技术特征：
1.一种量子点残留检测电路，其特征在于，包括：检测结构、待测单元和初始化单元；所述检测结构设置在显示面板的量子点发光层的前层，并连接所述待测单元的控制端；所述检测结构，用于与制作所述量子点发光层过程中所述检测结构上残留的量子点进行电荷转移；所述初始化单元连接所述待测单元的控制端以及被配置为接入初始化电压，所述初始化单元用于初始化所述待测单元的控制端电压；所述待测单元的输入端被配置为接入测试电压，所述待测单元中的电流变化大小用于表征所述检测结构上的量子点残留密度。2.根据权利要求1所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述待测单元包括至少一待测晶体管；所述待测晶体管的栅极分别与所述初始化单元和所述检测结构连接，所述待测晶体管的源极被配置为接入所述测试电压。3.根据权利要求2所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述初始化单元包括至少一电容；所述电容连接所述待测晶体管的栅极，所述电容连接所述待测晶体管栅极的一端被配置为接入初始化电压。4.根据权利要求1所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述检测结构为环形结构，并位于所述量子点发光层的前层边缘。5.根据权利要求1-4中任一所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述检测结构、待测单元和初始化单元设置在所述显示面板的玻璃基板。6.根据权利要求1所述的量子点残留检测电路，其特征在于，还包括：至少一辅助测试晶体管；所述辅助测试晶体管与所述待测单元串联，所述辅助测试晶体管的栅极被配置为接入测试控制信号，所述测试控制信号用于控制所述辅助测试晶体管允许通过的最大电流。7.根据权利要求1所述的量子点残留检测电路，其特征在于，还包括补偿单元，所述补偿单元连接所述待测单元，所述补偿单元被配置为对所述待测单元的电流进行补偿。8.根据权利要求7所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述补偿单元包括：电流补偿电路，所述电流补偿电路的输出端连接所述待测单元的输入端，所述电流补偿电路被配置为在所述待测单元的控制端电压初始化时，向所述待测单元输出恒定电流。9.根据权利要求8所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述电流补偿电路包括：第一开关和第二开关；所述第一开关的第一连接端被配置为接入所述初始化电压，所述第一开关的第二连接端连接所述待测单元的控制端；所述第二开关的第一连接端被配置为接入恒定电流，所述第二开关的第二连接端连接所述待测单元的输入端，所述第一开关和所述第二开关开启或关闭的时序相同。10.根据权利要求7所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述补偿单元包括：电压补偿电路，所述电压补偿电路的输入子电路连接所述待测单元的输入端，所述电压补偿电路的充电子电路的两端分别连接所述待测单元的输出端和控制端。11.根据权利要求10所述的量子点残留检测电路，其特征在于，所述输入子电路包括第三开关，所述第三开关的输入端被配置为接入补偿电压，所述第三开关的输出端连接所述待测单元的输入端；所述充电子电路包括第四开关，所述第四开关的输入端连接所述待测单元的输出端，所述第四开关的输出端连接所述待测单元的控制端，所述第三开关和所述
第四开关的开启或关闭时序相同。12.一种量子点残留检测方法，其特征在于，应用于权利要求1-11中任一所述的量子点残留检测电路，所述方法包括：接入初始化电压对初始化单元进行充电，以使待测单元控制端的电压初始化，并获取所述待测单元中的第一电流；断开所述初始化电压并接入测试电压，开启预设的激发光源照射所述检测结构，获取所述待测单元中的第二电流；其中，所述检测结构上残留的量子点在所述激发光源的照射下与所述检测结构之间发生电荷转移；根据所述第一电流和第二电流，获得所述检测结构上的量子点残留密度。13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-11中任一所述的量子点残留检测电路。14.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在制作所述显示面板的量子点发光层之前，制作空穴传输层和检测结构；在所述空穴传输层和所述检测结构上覆盖量子点材料，并在所述空穴传输层上形成量子点发光层；其中，所述检测结构上方的量子点材料在制作所述量子点发光层的过程中被刻蚀或剥离；所述检测结构，用于与制作所述量子点发光层过程中所述检测结构上残留的量子点进行电荷转移。15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述在制作所述显示面板的量子点发光层之前，制作空穴传输层和检测结构，包括：形成所述空穴传输层和围绕所述空穴传输层的检测结构。
技术总结
本发明公开了一种量子点残留检测电路、显示面板及制作方法，其中量子点残留检测电路包括：检测结构、待测单元和初始化单元；检测结构设置在显示面板的量子点发光层的前层，并连接待测单元的控制端；检测结构，用于与制作所述量子点发光层过程中检测结构上残留的量子点进行电荷转移；初始化单元连接待测单元的控制端以及被配置为接入初始化电压，初始化单元用于初始化所述待测单元的控制端电压；待测单元的输入端被配置为接入测试电压，待测单元中的电流变化大小用于表征检测结构上的量子点残留密度。本发明的量子点残留检测电路可实现对量子点发光层的前层的量子点残留情况进行准确检测。确检测。确检测。
技术研发人员：孙拓 周超
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.10.19
技术公布日：2022/1/21