子进行无损探伤，再对获取的x射线图像进行图像滤波预处理，最后再利用改进的卷积神经网络对超/特高压gis设备典型盆式绝缘子缺陷进行分类识别进而得到gis设备盆式绝缘子上存在的7种主要潜伏性缺陷，所述7种主要潜伏性缺陷依次为：界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷；

步骤2，建立gis设备典型盆式绝缘子上存在的7种主要潜伏性缺陷的电场有限元分析程序，并通过仿真计算和试验测量得到gis设备典型盆式绝缘子在7种主要潜伏性缺陷下的电场畸变系数ki,其中，i为7种主要潜伏性缺陷的编号，i＝1,2,3,4,5,6,7，分别表示界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷；

步骤3，分别计算超高压下gis设备典型盆式绝缘子7种主要潜伏性缺陷的电场强度eia、特高压下gis设备典型盆式绝缘子7种主要潜伏性缺陷的电场强度eib，i＝1,2,3,4,5,6,7，其计算公式为：

eia＝ki×fia(x)

eib＝ki×fib(x)

其中：

x为gis设备典型盆式绝缘子径向距离,单位为mm；

fia(x)是超高压下gis设备典型盆式绝缘子在不同径向距离x下的电场强度,fib(x)是特高压下gis设备典型盆式绝缘子在不同径向距离x下的电场强度，单位为kv/mm；

步骤4，根据盆式绝缘子7种主要潜伏性缺陷所导致的不同闪络类型，将步骤2所述的7种主要潜伏性缺陷归类为以下三类：

将界面气隙缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷归类为sf6气体闪络，并将其闪络值记为sf6气体闪络值e1，e1＝7.5×(10p)^0.75，其中，p为气压，单位为mpa；

将盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷归类为sf6气体沿面闪络，并将其闪络值记为sf6气体沿面闪络值e2，e2＝6.4×(10p)^0.66；

将盆体内部气泡缺陷归类为sf6空气闪络，并将其闪络值记为sf6空气闪络值e3，e3＝11.3kv/mm；

步骤5，构造超高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wa、特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wb，其函数表达式为：

wa＝n1w1a+n2w2a+n3w3a+n4w4a+n5w5a+n6w6a+n7w7a

wb＝n1w1b+n2w2b+n3w3b+n4w4b+n5w5b+n6w6b+n7w7b

式中：

n1为界面气隙缺陷对应的加权系数，n2为盆体表面凸起缺陷对应的加权系数，n3为盆体表面凹陷缺陷对应的加权系数，n4为附着导电微粒缺陷对应的加权系数，n5为悬浮导电微粒缺陷对应的加权系数，n6为盆体内部气泡缺陷对应的加权系数，n7为盆体贯穿性裂缝缺陷对应的加权系数；

w1a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在界面气隙缺陷下的闪络系数，w1a＝e1a/e1，w1b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在界面气隙缺陷下的闪络系数，w1b＝e1b/e1；

w2a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凸起缺陷下的闪络系数，w2a＝e2a/e2，w2b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凸起缺陷下的闪络系数，w2b＝e2b/e2；

w3a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凹陷缺陷下的闪络系数，w3a＝e3a/e2，w3b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凹陷缺陷下的闪络系数，w3b＝e3b/e2；

w4a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在附着导电微粒缺陷下的闪络系数，w4a＝e4a/e1，w4b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在附着导电微粒缺陷下的闪络系数，w4b＝e4b/e1；

w5a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在悬浮导电微粒缺陷下的闪络系数，w5a＝e5a/e1，w5b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在悬浮导电微粒缺陷下的闪络系数，w5b＝e5b/e1；

w6a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体内部气泡缺陷下的闪络系数，w6a＝e6a/11.3，w6b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体内部气泡缺陷下的闪络系数，w6b＝e6b/11.3；

w7a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体贯穿性裂缝缺陷下的闪络系数，w7a＝e7a/e1，w7b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体贯穿性裂缝缺陷下的闪络系数，w7b＝e7b/e1；

e1a、e2a、e3a、e4a、e5a、e6a、e7a与e1b、e2b、e3b、e4b、e5b、e6b、e7b分别为步骤3计算得到的超高压与特高压gis设备典型盆式绝缘子在界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷下的电场强度；

根据超高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wa、特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wb对gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的危险等级做出评定。

