一种Boost电容电压检测电路

本发明属于集成电路设计领域，尤其涉及boost电容电压检测电路。

背景技术：

随着集成电路的发展，dc-dc集成度越来越高，很多开关电源芯片已经把mos管(metaloxidesemiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)集成到了芯片内部,其中，所述dc-dc是一种在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的装置。由于相同面积nmos管的导通电阻比pmos管的导通电阻小，所以很多芯片集成中，使用nmos管代替pmos管，达到减小芯片面积、提高效率的目的。

由于nmos管本身的特性，为了使nmos管的漏极电压与源极电压一致，需要更高的栅极电压来驱动nmos管，因此boost电路(即自举电路)被广泛应用。

但是，由于boost电路中电容的漏电，当该电容电压过小时，被驱动的nmos管不能正常导通，因此，需要用电路判断boost电路中电容两端电压，即亟需一种用于判断boost电路中电容两端电压的boost电容电压检测电路。

技术实现要素：

为解决现有技术中上述技术问题，本申请提供一种boost电容电压检测电路。

本申请提供一种boost电容电压检测电路，包括boost电容电压判断电路和反相器放大电路；

所述boost电容电压判断电路，包括mos管m1和mos管m0，其中，所述mos管m1作为输入端，用于判断boost电容电压；所述和mos管m0用于为所述boost电容电压判断电路提供偏置电流；

如果所述boost电容电压小于所述mos管m1的阈值电压，则所述反相器放大电路的输入电压降低，所述反相器放大电路输出所述boost电容电压状态为欠压状态。

进一步，所述反相器放大电路包括mos管m2和mos管m3；所述mos管m2为pmos管，所述mos管m3为nmos管；或者，所述mos管m2为nmos管，所述mos管m3为pmos管。

进一步，通过调节所述mos管m2和mos管m3的宽长比，控制所述反相器的翻转电压，使所述boost电容电压判断电路的输出电压变为高电平或低电平；

根据输出的高电平或低电平，输出所述boost电容的欠压状态或高压状态。

进一步，所述mos管m2的源极与所述mos管m0的源极连接，所述mos管m2的栅极与所述mos管m3的栅极连接，所述mos管m2的漏极与所述mos管m3的漏极连接；

所述mos管m3的源极与电源电压vdd连接，所述mos管m3的漏极为输出端。

进一步，所述mos管m1的源极和栅极分别接在所述boost电容的两端，所述mos管m1的漏极与所述mos管m0的漏极连接；

所述mos管m0的栅极连接偏执电压。

进一步，所述mos管m1的漏极同时与所述mos管m0的漏极、所述mos管m2的漏极和所述mos管m3的漏极相连。

进一步，所述mos管m0的源极与地线gnd相接。

进一步，所述mos管m1为pmos管。

本申请提供的一种boost电容电压检测电路，mos管m1的源极与boost电容的一端相连，mos管m1的栅极与boost电容的另一端相连，mos管m1的漏极与mos管m0的漏相连，mos管m0的栅极接偏置电压，mos管m1作为boost电容电压输入mos管，mos管m0作为偏置电路；反相器电路作为粗略的比较器，把boost电容电压判断电路的输出电压变为高低电平，进而输出boost电容的欠压状态或高压状态。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种boost电容电压检测电路的电路图；

图2为本发明实施例提供的输出信号随boost电容电压变化的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

图1为本发明实施例提供的一种boost电容电压检测电路的电路图。如图1所示，本申请提供的一种boost电容电压检测电路，包括boost电容电压判断电路和反相器放大电路；所述boost电容电压判断电路，包括mos管m1和mos管m0，其中，所述mos管m1作为输入端，用于判断boost电容电压；所述mos管m0用于为所述boost电容电压判断电路提供偏置电流；如果所述boost电容电压小于所述mos管m1的阈值电压，则所述反相器放大电路的输入电压降低，所述反相器放大电路输出所述boost电容电压状态为欠压状态。

本申请实施例提供的boost电容检测电路，通过mos管m1自身的阈值电压判断boost电容电压，所述mos管m1的源极和栅极分别接在所述boost电容的两端(图1中bc1和bc2分别为boost电容的两端)，如果所述boost电容电压减小至所述mos管m1的阈值电压，则所述反相器放大电路的输入电压降低，本申请实施例中利用反相器放大电路相当于一个粗略的比较器，进而输出所述boost电容电压状态为欠压状态。其中，所述mos管m1为pmos管。

