位移传感器的制作方法

文档序号:27008459发布日期:2021-10-19 23:08阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种位移传感器,包括:光投射元件,用于投射光;金属壳体,其包括透射光的透射窗;第一保持部,其接合至光学基部,用于保持所述光投射元件,所述光学基部是所述金属壳体的一部分;光投射透镜,其固定至所述光学基部,汇聚从所述光投射元件投射的光以形成投射光光斑,并且使所述光通过所述透射窗照射在检测区域上;光接收透镜,其固定至所述光学基部,并且会聚来自所述检测区域的光以在所述检测区域中形成所述投射光光斑的图像;摄像元件,用于拍摄所述光接收透镜所形成的所述检测区域中的投射光光斑的图像,并根据接收光的强度生成光接收信号;第二保持部,其接合至保持所述摄像元件的光学基部;以及测量部,用于基于来自所述摄像元件的光接收信号来识别所述摄像元件中的投射光光斑的位置,并且基于所识别出的投射光光斑的位置来测量待检测对象的位移,其中,所述光投射元件和所述摄像元件通过陶瓷材料与所述光学基部绝缘,以及所述第一保持部和所述第二保持部分别接合至所述光学基部。2.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,所述第一保持部和所述第二保持部各自由陶瓷模制品制成,以及所述光投射元件和所述摄像元件通过所述陶瓷模制品与所述光学基部电绝缘。3.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,所述光学基部是金属模制品,保持所述光投射透镜的第一透镜保持部和保持所述光接收透镜的第二透镜保持部与所述光学基部一体地模制,所述光投射透镜利用附着剂固定至所述第一透镜保持部,以及所述光接收透镜利用附着剂固定至所述第二透镜保持部。4.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,通过并入所述光学组件而模块化的所述光学基部被焊接至所述金属壳体的主壳体。5.根据权利要求4所述的位移传感器,其中,所述主壳体用作具有侧开口的主壳体,以及所述光学基部用作覆盖所述主壳体的侧开口的盖构件。6.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,所述第一保持部具有至少两个工作孔,以及在所述光学基部上形成平坦表面,所述平坦表面与所述第一保持部所定位于的可调整范围相对应。7.根据权利要求6所述的位移传感器,其中,所述第二保持部具有至少两个工作孔,以及所述平坦表面与所述第一保持部和所述第二保持部所定位于的可调整范围相对应。8.根据权利要求7所述的位移传感器,其中,第一多个带接合至所述第一保持部的底面,并且所述第一多个带限定所述第一保持部
接合至所述光学基部的附着剂填充区域,所述第一多个带形成所述第一保持部与所述光学基部之间的间隔物,第二多个带接合至所述第二保持部的底面,并且所述第二多个带限定所述第二保持部接合至所述光学基部的附着剂填充区域,所述第二多个带形成所述第二保持部与所述光学基部之间的间隔物。9.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,所述第二保持部具有至少两个工作孔,以及在所述光学基部上形成平坦表面,所述平坦表面与所述第二保持部所定位于的可调整范围相对应。10.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,镜筒设置在所述光投射元件与所述光投射透镜之间,以及所述镜筒由柔性构件制成。11.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,第一多个带接合至所述第一保持部的底面,并且所述第一多个带限定第一保持部接合至所述光学基部的附着剂填充区域,以及所述第一多个带形成所述第一保持部与所述光学基部之间的间隔物。12.根据权利要求1或11所述的位移传感器,其中,第二多个带接合至所述第二保持部的底面,并且所述第二多个带限定所述第二保持部接合至所述光学基部的附着剂填充区域,以及所述第二多个带形成所述第二保持部与所述光学基部之间的间隔物。13.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,镜设置在所述光接收透镜与所述摄像元件之间,用于保持所述镜的镜保持部与所述光学基部一体地模制,以及所述镜接合至所述镜保持部。14.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,操作指示灯配置在所述光投射透镜与所述光接收透镜之间。15.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,距离越短,所述摄像元件的像素宽度越大,以及距离越长,所述摄像元件的像素宽度越小。16.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,所述光投射透镜由准直透镜或者准直透镜和柱面透镜的组合构成。17.根据权利要求1所述的位移传感器,其中,所述第一保持部是陶瓷模制品。18.根据权利要求1或17所述的位移传感器,其中,所述第二保持部是陶瓷模制品。

技术总结
提供了具有允许进一步小型化的模块化结构的位移传感器。头部的壳体由主壳体和盖构件构成,主壳体和盖构件都是由金属材料制成的精密模制品。接合光投射部的第一保持部和接合光接收部的第二保持部分别定位在并接合至盖构件。该工作由安装装置进行。诸如光投射透镜等的光学组件也接合至盖构件,并且通过并入这种光学组件而模块化的盖构件被组装并焊接至主壳体。壳体。壳体。


技术研发人员:叶田壮兵 大津信一郎 吴哲庸
受保护的技术使用者:株式会社基恩士
技术研发日:2021.04.09
技术公布日:2021/10/18
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