半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置的制作方法

技术领域：

本实用新型属于光学检测和机器视觉领域，尤其涉及一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置。

背景技术：
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在机器视觉成像检测应用中，当待检测物体较大时，通常在一个工位选用一个视场合适的远心成像镜头检测物体的一个面，当待测物体较小时（如半导体光电元器件），为了提高检测速度，并充分使用远心成像镜头的有效视场，采用一个工位上的一个远心成像镜头同时检测物体的两个面的技术方案。

半导体晶粒相邻面同时缺陷检测的装置与方法需要解决的主要技术问题包括双面检测光路的等光程成像与等照度照明。

双面成像光路的光程差主要取决于系统的以下设计与结构参数：

①与合像器/分束器上获得的双面像之间的距离△=a+d（设计参数）其中a为物体尺寸，d为物体双面像相邻边缘之间为满足图像识别处理所需要的最小距离；当物体尺寸a增大时，△也随之增大；

②分束器/合像器中心到晶粒中心的水平（或垂直）距离（结构参数l1）；在底面与侧面同时检测光路中，l1与载物转盘的尺寸及△有关。

③分束器/合像器中心到转像棱镜斜面之间的垂直（或水平）距离（结构参数l2）；在天面与侧面同时检测光路中，l2与载物转盘的尺寸及△有关。

在本申请人之前专利申请（专利申请号201910207016.2、201911247575.2）提出的方案中由于双面同时成像检测的光程差△与结构参数（l1，l2）有关，当结构参数较大时，该方法在使用中难免存在一定的局限性；上述两申请采用一个较大的直角转像棱镜与一个大景深远心成像镜头解决相邻面同时检测及其光程差产生的分辨率问题，如图1a，1b所示，而近日新提交的专利申请（申请号201911369253.5），相邻两面也分别需要使用一个较大的直角转像棱镜（如30×30×15）与一个较小的转像棱镜（如15x15×15），如图1c所示，但是，为了获得等光程成像检测，光路设计时需要特别小心选取有关结构布局参数，限制了光路设计的自由度，或在一定程度上增加了检测系统的实施难度。

技术实现要素：
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针对上述相邻面检测存在的问题，本实用新型申请提出一种半导体晶粒相邻面同时检测的新装置与方法，该装置和方法采用了相邻双面的检测光路在合像位置上的准等光程共焦成像的结构原理，使双面检测的光程差更为可调控，更为实用。

本实用新型半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台、照明光源，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的两个相邻面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。

进一步的，上述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换。

进一步的，上述半透半反射合像器由立方分束合像器替换。

进一步的，上述装置设有照明光源，照明光源位于远心成像镜头光轴第二侧部的同轴外置光源；或者照明光源为内置于远心成像镜头的同轴内置照明光源。

进一步的，上述装置设有照明光源，照明光源位于远心成像镜头光轴的第二侧部，以及位于半导体晶粒的侧部和透明载物台的下方。

进一步的，上述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的天面上方。

进一步的，上述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒底面的透明载物台的下方。

本实用新型装置和方法采用了相邻双面的检测光路在合像位置上的准等光程共焦（即△很小）成像的结构原理，使双面检测的光程差更为可调控，更为实用。

本实用新型半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新方法，所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的至少两个面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过半透半反射合像器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过半透半反射合像器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距。

进一步的，上述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过反射透射双区合像器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过反射透射双区合像器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距。

进一步的，上述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过立方分束器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过立方分束器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距。