优选地，步骤2所述的建立gis设备典型盆式绝缘子上存在的7种主要潜伏性缺陷的电场有限元分析程序的内容包括：盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷和附着导电微粒缺陷选取盆体凹面为对象、以半球形状进行模拟，悬浮导电微粒缺陷和盆体内部气泡缺陷以球形进行模拟。

优选地，步骤2所述的gis设备典型盆式绝缘子在7种主要潜伏性缺陷下的电场畸变系数ki按照以下公式确定：

ki＝β0+β1y1+β2y2

其中，

y1为缺陷尺寸，缺陷尺寸y1在界面气隙缺陷下为气隙的厚度，在盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷下均为缺陷的半径，在盆体贯穿性裂缝缺陷下为裂缝缺陷厚度；

y2为缺陷位置，缺陷位置y2在界面气隙缺陷下为气隙的深度，在盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷下为缺陷的径向距离，在盆体贯穿性裂缝缺陷下为裂缝缺陷径向距离；

β0为电场畸变第一加权系数，β1为电场畸变第二加权系数，β2为电场畸变第三加权系数。

优选地，步骤5所述的加权系数n1、n2、n3、n4、n5、n6和n7按照以下步骤确定：

步骤5.1，将加权系数n1、n2、n3、n4、n5、n6和n7表达为加权系数ni，i＝1，2，3，4，5，6，7；

步骤5.2，根据gis设备盆式绝缘子上存在的各类主要潜伏性缺陷相对影响程度进行以下等级划分：附着导电微粒缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷影响最大、界面气隙缺陷影响次之、盆体表面凸起缺陷影响第三、盆体表面凹陷缺陷影响第四、盆体内部气泡缺陷影响第五、悬浮导电微粒缺陷影响第六；

步骤5.3，将7种主要潜伏性缺陷中的每一种作为比较基准，分别与7种主要潜伏性缺陷中的每一种进行比较，根据7种主要潜伏性缺陷的影响等级，应用判断矩阵法，构造出判断矩阵a，判断矩阵a的表达式为：

将判断矩阵a中的元素记为判断系数aijj是作为比较基准的主要潜伏性缺陷的序号，j＝1，2，3，4，5，6,7；

步骤5.4，将判断矩阵a中给出的判断系数aij的具体数值代入公式(1)，并利用公式(2)得到加权系数ni；

其中，αi为主要潜伏性缺陷的影响系数，i＝1，2，3,4,5,6,7。

相对于现有技术，本发明的有益效果具体体现在：

1.本发明针对现有的技术仅对盆式绝缘子潜伏性缺陷进行定性分析，无法客观、准确的对盆式绝缘子潜伏性缺陷等级进行综评合评定来确保gis设备安全可靠运行的背景下，通过对盆式绝缘子上存在的各类主要潜伏性缺陷相对影响程度进行等级划分构造出判断矩阵来确定综合评价函数中的各加权系数值，最终实现对超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定，具有广泛的实用性和经济性。

2.本发明综合考虑了盆式绝缘子上存在的主要潜伏性缺陷，通过最小二乘法分别求得盆式绝缘子各类缺陷下的综合电场畸变系数k的值，弥补了现有研究仅对盆式绝缘子各类缺陷下的不同决策变量引起的电场畸变系数k的值进行计算，提高了对超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定的精度，在很大程度上减少或者避免了由于盆式绝缘子潜伏性缺陷引发的各类事故。

附图说明

图1是本发明超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定方法的总体流程图。

图2是本发明中gis设备盆式绝缘子上各类潜伏性缺陷的电场有限元分析程序流程图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述。

本发明的实施例提供了一种超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定方法，以解决现有技术仅对盆式绝缘子潜伏性缺陷进行定性分析，无法客观、准确的对盆式绝缘子潜伏性缺陷等级进行综评合评定的问题。

图1是本发明超/特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评定方法的总体流程图。由图1可见，本发明综合评定方法包括以下步骤：

步骤1，先利用x射线成像技术对超/特高压gis设备典型盆式绝缘子进行无损探伤，再对获取的x射线图像进行图像滤波预处理，最后再利用改进的卷积神经网络对超/特高压gis设备典型盆式绝缘子缺陷进行分类识别进而得到gis设备盆式绝缘子上存在的7种主要潜伏性缺陷，所述7种主要潜伏性缺陷依次为：界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷。

