[0001]
本发明涉及一种应用于半导体领域的石英罩离子污染的检测工艺。
背景技术：
[0002]
洗净再生技术是通过化学和物理的工艺把精密部件上的膜质或其他粒子清除掉，再运用物理与化学抛光、喷砂、热喷涂和电镀表面处理的工艺再生处理部件表面，使其达到循环再使用的功能。高效、无污染和对部件损耗很小的洗净再生工艺，能大大地增加parts循环使用寿命，为客户节约成本。
[0003]
半导体领域的部件清洗后的离子污染检测要求也越来越严格，对于石英罩离子污染的检测要求也越来越高，因此一般的检测工艺不能达到使用要求。
[0004]
由于单独外观检测结果不科学不准确，因此有必要建立一套完善的操作流程，提升石英罩清洗后离子污染检测准确度和精确度，所以此发明能够诠释最终想要的结果。
[0005]
为此发明出一种离子色谱检测工艺，根据取样检测出来的阴离子含量数值，通过阴离子含量数据可以判断离子污染程度，能否进行组装使用。
技术实现要素：
[0006]
本发明的目的在于提供一种应用于半导体领域的石英罩离子污染的检测工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
[0007]
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：检测工艺步骤如下：s1，将石英罩清洗作业，烘干；s2,清洗完成，净空房石英罩内灌装纯水静置；s3,置放2-4小时后取样；s4,离子色谱仪检测样品中阴离子含量，阴离子为f-和no
3-；s5检测完后记录结果，将零件清洗、烘干、包装。
[0008]
优选的，步骤s1中，清洗液为硝氟酸,清洗后用纯水浸泡，高压水洗，超声波清洗清洗残酸，其中纯水水源至少18mω。
[0009]
优选的，步骤s3中净空房内取样，所用取样吸管和取样瓶均需用纯水润洗，水源至少18mω。
[0010]
优选的，步骤s4中，离子色谱仪进样前需稀释样品，加过滤，离子色谱仪f
−
检出限0.27μg/l，no
3
−
检出限0.20μg/l。
[0011]
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本检测工艺通过特殊处理后能够很好地检测出石英罩内的药液残留量，所获得的检测数据更精密，可以通过检测很好地对清洗后石英罩实行监控，避免造成污染。
具体实施方式
[0012]
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例
仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0013]
一种应用于半导体领域的石英罩离子污染的检测工艺，检测工艺步骤如下：s1，将石英罩清洗作业，烘干；s2,清洗完成，净空房石英罩内灌装纯水静置；s3,置放2-4小时后取样；s4,离子色谱仪检测样品中阴离子含量，阴离子为f-和no
3-；s5检测完后记录结果，将零件清洗、烘干、包装。
[0014]
实施例一在净空房内完成所有步骤：首先，将清洗完成的石英罩烘干冷却，灌装纯水静置，静置两小时后取样，取样完成后对取样品进行稀释，过滤，再离子色谱仪进行检测。最后将部品清洗、吹干、烘烤、冷却、包装。
[0015]
实施例二在净空房内完成所有步骤：首先，将清洗完成的石英罩烘干冷却，灌装纯水静置，静置四小时后取样，取样完成后对取样品进行稀释，过滤，再离子色谱仪进行检测。最后将部品清洗、吹干、烘烤、冷却、包装。
[0016]
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。