本实用新型半导体晶粒相邻面同时等光程成像检测新装置的优点：

①可获得晶粒相邻面准等光程共焦成像且等照度照明的检测；

②在两个工位上分别采用两套检测装置，可实现晶粒四个面的缺陷检测与三个尺寸的检测；

③相邻面双像之间的距离大小△可调整；

④双面检测系统工作距的设计自由度不受限制；

⑤棱镜转像子系统可以装配在一个密封的机械结构里，只需露出两个待测面输入窗口和一个合像输出窗口；

⑥转像棱镜与合像器的机械装配结构简单，装配调试容易；

⑦检测装置结构紧凑，体积小，使用方便；

⑧所用光学元件均为常规的产品且尺寸较小，有低成本优势。

附图说明：

图1a是现有晶粒相邻面检测光学装置；

图1b是现有晶粒相邻面检测光学装置；

图1c是现有晶粒相邻面检测光学装置；

其中b1相机、b2远心成像镜头、b3光学元件、b4半导体晶粒、b5透明载物台、b6直角转像镜头、b7光源；

图2a是天面与侧面检测的光学装置（使用同轴外置照明和半透半反射合像器）；

图2b是天面与侧面检测的光学装置（使用同轴内置照明和反射透射双区合像器）；

图3a是底面与侧面检测的光学装置（使用同轴外置照明和半透半反射合像器）；

图3b是底面与侧面检测的光学装置（使用同轴内置照明和反射透射双区合像器）；

图4是采用背光照明检测的光学装置（除了使用同轴外置光源，及内置光源外，还设置背光源，用于晶粒尺寸检测）；

图5是双工位晶粒四面缺陷与尺寸同时检测的光学装置；

图6a是天面与侧面检测光学装置棱镜转像子系统的设计实施例（使用同轴内置照明和反射透射双区合像器）；

图6b是天面与侧面检测光学装置棱镜转像子系统的设计实施例（使用同轴外置照明和半透半反射合像器）；

图6c是天面与侧面检测光学装置棱镜转像子系统的设计实施例（使用同轴外置照明和立方分束器/合像器）；

其中7、8、9均为外置光源；

图7是本实用新型机械装配结构一视角的立体图；

图8是本实用新型机械装配结构另一视角的立体图；

图9是本实用新型的爆炸图；

图10是图9的局部视图；

图11是下夹板的立体图。

具体实施方式：

本实用新型半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置包括在光路方向上依次设置的相机1、远心成像镜头2、半透半反射合像器3、半导体晶粒6和用于承置半导体晶粒的透明载物台5，在半导体晶粒6与半透半反射合像器3之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜4b和第二直角转像棱镜4a，第一直角转像棱镜4b和第二直角转像棱镜4a位于半导体晶粒6的周侧部，第一直角转像棱镜4b和半透半反射合像器3位于远心成像镜头2的光轴a上，且半透半反射合像器3与光轴a倾斜设置，第二直角转像棱镜4a位于远心成像镜头光轴的第一侧部a1，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的两个相邻面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。

上述实施例如图2a、3a所示，图2a针对半导体晶粒天面和侧面的检测，而图3a是针对半导体晶粒底面和侧面的检测，从位置关系来区别，图3a是以图2a中半导体晶粒中心为圆心，除半导体晶粒6和透明载物台5外的部件旋转180度。

另一种实施例，上述半透半反射合像器3可以由反射透射双区合像器3a替换，如图2b、3b所示；图2b与3b的区别，也如图3a与图2a的区别。

另一种实施例，上述半透半反射合像器3可以由立方分束器3b替换。

半透半反射合像器3、反射透射双区合像器3a或立方分束器3b在照明光路中的作用为分束器，在成像光路中的作用为合像器。

半透半反射合像器3是一种常见的光学器件，通过在平板的一面镀制透射与反射比为50%：50%的分光膜；同理，立方分束器3b也是一种常见的光学器件，可在一块直角棱镜的斜面上镀制透射与反射比为50%：50%的分光膜，两块直角反射棱镜的斜面胶合而成；反射透射双区合像器3a则是在一块平板玻璃上一半区域镀制高反光膜，另一半区域镀制增透膜而成。