步骤2，建立gis设备典型盆式绝缘子上存在的7种主要潜伏性缺陷的电场有限元分析程序，并通过仿真计算和试验测量得到gis设备典型盆式绝缘子在7种主要潜伏性缺陷下的电场畸变系数ki,其中，i为7种主要潜伏性缺陷的编号，i＝1,2,3,4,5，6,7，分别表示界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷。

在本实施例中，所述的建立gis设备典型盆式绝缘子上存在的7种主要潜伏性缺陷的电场有限元分析程序的内容包括：盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷和附着导电微粒缺陷选取盆体凹面为对象、以半球形状进行模拟，悬浮导电微粒缺陷和盆体内部气泡缺陷以球形进行模拟。

在本实施例中，所述gis设备典型盆式绝缘子在7种主要潜伏性缺陷下的电场畸变系数ki按照以下公式确定：

ki＝β0+β1y1+β2y2

其中，

y1为缺陷尺寸，缺陷尺寸y1在界面气隙缺陷下为气隙的厚度，在盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷下均为缺陷的半径，在盆体贯穿性裂缝缺陷下为裂缝缺陷厚度。

y2为缺陷位置，缺陷位置y2在界面气隙缺陷下为气隙的深度，在盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷下为缺陷的径向距离，在盆体贯穿性裂缝缺陷下为裂缝缺陷径向距离。

β0为电场畸变第一加权系数，β1为电场畸变第二加权系数，β2为电场畸变第三加权系数，β0、β1、β2的数值应用最小二乘法原理求得。

图2是本发明中gis设备盆式绝缘子上各类潜伏性缺陷的电场有限元分析程序流程图。由该图可见，电场有限元分析程序流程图包括以下内容：首先建立盆式绝缘子含有各类缺陷的仿真模型，再分别输入各类缺陷的决策变量缺陷尺寸y1和缺陷位置y2，最后应用控制变量法进行仿真计算和试验测量分别得到gis设备典型盆式绝缘子各类缺陷下的电场畸变系数的表达式，然后将步骤1中实测的盆式绝缘子各类潜伏性缺陷情况分别代入电场畸变系数的表达式中得到7种主要潜伏性缺陷下的电场畸变系数ki。

步骤3，分别计算超高压下gis设备典型盆式绝缘子7种主要潜伏性缺陷的电场强度eia、特高压下gis设备典型盆式绝缘子7种主要潜伏性缺陷的电场强度eib，i＝1，2，3，4，5，6，7，其计算公式为：

eia＝ki×fia(x)

eib＝ki×fib(x)

其中：

x为gis设备典型盆式绝缘子径向距离，单位为mm；

fia(x)是超高压下gis设备典型盆式绝缘子在不同径向距离x下的电场强度，fib(x)是特高压下gis设备典型盆式绝缘子在不同径向距离x下的电场强度，单位为kv/mm；fia(x)和fib(x)数值通过大量实验数据分析得到。

步骤4，根据盆式绝缘子7种主要潜伏性缺陷所导致的不同闪络类型，将步骤2所述的7种主要潜伏性缺陷归类为以下三类：

将界面气隙缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷归类为sf6气体闪络，并将其闪络值记为sf6气体闪络值e1，e1＝7.5×(10p)^0.75，其中，p为气压，单位为mpa；

将盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷归类为sf6气体沿面闪络，并将其闪络值记为sf6气体沿面闪络值e2，e2＝6.4×(10p)^0.66；

将盆体内部气泡缺陷归类为sf6空气闪络，并将其闪络值记为sf6空气闪络值e3,e3＝11.3kv/mm。

步骤5，构造超高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wa、特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wb，其函数表达式为：

wa＝n1w1a+n2w2a+n3w3a+n4w4a+n5w5a+n6w6a+n7w7a

wb＝n1w1b+n2w2b+n3w3b+n4w4b+n5w5b+n6w6b+n7w7b

式中：

n1为界面气隙缺陷对应的加权系数，n2为盆体表面凸起缺陷对应的加权系数，n3为盆体表面凹陷缺陷对应的加权系数，n4为附着导电微粒缺陷对应的加权系数，n5为悬浮导电微粒缺陷对应的加权系数，n6为盆体内部气泡缺陷对应的加权系数，n7为盆体贯穿性裂缝缺陷对应的加权系数。

w1a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在界面气隙缺陷下的闪络系数，w1a＝e1a/e1，w1b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在界面气隙缺陷下的闪络系数，w1b＝e1b/e1；

w2a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凸起缺陷下的闪络系数，w2a＝e2a/e2，w2b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凸起缺陷下的闪络系数，w2b＝e2b/e2；

