一种集成电路固晶胶水厚度测量方法与流程

1.本发明涉及固晶胶水厚度测量领域，具体为一种集成电路固晶胶水厚度测量方法。


背景技术：

2.集成电路封装过程中，固晶工序使用固晶胶将芯片粘接在引线框架基岛上。固晶胶能够强力固定芯片，键合工序在此基础上进行超声波键合作业。上述过程中，固晶胶厚度具有重要作用。一方面对集成电路的电性能、散热性能有直接影响；另一方面对集成电路使用过程中的分层及后续的可靠性能方面有巨大的影响。
3.成品集成电路试验分析中，对固晶胶厚度测量，一般方法是将集成电路切割、打磨、抛光至镜面，在1000倍显微镜下对集成电路切面进行观察和直接测量。上述方法对试验过程及设备要求较高，试验周期长，一般企业难以满足试验要求。通过实际问题分析和方法研究，探寻出基岛剥离固晶胶测量方法，具有快速、精确、安全的特点，能够在集成电路生产控制及可靠性分析中得到广泛应用，为此我们提出了一种集成电路固晶胶水厚度测量方法。


技术实现要素：

4.(一)解决的技术问题
5.针对现有技术的不足，本发明提供了一种集成电路固晶胶水厚度测量方法，解决了上述的问题。
6.(二)技术方案
7.为实现上述所述目的，本发明提供如下技术方案：一种集成电路固晶胶水厚度测量方法，包括以下步骤：
8.s1：使用激光开盖机，激光去掉集成电路底部塑封体，漏出基岛；
9.s2：用工具去掉集成电路底部基岛，漏出固晶胶；
10.用热风枪对基岛的边缘吹风，热风枪的温度保持在一百二十度以上，且在吹动过程中，需要沿着基岛与塑封体的连接处缓慢摆动热风枪的枪头，让枪头对基岛与塑封体的连接处进行均匀的加热，加热过程中可以用镊子轻轻的戳塑封体，查看塑封体是否软化，如果没有明显软化，还需要继续进行吹风加热，完全软化的话，用镊子沿着基岛与塑封体的连接处轻轻划开纹理，然后再用镊子捏住基道的一个拐角，沿着基岛与塑封体的连接处轻轻的将基岛掀起，将基岛取出，露出固晶胶。
11.s3：用工具去掉集成电路芯片底部固晶胶，漏出芯片底部；
12.在取出基岛之后，应该要立刻对固晶胶进行加热，由于此前对基岛的加热，此时固晶胶也会出现软化，因此此时对固晶胶加热清理，会更加容易。
13.用热风枪吹固晶胶区域，热风枪温度保持在一百二十度以上，吹风时间需要保持在三分钟以上，等待硬质的固晶胶完全软化之后，首先用特制细小工具将中间区域的固晶
胶向中间集中，直到剩余的所有固晶胶全部聚集到中间区域，然后用镊子夹取沾有酒精的棉花，将剩余的固晶胶全部清理干净，最终露出芯片。
14.去除引线框架基岛和芯片底部固晶胶后，漏出芯片底部与线框架基岛接触底部塑封面。
15.s4：使用光学测量显微镜，测量芯片底部与塑封体位置的高度差，得到样品固晶胶厚度值。
16.使用光学高倍测量显微镜，分别对焦到芯片背面及基岛底部塑封料表面，计算这两者的高度差值，得到试验样品的固晶胶厚度值。
17.测量出芯片背面及基岛底部塑封料表面之间的间距之后，即得到了固晶胶的厚度，根据固晶胶的厚度进行对应验证以及查询。
18.(三)有益效果
19.与现有技术相比，本发明提供了一种集成电路固晶胶水厚度测量方法，具备以下有益效果：
20.1、该集成电路固晶胶水厚度测量方法，现有的成品集成电路试验分析中，对固晶胶厚度测量，一般方法是将集成电路切割、打磨、抛光至镜面，在1000倍显微镜下对集成电路切面进行观察和直接测量，本方案与起进行对比可快速、大量的进行固晶胶厚度测量，排查固晶胶厚度原因造成的产线失效问题，且操作上更加便捷快速。
21.2、该集成电路固晶胶水厚度测量方法，本专利通过试验方法重新设计，利用现有测量设备原因，可以有效减少试验中的设备投入及专业人员及培训成本。