上述图2a所示为半导体晶粒天面与侧面同时检测的光学装置，其中半透半反射合像器在照明光路中的作用为分束器，在成像光路中的作用为合像器；图2b对应于釆用反射透射双区合像器及同轴内置照明光源的检测光学装置，该检测光学装置的天面与侧面的成像检测光路完全相同，达到完全等光程成像且等照度照明的双面同时检测。

同理，半导体晶粒的底面与侧面的检测光路也可以完全相同，只需要适当选择侧面光路中的直角转像棱镜的尺寸来补偿底面光路中的玻璃转盘（透明载物台）厚度。

图2a所示晶粒的照明光源位于半透半反射合像器的右侧，为同轴外置照明，当使用一半反射+一半透射的双区合像器时（图2b所示），晶粒的照明则采用内置同轴照明光源，这时，侧面与天面（或底面）的像分别位于合像器反射区与透射区之间分界线的两侧，半导体晶粒的尺寸检测需要获得高对比度的轮廓，通常采用与晶粒表面缺陷检测不同的照明方式，如背光照明。

如图3a，3b所示，分别为同轴外置照明与同轴内置照明的底面与侧面同时检测的光学装置，在上述半导体晶粒相邻面同时检测新的装置中，采用了相邻双面的检测光路在合像位置上的准等光程结构原理，相邻双面检测光路光程差的简单分析计算，可以得双面检测光程差与结构参数l1，l2的无关，而只与相邻双面像间距的设计参数△有关（△=a+d），即只与半导体晶粒尺寸a和设计参数d有关，其中a为物体尺寸，d为物体双面像相邻边缘之间为满足图像识别处理所需要的最小距离；当晶粒尺寸a与双像间距d较小时（通常a≤1~2mm，d≈1~2mm），双面检测光程差△也较小，且可以通过选择适当景深的远心成像镜头来补偿这一小光程差△，故认定为准等光程共焦成像检测装置，这一重要结构特性可以使双面检测的光程差更为可调控，检测系统更为实用。

本专利申请提出的相邻面检测装置可获得晶粒天面与侧面等光程成像且等照度照明的检测，对底面与天面的检测，通过适当补偿玻璃载物转盘（透明载物台）的光程与光照度损失，也可以实现等光程成像且等照度照明的检测。

本检测装置可采用背光照明的方法实现晶粒天面（或底面）与侧面的高对比度轮廓成像的尺寸检测，如图4所示，这里采用了立方分束器（在照明光路中的作用为分束器，在成像光路中的作用为合像器），便于相邻面成像检测装置前端转像子系统的光学装配与调试。

在两个工位上分别安装天面与右侧面，底面与左侧面两套检测装置，可实现晶粒四个面缺陷的同时检测以及晶粒三个尺寸的同时检测，如图5所示，同样，这里也采用了立方分束器，便于相邻面成像检测装置前端转像子系统的光学装配与调试。

本实用新型半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新方法，所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的至少两个面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过半透半反射合像器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过半透半反射合像器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距（如图2a、3a）。

进一步的，上述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过反射透射双区合像器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过反射透射双区合像器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距（如图2b、3b）。

进一步的，上述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换；工作时，被照明的半导体晶粒的侧面经过第一直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过立方分束器的透射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的左半区域上；对于半导体晶粒的天面或底面，经过第二直角转像棱镜两个直角面和斜面的90度转像，再经过立方分束器的反射，由远心成像镜头成像在相机传感器面的右半区域上；从相机的成像面上也同时得到半导体晶粒的侧面与天面或底面的像，且半导体晶粒侧面的像与半导体晶粒天面或底面的像之间相隔一个小间距（如图4、5）。

本申请相邻面检测光学装置的实施例：

1、检测装置前端棱镜转像子系统的实施例，图6a，6b，6c为天面与侧面同时检测光学装置棱镜转像子系统的设计实施例，其中光学元件3可以分别为半透半反射合像器、反射透射双区合像器或立方分束器，或者命名为半透半反射分束器/合像器、反射透射双区分束器/合像器，立方分束器/合像器，其光源根据需要可分别采用同轴内置与外置照明光源。

