一种快扫X射线吸收精细结构谱学单色器

文档序号:24939197发布日期:2021-05-04 11:31阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,包括真空腔体(1),真空腔体(1)的一侧面与一大型法兰式磁流体密封装置(4)的固定部件密封连接,该大型法兰式磁流体密封装置(4)的转动部件上上设有第一传动轴和第二传动轴,第一传动轴的大气端、第二传动轴的大气端分别通过直驱伺服马达驱动;

第一传动轴位于真空腔一端端面上安装第一多边分光晶体,该第一多边分光晶体为一端开口、一端封闭的中空结构,第一传动轴为中空结构作为回水管且内设进水管,该第一多边分光晶体的开口端与第一传动轴位于真空腔一端密封连接,进水管用于将冷却水喷洒到该第一多边分光晶体的中空结构内壁并将回流水通过回水管引出;

第二传动轴位于真空腔一端端面上安装第二多边分光晶体;该第二多边分光晶体为一端开口、一端封闭的中空结构,第二传动轴为中空结构作为回水管且内设进水管,该第二多边分光晶体的开口端与第二传动轴位于真空腔一端密封连接,进水管用于将冷却水喷洒到该第二多边分光晶体的中空结构内壁并将回流水通过回水管引出;

真空腔体(1)的侧壁上开有进光口和出光口,用于同步辐射白光的进入和单色光的出射;第一传动轴、第二传动轴转动时,第一多边分光晶体的一分光晶体与第二多边分光晶体的一分光晶体构成一组动态平行的衍射面;同步辐射白光入射到该衍射面的第一分光晶体,经反射后再入射到构成该衍射面的第二分光晶体上,之后被第二分光晶体反射后经出光口出射单色光。

2.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,该第一传动轴、第二传动轴分别通过一小型法兰式磁流体密封装置(7)与该转动部件密封连接;该转动部件与该固定部件之间具有多层磁流体密封圈,该固定部件通过密封法兰与真空腔体(1)连接固定。

3.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,该第一多边分光晶体的工作面中心与该转动部件的旋转中心轴重合。

4.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,该转动部件通过步进马达提供转动矩,采用但不限于蜗轮蜗杆;通过调节该转动部件的角度位置选择单色器做能量扫描时的能量点。

5.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,该第一多边分光晶体包括第一多边棱柱,该第一多边棱柱为一端开口、一端封闭的中空多边棱柱,该第一多边棱柱的侧壁上安置分光晶体;该第二多边分光晶体包括第二多边棱柱,该第二多边棱柱为一端开口、一端封闭的中空多边棱柱,该第二多边棱柱的侧壁上安置分光晶体。

6.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,第一传动轴通过小型法兰式磁流体密封装置(7)与该转动部件密封连接,其中小型法兰式磁流体密封装置(7)包含固定端和中空旋转轴,该固定端通过法兰盘的方式与该转动部件连接固定,该固定端与该中空旋转轴之间有多层磁流体密封圈,该中空旋转轴与该第一传动轴之间通过焊接或胶圈+卡紧箍的方式连接。

7.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,第二传动轴通过小型法兰式磁流体密封装置(7)与该转动部件密封连接,其中小型法兰式磁流体密封装置(7)包含固定端和中空旋转轴,该固定端通过法兰盘的方式与该转动部件连接固定,该固定端与该中空旋转轴之间有多层磁流体密封圈,该中空旋转轴与该第二传动轴之间通过焊接或胶圈+卡紧箍的方式连接。

8.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,第一传动轴、第二传动轴与直驱马达之间通过联轴器连接,将转动扭矩从真空外传递到真空内;所述直驱马达内置轴角编码器或使用外置轴角编码器进行角度位置控制。

9.如权利要求1所述的快扫x射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,该第一传动轴为主动轴,该第二传动轴为从动轴,当第一传动轴转动时,利用电子学调节技术控制第二传动轴的转动速度、相位与第一传动轴的转动速度、相位匹配。


技术总结
本发明公开了一种快扫X射线吸收精细结构谱学单色器,其特征在于,包括真空腔体,真空腔体的一侧面与一大型法兰式磁流体密封装置的固定部件密封连接,该磁流体密封装置的转动部件上设有第一、第二传动轴;传动轴位于真空腔一端端面上安装一中空的多边分光晶体,传动轴为中空结构作为回水管且内设进水管,多边分光晶体的开口端与传动轴一端密封连接,进水管将水喷洒到晶体的中空结构内壁并将回流水通过回水管排出;真空腔体的侧壁上开有进光口和出光口,用于同步辐射白光进入和单色光出射;第一、二传动轴转动时,第一多边分光晶体的一分光晶体与第二多边分光晶体的一分光晶体构成一组动态平行的衍射面。本发明提高了XAFS的时间分辨能力。

技术研发人员:朱晔;张小威;石泓;郑黎荣;刁千顺;洪振;杨俊亮;李鑫
受保护的技术使用者:中国科学院高能物理研究所
技术研发日:2020.12.07
技术公布日:2021.05.04
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