w3a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凹陷缺陷下的闪络系数，w3a＝e3a/e2，w3b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体表面凹陷缺陷下的闪络系数，w3b＝e3b/e2；

w4a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在附着导电微粒缺陷下的闪络系数，w4a＝e4a/e1，w4b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在附着导电微粒缺陷下的闪络系数，w4b＝e4b/e1；

w5a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在悬浮导电微粒缺陷下的闪络系数，w5a＝e5a/e1，w5b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在悬浮导电微粒缺陷下的闪络系数，w5b＝e5b/e1；

w6a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体内部气泡缺陷下的闪络系数，w6a＝e6a/11.3，w6b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体内部气泡缺陷下的闪络系数，w6b＝e6b/11.3；

w7a为超高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体贯穿性裂缝缺陷下的闪络系数，w7a＝e7a/e1，w7b为特高压gis设备典型盆式绝缘子在盆体贯穿性裂缝缺陷下的闪络系数，w7b＝e7b/e1。

e1a、e2a、e3a、e4a、e5a、e6a、e7a与e1b、e2b、e3b、e4b、e5b、e6b、e7b分别为步骤3计算得到的超高压与特高压gis设备典型盆式绝缘子在界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷下的电场强度。

根据步骤5得到的超高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wa、特高压gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的综合评价函数wb对gis设备典型盆式绝缘子潜伏性缺陷的危险等级做出评定。

在本实施例中，步骤5所述的加权系数n1、n2、n3、n4、n5、n6和n7按照以下步骤确定：

步骤5.1，将加权系数n1、n2、n3、n4、n5、n6和n7表达为加权系数ni，i＝1，2，3，4，5，6，7；

步骤5.2，根据gis设备盆式绝缘子上存在的各类主要潜伏性缺陷相对影响程度进行以下等级划分：附着导电微粒缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷影响最大、界面气隙缺陷影响次之、盆体表面凸起缺陷影响第三、盆体表面凹陷缺陷影响第四、盆体内部气泡缺陷影响第五、悬浮导电微粒缺陷影响第六；

步骤5.3，将7种主要潜伏性缺陷中的每一种作为比较基准，分别与7种主要潜伏性缺陷中的每一种进行比较，根据7种主要潜伏性缺陷的影响等级，应用判断矩阵法，构造出判断矩阵a，判断矩阵a的表达式为：

将判断矩阵a中的元素记为判断系数aijj是作为比较基准的主要潜伏性缺陷的序号，j＝1，2，3，4，5，6，7；

判断系数aij的数值按照以下确定：

aij＝1，两个主要潜伏性缺陷的影响程度为同一等级；

aij＝2，一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度高1个等级；

aij＝3，一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度高2个等级；

aij＝4，一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度高3个等级；

aij＝5，一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，陷影响程度高4个等级；

aij＝6，一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度高5个等级；

一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度低1个等级；

一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度低2个等级；

一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度低3个等级；

一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度低4个等级；

一个主要潜伏性缺陷相对于另一个主要潜伏性缺陷，影响程度低5个等级。

步骤5.4，将判断矩阵a中给出的判断系数aij的具体数值代入公式(1)，并利用公式(2)得到加权系数ni；

其中，αi为主要潜伏性缺陷的影响系数，反映了界面气隙缺陷、盆体表面凸起缺陷、盆体表面凹陷缺陷、附着导电微粒缺陷、悬浮导电微粒缺陷、盆体内部气泡缺陷和盆体贯穿性裂缝缺陷在gis设备盆式绝缘子缺陷的综合评定中的影响重要程度，i＝1,2,3,4,5,6,7。

在本实施例中，令w为综合评价函数值wa或综合评价函数值wb的值，潜伏性缺陷危险等级分为以下四个等级：

当w≥0.91时，为i类缺陷，即危害性缺陷，严重影响了gis设备的绝缘性能及运行可靠性，应尽快安排停电检修设置更换设备；

当0.63≤w＜0.91时，为ii类缺陷，即严重性缺陷，继续使用有达到危害性缺陷的可能趋势，应合理安排检修并做适当处理；

当0.16≤w＜0.63时，为iii类缺陷，即一般性缺陷，继续使用有达到警示值的可能趋势，应定期进行检测并做适当处理；

当0≤w＜0.16时，为iv类缺陷，即正常性缺陷，对gis设备的绝缘性能及运行可靠性无任何影响。