反相器放大电路包括mos管m2和mos管m3，mos管m2和mos管m3中一个为pmos管，另一个为nmos管，mos管m2和mos管m3接成反相器。通过调节所述mos管m2和mos管m3的宽长比，控制所述反相器的翻转电压，使所述boost电容电压判断电路的输出电压变为高电平或低电平；根据输出的高电平或低电平，输出所述boost电容的欠压状态或高压状态。

反相器放大电路中mos管m2的源极与所述mos管m0的源极连接，所述mos管m2的栅极与所述mos管m3的栅极连接，所述mos管m2的漏极与所述mos管m3的漏极连接；所述mos管m3的源极与电源电压vdd连接，所述mos管m3的漏极为输出端。

反相器放大电路中mos管m2和mos管m3的栅极与栅极相连、漏极与漏极相连，接成反相器电路，如果mos管m2和mos管m3输入低电平，则mos管m2和mos管m3输出高电平；相反的，如果mos管m2和mos管m3输入高电平，则mos管m2和mos管m3输出低电平。

本申请实施例中可以通过调节所述mos管m2和mos管m3的宽长比，调节所述反相器的翻转电压，利用反相器放大电路相当于一个粗略的比较器，输出所述boost电容处于欠压状态或欠压状态。

在一具体实施例中，本申请实施例中的boost电容电压检测电路，包括boost电容电压判断电路和反相器放大电路。其中，所述boost电容电压判断电路包括mos管m1和mos管m0，所述mos管m1的源极与所述boost电容的bc2端连接，所述mos管m1的栅极与所述boost电容的bc1端连接，所述mos管m1的漏极与所述mos管m0的漏极连接，所述mos管m0的栅极连接偏执电压，所述mos管m0的源极与地线gnd相接。所述反相器放大电路包括mos管m2和mos管m3，所述mos管m2的源极与所述mos管m0的源极连接，所述mos管m2的栅极与所述mos管m3的栅极连接，所述mos管m2的漏极与所述mos管m3的漏极连接，所述mos管m3的源极与电源电压vdd连接。所述mos管m1的漏极同时与所述mos管m0的漏极、所述mos管m2的漏极和所述mos管m3的漏极相连，所述mos管m3的漏极为输出端。

如图2所示，当boost电容电压变化时，输出电压会根据输入boost电容电压的变化而变化，当boost电容电压过低时，输出电压翻转，进而控制其他电路，对芯片进行保护。

本申请实施例中，mos管m0用于为所述boost电容电压判断电路提供偏置电流，所述mos管m1的源极和栅极分别接在所述boost电容的两端，所述mos管m1的漏极与所述mos管m0的漏极连接；所述mos管m0的栅极连接偏执电压；所述mos管m1的漏极同时与所述mos管m0的漏极、所述mos管m2的漏极和所述mos管m3的漏极相连。

其中，偏执电流计算公式如下公式(1)，其中，vgs为boost电容电压，vth为mos管m1的阈值电压。

当所述公式(1)中时，所述boost电容电压判断电路输出低电平；当时，所述boost电容电压判断电路输出高电平。

综上可知，本申请实施例提供的一种boost电容检测电路，mos管m1的源极与boost电容的一端相连，mos管m1的栅极与boost电容的另一端相连，mos管m1的漏极与mos管m0的漏相连，mos管m0的栅极接偏置电压，mos管m1作为boost电容电压输入mos管，mos管m0作为偏置电路；反相器电路作为粗略的比较器，把boost电容电压判断电路的输出电压变为高低电平，进而输出boost电容的欠压状态或高压状态。

由于以上实施方式均是在其他方式之上引用结合进行说明，不同实施例之间均具有相同的部分，本说明书中各个实施例之间相同、相似的部分互相参见即可。在此不再详细阐述。

需要说明的是，在本说明书中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的电路结构、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种电路结构、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，有语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的电路结构、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的公开后，将容易想到本申请的其他实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由权利要求的内容指出。以上所述的本申请实施方式并不构成对本申请保护范围的限定。