具体制作时，

①晶粒到远心成像镜头的工作距选择65mm，

②两块直角转像棱镜截面为直角三角形的柱形，长宽高尺寸为15×15x15mm；

③反射透射双区分束器/合像器或半透半反射分束器/合像器呈矩形板状片，其尺寸为18×15x1mm，立方分束器/合像器呈正方体，其尺寸为15x15×15mm；

④玻璃转盘（透明载物台）长45mm，厚度为6mm；

⑤天面光路：玻璃转盘天面到晶粒正上方或正下方的第二直角转像棱镜直角面的距离为7.35mm。

⑥侧面光路：玻璃转盘边缘到侧部第一直角转像棱镜直角面的距离为7.5mm。

⑦根据需要，相邻面像中心之间的间距取为△=3.0~3.5mm。

⑧晶粒侧面的水平光路与天面经90度转向后的水平光路之间的距离为14.2mm。

2、相邻面双像间距调整方法

①当半透半反射合像器位置固定不变时，如保持侧面光路的第一直角转像棱镜位置不动，沿垂直（或水平）方向调整天面光路中的第二直角转像棱镜的位置，即可改变天面像离光轴之间的距离△。

②反之，若保持天面光路的第二直角转像棱镜4a位置不动，沿水平（或垂直）方向调整侧面光路中的第一直角转像棱镜4b的位置，也可改变侧面像离光轴之间的距离△。

③或同时分别沿垂直方向与水平方向微调第一、第二直角转像棱镜，可实现相邻面双像之间的距离△改变。

3、双面检测光路工作距调整方法

①当第二直角转像棱镜4a与合像器作为一个整体同时沿重直方向上下移动时可调整天面检测光路直角面到晶粒天面的工作距。

②当第一直角转像棱镜4b与合像器作为一个整体同时沿水平方向左右移动时可调整侧面检测光路直角面到晶粒侧面（或玻璃载物转盘边缘）的工作距。

上述装置设有照明光源，照明光源位于远心成像镜头光轴的第二侧部a2，以及位于半导体晶粒的侧部和透明载物台的下方，远心成像镜头光轴的第一侧部a1与第二侧部a2是关于远心成像镜头光轴a相对（如图2a、2b、3a、3b、4和5）。

其中一种实施例如图2a、2b，上述第一直角转像棱镜4b位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜4a位于半导体晶粒的天面上方。

其中另一种实施例如图3a、3b，上述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒底面的透明载物台的下方。

本实用新型半导体晶粒相邻面同时等光程成像检测新装置的优点：

①可获得晶粒相邻面等光程成像且等照度照明的检测；

②在两个工位上分别采用两套检测装置，可实现晶粒四个面的缺陷检测与三个尺寸的检测；

③相邻面双像之间的距离大小△可调整；

④双面检测系统工作距的设计自由度不受限制；

⑤棱镜转像子系统可以装配在一个密封的机械结构里，只需露出两个待测面输入窗口和一个合像输出窗口；

⑥转像棱镜与合像器的机械装配结构简单，装配调试容易；

⑦检测装置结构紧凑，体积小，使用方便；

⑧所用光学元件均为常规的产品且尺寸较小，有低成本优势。

此外，对于图4的实施例，本申请还提出一种半导体晶粒相邻面检测前置转像棱镜子系统的机械装配结构，其包括平行相对设置的上夹板m1、下夹板m2，夹于上、下夹板之间的第一直角转像棱镜m3、第二直角转像棱镜m4和立方分束器m5，所述上夹板m1、下夹板m2的相对面上分别设有用于限位第一直角转像棱镜m3、第二直角转像棱镜m4和立方分束器m5的第一定位件m6和第二定位件m7，所述第一直角转像棱镜的第一直角面m8与立方分束器m5的第一侧面m9靠近或贴靠，所述第二直角转像棱镜m4的第一直角面m10与立方分束器的第二侧面m11相对。

