一种激光雷达系统的制作方法

文档序号:27975622发布日期:2021-12-15 00:16阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种激光雷达系统,其特征在于,包括:半导体激光器,所述半导体激光器包括有源层;窄带滤光片,所述窄带滤光片包括布拉格反射镜层和芯层,所述半导体激光器出射的激光适于透过所述窄带滤光片;所述有源层、布拉格反射镜层和芯层的材料均为三五族半导体材料。2.根据权利要求1所述的激光雷达系统,其特征在于,所述布拉格反射镜层包括间隔的第一布拉格反射镜层至第n+1布拉格反射镜层;所述芯层包括间隔的第一芯层至第n芯层,n为大于等于1的整数;第k芯层设置在第k布拉格反射镜层与第k+1布拉格反射镜层之间,k为大于等于1小于或等于n的整数。3.根据权利要求2所述的激光雷达系统,其特征在于,第n布拉格反射镜层包括交替依次层叠的第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层的折射率不同于第二半导体层的折射率,所述第一半导体层与所述第二半导体层的折射率的差值为0.1-0.6。4.根据权利要求3所述的激光雷达系统,其特征在于,所述第一半导体层的折射率为2.8-3.15;所述第二半导体层的折射率为3.15-3.5。5.根据权利要求2、3或4所述的激光雷达系统,其特征在于,所述第一半导体层的材料为al
x
ga
1-x
as,x=0-0.2;所述第二半导体层的材料为al
y
ga
1-y
as,y=0.8-1;第一芯层至第n-芯层的材料为al
z
ga
1-z
as,z=0-1。6.根据权利要求2所述的激光雷达系统,其特征在于,第一芯层至第n-1芯层的光学厚度均为所述半导体激光器在工作温度出射的激光的波长的四分之一的整数倍。7.根据权利要求3所述的激光雷达系统,其特征在于,第n布拉格反射镜层中,所述第一半导体层的层数为m,所述第二半导体层的层数为m-1,m为5-15。8.根据权利要求2所述的激光雷达系统,其特征在于,所述滤光片还包括:位于所述第一布拉格反射镜层背离所述第一芯层的一侧表面的第一增透膜;位于第n+1布拉格反射镜层背离第n芯层的一侧表面的第二增透膜;优选的,所述第一增透膜的材料包括氮化硅或氧化硅;所述第二增透膜的材料包括氮化硅或氧化硅;优选的,所述第一增透膜和所述第二增透膜的光学厚度均为所述半导体激光器在工作温度出射的激光的波长的四分之一。9.根据权利要求1所述的激光雷达系统,其特征在于,所述窄带滤光片的带宽范围为5nm-15nm。10.根据权利要求1所述的激光雷达系统,其特征在于,还包括:分光模块和扫描模块,所述半导体激光器、分光模块和扫描模块位于第一轴线上,所述第一轴线与所述分光模块的法线形成第一夹角;激光汇聚模块和探测模块,所述分光模块、窄带滤光片、激光汇聚模块和探测模块位于第二轴线上,所述第一轴线与第二轴向分别位于所述分光模块的法线的两侧,所述第二轴线与所述分光模块的法线形成第二夹角,所述第一夹角与第二夹角相同。

技术总结
本发明提供一种激光雷达系统,包括:半导体激光器,所述半导体激光器包括有源层;窄带滤光片,所述窄带滤光片包括布拉格反射镜层和芯层,所述半导体激光器出射的激光适于透过所述窄带滤光片;所述有源层、布拉格反射镜层和芯层的材料均为三五族半导体材料。即使发生温度变化,所述半导体激光器出射的激光依旧能够透过所述窄带滤光片,因此无需设置温度控制器以控制所述半导体激光器的温度;同时,所述窄带滤光片的滤光范围较小,这使得除了半导体激光器出射的激光之外的大部分波段的光很难透过所述窄带滤光片,从而提高了系统的信噪比,有利于提高检测的灵敏度。有利于提高检测的灵敏度。有利于提高检测的灵敏度。


技术研发人员:赵润 邱平平 王俊 赵武 刘恒
受保护的技术使用者:苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
技术研发日:2021.09.10
技术公布日:2021/12/14
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