技术特征：
1.一种磁芯组件，包括：芯组件，所述芯组件包括，下芯件，所述下芯件具有中心部段，以及上芯件，所述上芯件具有中心部段，所述上芯件的所述中心部段与所述下芯件的所述中心部段对齐，使得形成所述芯组件的中心柱；以及功率绕组，所述功率绕组缠绕在所述中心柱周围，其中当电流被传递通过所述功率绕组时，生成功率通量密度矢量，其中所述功率通量密度矢量具有横向分量和非横向分量，并且其中与所述非横向分量相比，所述横向分量具有更高的磁阻。2.根据权利要求1所述的磁芯组件，其中所述下芯件包括下芯构件，并且所述上芯件包括上芯构件。3.根据权利要求2所述的磁芯组件，其中每个芯构件具有参考标记，所述参考标记在所述芯组件内旋转偏移，并且所述旋转偏移将所述横向分量引入到所述功率通量密度矢量。4.根据权利要求2所述的磁芯组件，其中所述下芯构件和上芯构件各自包括歪斜特征和参考标记。5.根据权利要求4所述的磁芯组件，其中对于每个芯构件，所述歪斜特征被定位在芯构件周界处，并且所述参考标记在所述芯组件内对齐。6.根据权利要求1所述的磁芯组件，其中所述下芯构件和上芯构件中的至少一个具有歪斜特征，并且所述歪斜特征将所述横向分量引入到所述功率通量密度矢量。7.根据权利要求6所述的磁芯组件，其中所述歪斜特征是截削拐角。8.根据权利要求6所述的磁芯组件，其中所述中心柱包括所述歪斜特征。9.根据权利要求8所述的磁芯组件，其中所述歪斜特征包括螺旋状部。10.根据权利要求8所述的磁芯组件，其中所述歪斜特征包括所述中心柱的表面上的凹槽。11.一种磁饱和检测器，所述磁饱和检测器包括根据权利要求1所述的磁芯组件，所述磁饱和检测器还包括：横向绕组，垂直于所述功率绕组，其中来自所述磁芯组件的横向分量在所述横向绕组上产生横向电压波形；以及电压检测电路，被配置为接收所述横向电压波形并且检测所述横向电压波形的斜率的符号的变化，其中所述斜率的符号的变化指示磁饱和。12.根据权利要求11所述的磁饱和检测器，其中所述中心柱具有开孔，并且所述横向绕组被定位在所述开孔内。13.根据权利要求12所述的磁饱和检测器，其中所述下芯构件和所述上芯构件中的每个各自包括具有参考标记的芯构件，其中所述参考标记在所述芯组件内旋转偏移，并且其中所述旋转偏移将横向分量引入到所述功率通量密度矢量。14.根据权利要求12所述的磁饱和检测器，其中所述下芯构件和所述上芯构件各自包括具有歪斜特征和参考标记的芯构件，其中所述
参考标记在所述芯组件内对齐，并且所述歪斜特征将横向分量引入到所述功率通量密度矢量。15.根据权利要求14所述的磁饱和检测器，其中所述歪斜特征被定位在所述中心柱处，并且选自由螺旋状部和表面凹槽组成的组。16.根据权利要求14所述的磁饱和检测器，其中对于每个芯构件，所述歪斜特征被定位在所述芯构件的周界处。17.根据权利要求16所述的磁饱和检测器，其中所述歪斜特征是截削拐角。18.一种电源，所述电源包括根据权利要求12所述的磁饱和检测器，所述电源包括：参考输出的控制器，被耦合到所述磁芯组件并且被配置为感测输出感测信号、将所述输出感测信号与参考值进行比较以及生成开关信号；以及参考输入的控制器，被耦合到所述磁芯组件并且被配置为产生驱动信号。
技术总结
本文公开了一种包括将横向分量引入到功率通量密度矢量中的歪斜特征的磁芯组件。磁芯组件包括具有中心部段的下芯和具有中心部段的上芯。中心部段被对齐以形成中心柱。接收电流的功率绕组缠绕在中心柱周围。芯组件还包括具有横向分量和非横向分量的功率通量密度矢量。与非横向分量相比，横向分量具有更高的磁阻。当组件与横向绕组一起使用时，来自磁芯组件的横向分量在横向绕组上产生横向电压波形。可以观察横向电压波形以检测横向电压波形的斜率的符号的变化。斜率的符号的变化指示磁饱和。和。和。
技术研发人员：W
受保护的技术使用者：电力集成公司
技术研发日：2020.08.17
技术公布日：2022/3/18