技术特征：
1.一种智能设备adc芯片瞬态干扰耦合叠加试验系统，其特征在于，包括：干扰源(1)、待测试的变电站智能设备adc芯片(4)、加量设备(5)和监控设备(6)、变电站智能设备adc芯片板卡(7)和上位机(9)，其中所述干扰源(1)用于向所述变电站智能设备adc芯片(4)注入或者耦合不同等级的瞬态电磁脉冲；所述加量设备(5)与所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的加量端口连接，用于为所述变电站智能设备adc芯片(4)提供模拟量；所述监控设备(6)与所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的监控端口连接，用于监测所述变电站智能设备adc芯片(4)的工作波形数据；以及所述上位机(9)与所述监控设备(6)连接，用于根据从所述监控设备(6)获取的所述工作波形数据，判断所述变电站智能设备adc芯片(4)的是否受到所述瞬态电磁脉冲的干扰。2.根据权利要求1所述的智能设备adc芯片瞬态干扰耦合叠加试验系统，其特征在于，还包括示波器(3)，所述示波器(3)与所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的电源端口连接，用于显示接入所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的叠加信号的波形，其中所述叠加信号为接入所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的供电信号和瞬态电磁脉冲信号的叠加。3.根据权利要求1所述的智能设备adc芯片瞬态干扰耦合叠加试验系统，其特征在于，所述干扰源(1)中的耦合去耦网络输出端口与所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的电源端口连接。4.根据权利要求1所述的智能设备adc芯片瞬态干扰耦合叠加试验系统，其特征在于，还包括与所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)的电源端口连接的耦合夹(2)，并且所述干扰源(1)中的耦合去耦网络输出端口与所述耦合夹(2)。5.根据权利要求1所述的智能设备adc芯片瞬态干扰耦合叠加试验系统，其特征在于，还包括adc芯片板卡供电电源(8)，用于为所述变电站智能设备adc芯片板卡(7)供电。6.一种智能设备adc芯片瞬态干扰耦合叠加试验方法，其特征在于，包括：搭建待测试的变电站智能设备adc芯片的测试环境；为试验所需的各个设备上电，使得所述变电站智能设备adc芯片正常工作；向所述变电站智能设备adc芯片注入或者耦合不同等级的瞬态电磁脉冲；以及根据获取到的所述变电站智能设备adc芯片的监测数据，判断所述变电站智能设备adc芯片受到的电磁干扰程度，其中所述监测数据为所述变电站智能设备adc芯片的工作波形数据。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，搭建所述变电站智能设备adc芯片的测试环境的操作，包括：将示波器与变电站智能设备adc芯片板卡的电源端口相连接；并且向所述变电站智能设备adc芯片注入或者耦合不同等级的瞬态电磁脉冲的操作，包括：启动所述示波器，并根据监测到的示波器波形调整干扰源的工作电压等级，以将不同等级的瞬态电磁脉冲注入或者耦合到所述电源端口。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，向所述变电站智能设备adc芯片注入或者耦合不同等级的瞬态电磁脉冲的操作，包括：由干扰源向所述变电站智能设备adc芯片板卡的电源端口注入或者耦合瞬态电磁脉
冲，其中注入或者耦合瞬态电磁脉冲的方式包括单一瞬态电磁脉冲注入/耦合方式与多重瞬态电磁脉冲注入/耦合叠加方式；并且当需要模拟的电磁干扰形式为单一干扰源时采用单一瞬态电磁脉冲注入/耦合方式，当需要模拟的电磁干扰形式为多重干扰源时采用多重瞬态电磁脉冲注入/耦合叠加方式。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述单一瞬态电磁脉冲注入/耦合叠加方式包括：将单一瞬态电磁脉冲通过所述干扰源的耦合去耦网络脉冲输出端口与所述电源端口进入所述变电站智能设备adc芯片板卡或者将单一瞬态电磁脉冲通过所述干扰源的耦合去耦网络脉冲输出端口与耦合夹耦合到所述电源端口；以及所述多重瞬态电磁脉冲注入/耦合叠加方式包括：将多重瞬态电磁脉冲通过所述干扰源的耦合去耦网络脉冲输出端口与所述电源端口进入所述变电站智能设备adc芯片板卡或者将多重瞬态电磁脉冲通过所述干扰源的耦合去耦网络脉冲输出端口与所述耦合夹耦合到所述电源端口。10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据获取到的所述变电站智能设备adc芯片的监测数据，判断所述变电站智能设备adc芯片受到的电磁干扰程度的操作，包括：判断电磁干扰测试设备监测的所述变电站智能设备adc芯片的工作波形数据的波形畸变率是否在正常阈值范围内；若在正常阈值范围内，则判定为所述变电站智能设备adc芯片未受到干扰；否则，判定为所述变电站智能设备adc芯片受到干扰。
技术总结
本发明公开了一种智能设备ADC芯片瞬态干扰耦合叠加试验系统及方法。其中，该方法包括搭建待测试的变电站智能设备ADC芯片的测试环境；为试验所需的各个设备上电，使得变电站智能设备ADC芯片正常工作；向变电站智能设备ADC芯片注入或者耦合不同等级的瞬态电磁脉冲；以及根据获取到的变电站智能设备ADC芯片的监测数据，判断变电站智能设备ADC芯片受到的电磁干扰程度，其中监测数据为变电站智能设备ADC芯片的工作波形数据。芯片的工作波形数据。芯片的工作波形数据。
技术研发人员：赵明敏 杨志超 林珊珊 赵鹏 鞠勇
受保护的技术使用者：国家电网有限公司
技术研发日：2021.08.06
技术公布日：2021/12/2