1.一种半导体结构的覆盖层剥除方法，所述半导体结构包括覆盖层（320）以及覆盖层（320）上方的主体（310），所述主体（310）与所述覆盖层（320）的连接面为失效检测面，其特征在于，所述半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：
s1.提供承载基板（100）；
s2.将多个半导体结构固定连接在所述承载基板（100）的上表面，且半导体结构的覆盖层（320）位于主体（310）的上方；
s3.自上而下，对承载基板（100）上的半导体结构的覆盖层（320）进行离子注入，然后对离子注入后的覆盖层（320）进行加热，以使覆盖层（320）上的离子注入区域（330）破裂；去除破裂残渣；
s4.对剩余在主体（310）上的部分覆盖层（320）进行研磨，以完全去除覆盖层（320）。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述承载基板（100）的上表面上设置有多个定位凹槽（110），所述定位凹槽（110）用于容纳所述半导体结构的主体（310），且所述定位凹槽（110）的深度小于或者等于所述主体（310）的高度。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述定位凹槽（110）的侧方设置有辅助结构（120），所述辅助结构（120）位于所述承载基板（100）的上表面，所述辅助结构（120）的最高点平齐于或者低于所述半导体结构的覆盖层（320）与主体（310）的连接面；
沿所述承载基板（100）的上表面，所述辅助结构（120）与所述定位凹槽（110）的侧壁之间间隔设置，所述辅助结构（120）和主体（310）之间通过粘结剂（200）连接。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述辅助结构（120）位于所述定位凹槽（110）的四周。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述粘结剂（200）的材料为受热可去除的材料。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述步骤s3中，采用氢离子进行离子注入，氢离子注入的加速电压为50kv-500kv，剂量为3x1016/cm2-6x1016/cm2；
对离子注入后的覆盖层（320）进行加热的温度为500℃-700℃。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述半导体结构的覆盖层剥除方法包括在所述步骤s4前进行的步骤：
重复进行n次步骤s3，n为大于等于1的整数。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述半导体结构的覆盖层剥除方法还包括所在所述步骤s4之后进行的步骤：
对去除覆盖层（320）后的主体（310）的失效检测面进行抛光。
9.一种半导体结构失效分析方法，其特征在于，所述半导体结构失效分析方法包括权利要求1-8任意一项所述的半导体结构的覆盖层剥除方法。
10.根据权利要求9所述的半导体结构失效分析方法，其特征在于，所述半导体结构失效分析方法包括如下步骤：
待处理的半导体结构的材料为砷化镓；
把去除掉覆盖层（320）的半导体结构置于近红外光学显微镜下，通过探针对其施加电流，通过电荷耦合器件捕捉发光区域与不发光区域，所述不发光区域为失效区域。