1.一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：包括工艺偏差检测电路、参考电压电路、迟滞比较器和编码电路，工艺偏差检测电路用于产生不随温度变化且只随工艺偏差变化的电压vsen，电压vsen反应cmos工艺的变化情况；参考电压电路用于产生不随工艺和温度变化的参考电压，参考电压是由i个不同电压组成的电压组vref<i:1>；迟滞比较器负责将工艺偏差检测电压vsen与参考电压组vref<i:1>的i个电压依次比较，得出一组数字信号vcom<i:1>，编码电路用于对迟滞比较电路的量化结果进行编码处理以供后级电路使用。
2.根据权利要求1所述的一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：参考电压是由i个电压组成的线性变化的电压组vref<i:1>。
3.根据权利要求1所述的一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：工艺偏差检测电路为nmos结构，其包括nmos晶体管nm1，nmos晶体管nm1的漏极和电阻r1的一端同时连接到电源上，nmos晶体管nm1的栅极vc1分别连接到电阻r1的另一端和电流源i1的输出端，nmos晶体管nm1的源极连接到电流源i2的输出端并作为检测电压的输出端vsen1，电流源i1的另一端和电流源i2的另一端都接到地端。
4.根据权利要求1所述的一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：工艺偏差检测电路为pmos结构，其包括pmos晶体管pm1，pmos晶体管pm1的漏极和电阻r2的一端同时连接到地端，pmos晶体管pm1的栅极vc2和电阻r2的另一端分别连接电流源i3的输出端，pmos晶体管pm1的源极连接到电流源i4的输出端并作为检测电压的输出端vsen2，电流源i3的另一端和电流源i4的另一端都接到电源端。
5.根据权利要求1所述的一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：参考电压电路由n个等值片上poly电阻串联组成的电阻分压网络，其中n>i。
6.根据权利要求1所述的一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：迟滞比较器采用通用的cmos迟滞比较器。
7.根据权利要求1所述的一种探测cmos工艺偏差的传感器集成电路，其特征在于：编码电路采用传统的由与非门、或非门、反相器组成的组合逻辑编码电路。