22.3、该集成电路固晶胶水厚度测量方法，本专利通过试验方法重新设计，减少现有技术切割、打磨、抛光试验流程，提高单次试验效率。
23.4、该集成电路固晶胶水厚度测量方法，本专利通过试验方法重新设计，通过单次试验对芯片底部所有位置的固晶胶厚度进行测量，提高试验数据采集效率。
24.3、该集成电路固晶胶水厚度测量方法，现有的固晶工序的固晶胶厚度测量是间接测量，并且固晶胶固化后存在厚度变化，而本方案提出的测量方式，是直接测量固化后的厚度，没有误差，精度更高。
附图说明
25.图1为集成电路示意图；
26.图2为集成电路去除下方塑封体示意图；
27.图3为集成电路去除基岛示意图；
28.图4为集成电路去除固晶胶示意图。
29.图中：1、塑封体；2、芯片；3、固晶胶；4、基岛；5、管脚。
具体实施方式
30.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
31.请参阅图1-4，一种集成电路固晶胶水厚度测量方法，包括以下步骤：
32.s1：使用激光开盖机，激光去掉集成电路底部塑封体1，漏出基岛4；
33.s2：用工具去掉集成电路底部基岛4，漏出固晶胶3；
34.用热风枪对基岛4的边缘吹风，热风枪的温度保持在一百二十度以上，且在吹动过程中，需要沿着基岛4与塑封体1的连接处缓慢摆动热风枪的枪头，让枪头对基岛4与塑封体1的连接处进行均匀的加热，加热过程中可以用镊子轻轻的戳塑封体1，查看塑封体1是否软化，如果没有明显软化，还需要继续进行吹风加热，完全软化的话，用镊子沿着基岛4与塑封体1的连接处轻轻划开纹理，然后再用镊子捏住基道的一个拐角，沿着基岛4与塑封体1的连接处轻轻的将基岛4掀起，将基岛4取出，露出固晶胶3。
35.s3：用工具去掉集成电路芯片底部固晶胶3，漏出芯片2底部；
36.在取出基岛4之后，应该要立刻对固晶胶3进行加热，由于此前对基岛的加热，此时固晶胶3也会出现软化，因此此时对固晶胶3加热清理，会更加容易。
37.用热风枪吹固晶胶3区域，热风枪温度保持在一百二十度以上，吹风时间需要保持在三分钟以上，等待硬质的固晶胶3完全软化之后，首先用镊子将中间区域的固晶胶3向中间集中，直到剩余的所有固晶胶3全部聚集到中间区域，然后用镊子夹取沾有酒精的棉花，将剩余的固晶胶3全部清理干净，最终露出芯片2。
38.去除引线框架基岛4和芯片2底部固晶胶3后，漏出芯片2底部与线框架基岛4接触底部塑封面。
39.s4：使用光学测量显微镜，测量芯片2底部与塑封体1位置的高度差，得到样品固晶胶厚度值。
40.使用光学高倍测量显微镜，分别对焦到芯片2背面及基岛4底部塑封料表面，计算这两者的高度差值，得到试验样品的固晶胶厚度值。
41.测量出芯片2背面及基岛4底部塑封料表面之间的间距之后，即得到了固晶胶3的厚度，根据固晶胶3的厚度进行对应验证以及查询。.
42.现有的成品集成电路试验分析中，对固晶胶厚度测量，一般方法是将集成电路切割、打磨、抛光至镜面，在1000倍显微镜下对集成电路切面进行观察和直接测量，本方案与起进行对比可快速、大量的进行固晶胶厚度测量，排查固晶胶厚度原因造成的产线失效问题，且操作上更加便捷快速。
43.本专利通过试验方法重新设计，利用现有测量设备原因，可以有效减少试验中的设备投入及专业人员及培训成本。
44.本专利通过试验方法重新设计，减少现有技术切割、打磨、抛光试验流程，提高单次试验效率。
45.本专利通过试验方法重新设计，通过单次试验对芯片底部所有位置的固晶胶厚度进行测量，提高试验数据采集效率。
46.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。