上夹板m1、下夹板m2可以由金属或塑料材料制成，第一直角转像棱镜m3、第二直角转像棱镜m4和立方分束器m5由满足设计需要的光学材料制成，上夹板m1、下夹板m2的结构呈对称设置；其中m为待测晶粒，第一直角转像棱镜m3、第二直角转像棱镜m4和立方分束器m5、待测晶粒m与图4采用了不同的标号。

本申请中第一直角转像棱镜m3、第二直角转像棱镜m4和立方分束器m5形成了前置转像棱镜子系统，其与成像镜头一起构成晶粒成像检测光学系统。

进一步的，为了满足装配需要，上述上夹板、下夹板均呈拐形状，包括横向板m12和纵向板m13，其中第一定位件m6设在横向板m12上，第二定位件m7设在纵向板m13上。

进一步的，上述第一定位件m6包括设在夹板横向板表面边缘的第一长条形凸台m14；上述第二定位件包括设在纵向板表面边缘的第二长条形凸台m15，第二长条形凸台m15与第一长条形凸台m14相互垂直，在第二长条形凸台旁侧的纵向板表面上设有一斜边与第二长条形凸台呈45度夹角的斜凸台m16，使用时，将第二直角转像棱镜m4贴靠在第一长条形凸台m14的边缘，并可左右调整，将第一直角转像棱镜m3放置在第二长条形凸台m15与斜凸台m16之间，第一直角转像棱镜m3与立方分束器m5的相对位置可以事先调整好并粘接固定，从而在第一直角转像棱镜m3在第二长条形凸台m15与斜凸台m16之间确定位置后，立方分束器m5也即位于准确的位置。

进一步的，为了夹紧固定，上述上夹板、下夹板上相对设有若干个用于螺栓穿设固定的孔槽m17，通过在上夹板、下夹板上的孔槽m17内穿设螺栓，实现上夹板、下夹板与其中的第一直角转像棱镜m3、第二直角转像棱镜m4和立方分束器m5的固定。

进一步的，上述立方分束器由两个直角转像棱镜的斜面相对贴近拼合形成的正方体，在斜面上具有一半透射一半反射面，即一半透射一半反射面可以通过膜层或者涂层实现，所述第一直角转像棱镜的两个锐角部删切一截，所述第二直角转像棱镜的一个锐角部删切一截。

进一步的，为了避免磕碰，上述上夹板与下夹板之间固定有两个围板，分别为第一围板m18和第二围板m19，所述第一围板和第二围板分别由三段依次形成90度折角的不透光板体连接形成，在三段板体上的两边部的板体上分别设有用于光路穿过的窗口，该第一围板和第二围板可以通过不锈钢板冲压形成，从而起到防护、避免光学元件磕碰的作用。

进一步的，其中第一围板的一窗口m22与立方分束器的第三侧面m20相对应，第一围板的另一窗口m23与第二直角转像棱镜的第二直角面m21相对应；其中第二围板的一窗口m24与第一直角转像棱镜的第二直角面m26相对应，第二围板的另一窗口m25与立方分束器的第四侧面m27相对应，上述各通过均是为了满足光路中的光路的通过。

该半导体晶粒相邻面检测前置转像棱镜子系统的机械装配结构的优点：

①只有一个第二直角转像棱镜与一个立方分束器、第一直角转像棱镜复合形成的两个光学元件，机械装配结构简单，装配调试容易；

②相邻面双像之间的距离大小△可通过沿水平方向左右移动直角转像棱镜来微小调整；

③除了露出的窗口外，光学元件均密封装配在机械结构内，有效保障机械结构定位的精密性，支撑与装配牢固可靠。

④检测装置机械结构紧凑、体积小，使用方便。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本实用新型技术方案的精神，其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。