检测设备的制作方法

1.本技术涉及工业检测技术领域，特别涉及一种检测设备。


背景技术：

2.在对半导体进行光学检测时，激光是一种常用的光源，且随着光学检测设备灵敏度的提升与吞吐量的提高，采用更大功率及更短波长的大功率深紫外工业级激光器作为光源具有一定的优势。在利用光学检测设备对半导体进行缺陷检测的过程中，激光投射在半导体的缺陷上，缺陷产生的反射或散射信号会被设定好角度的探测器接收，再进行信号处理，完成缺陷检测。但对于波长短(单光子能量高)且功率大的激光器作为光源的情况下，激光打在半导体上，有可能会将半导体上的某些特殊缺陷(例如疏松的大尺寸有机物颗粒缺陷)扫炸开，扫炸开后的特殊缺陷会产生污染物，导致其周围的区域被污染，半导体的良率降低。


技术实现要素：

3.本技术实施方式提供了一种检测设备。
4.本技术实施方式的检测设备用于检测待测样品，所述检测设备包括：
5.光源装置，所述光源装置包括第一光源与第二光源，所述第一光源向所述样品投射光信号以形成第一光斑，所述第二光源向所述样品投射光信号以形成第二光斑，所述第一光斑的光功率小于所述第二光斑的光功率；
6.探测装置，所述探测装置接收由所述样品反射或散射的所述第一光斑生成第一检测信息，所述第一检测信息用于确定所述样品的特征对象所在的位置；及
7.承载装置，所述承载装置承载所述样品，所述承载装置带动所述样品相对所述第一光斑及所述第二光斑运动，其中，在所述第二光斑照射至所述特征对象所在的位置时，降低投射至所述特征对象的所述第二光斑的光功率密度。
8.在某些实施方式中，所述第一光源用于向所述样品投射光信号以形成第一光斑，所述承载装置用于带动所述样品相对于所述第一光斑运动，以使所述第一光斑扫描所述样品的待测区域以确定所述第一检测信息，所述第二光源用于在依据所述第一检测信息确定所述样品的所有特征对象所在的位置后，向所述样品投射光信号以形成第二光斑，以使所述探测装置根据所述第二光斑对所述样品的待测区域进行检测。
9.在某些实施方式中，所述光源装置向所述样品投射光信号以同时形成第一光斑及第二光斑，所述承载装置用于带动所述样品相对所述第一光斑及所述第二光斑同时运动，对于所述样品上的任意位置，均先由所述第一光斑照射后，再由所述第二光斑照射。
10.在某些实施方式中，所述承载装置用于带动所述样品绕旋转中心旋转，所述第一光斑与所述第二光斑与所述旋转中心的距离相等，沿所述样品的旋转方向，所述第一光斑位于所述第二光斑的面向所述样品的旋转方向一侧。
11.在某些实施方式中，所述承载装置用于带动所述样品绕旋转中心旋转；
12.所述第一光斑及所述第二光斑从所述样品的边缘逐渐向所述旋转中心扫描，在同一时刻，所述第一光斑相较所述第二光斑靠近所述旋转中心；或
13.所述第一光斑及所述第二光斑从所述旋转中心逐渐向所述样品的边缘扫描，在同一时刻，所述第一光斑相较所述第二光斑远离所述旋转中心。
14.在某些实施方式中，所述光源装置包括发光件及分光件，所述发光件用于发出光信号，所述分光件用于对所述光信号分束并投射至所述样品以分别形成所述第一光斑及所述第二光斑；或
15.所述光源装置至少包括第一发光件及第二发光件，所述第一发光件用于投射光信号以形成所述第一光斑，所述第二发光件用于投射光信号以形成所述第二光斑。
16.在某些实施方式中，所述检测设备包括遮光装置，所述遮光装置用于在所述第二光斑扫描至所述特征对象所在的位置时，遮挡至少部分所述第二光源投射的光信号以阻止形成所述第二光斑。
17.在某些实施方式中，所述检测设备包括衰减装置，所述衰减装置用于在所述第二光斑扫描至所述特征对象所在的位置时，衰减至少部分所述第二光源投射的光信号，以衰减所述第二光斑的光功率。
18.在某些实施方式中，所述承载装置用于在所述第二光斑扫描至所述特征对象所在的位置时，带动所述样品沿所述第二光斑的投射方向运动，以降低所述第二光斑的光功率密度。
19.在某些实施方式中，在所述第二光斑照射的位置不与所述特征对象所在的位置重合时，恢复投射至所述特征对象的所述第二光斑的光功率密度至初始光功率密度。
20.本技术实施方式的检测设备中，探测装置先接收样品反射或散射的第一光斑生成第一检测信息，依据第一检测信息确定特征对象所在的位置，在光功率较大的第二光斑照射到特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度，避免特征对象在第二光斑的照射下炸开(解体)，进而避免炸开的特征对象对样品产生污染，提高样品的良率。
21.本技术实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
22.本技术的上述和/或附加的方面和优点可以从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
23.图1为本技术某些实施方式的检测设备的平面结构示意图；
24.图2为本技术某些实施方式的光源装置的结构示意图；
25.图3为本技术某些实施方式的光源装置的结构示意图；
26.图4为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
27.图5为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
28.图6为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
29.图7为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
30.图8为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
31.图9为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
32.图10为本技术某些实施方式的光源装置的使用状态示意图；
33.图11为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
34.图12为本技术某些实施方式的光源装置的使用状态示意图；
35.图13为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
36.图14为本技术某些实施方式的承载装置的使用状态示意图；
37.图15为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图；
38.图16为本技术某些实施方式的样品在被检测过程中的场景示意图。
39.主要元件及符号说明：
40.检测设备100、光源装置10、第一光源11、第二光源12、发光件13、分光件14、第一发光件15、第二发光件16、探测装置20、承载装置30、转运装置40、遮光装置50、衰减装置60、样品200、特征对象201、旋转中心x。
具体实施方式
41.下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中，相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术的实施方式，而不能理解为对本技术的实施方式的限制。
42.请参阅图1及图2，图1为本技术某些实施方式的检测设备100的平面结构示意图，图2为本技术某些实施方式的光源装置10的结构示意图，检测设备100用于检测样品200。检测设备100包括光源装置10、探测装置20及承载装置30。光源装置10包括第一光源11及第二光源12，第一光源11向样品200投射光信号以形成第一光斑。第二光源12向样品200投射光信号以形成第二光斑。第一光斑的光功率小于第二光斑的光功率。
43.探测装置20接收由样品200反射或散射的第一光斑生成第一检测信息，第一检测信息用于确定样品200的特征对象所在的位置。承载装置30承载样品200，承载装置30带动样品200相对于第一光斑及第二光斑运动。其中，在第二光斑照射至特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度。
44.本技术实施方式的检测设备100中，探测装置20先接收样品200反射或散射的第一光斑生成第一检测信息，依据第一检测信息确定特征对象所在的位置，在光功率较大的第二光斑照射到特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度，避免特征对象在第二光斑的照射下炸开(解体)，进而避免炸开的特征对象对样品200产生污染，提高样品
45.具体地，检测设备100可以是半导体检测设备、半导体处理设备、半导体制造设备等机台或者是这些机台中的一部分。待测样品200可以是任意需要检测的器件或者器件的半成品，例如样品200可以是晶圆、芯片、显示面板、玻璃、盖板、基板、外壳、薄膜等任意器件或者半成品，在此不作限制。本技术附图以样品200是晶圆为例进行示例性说明。
46.样品200中可以包括待测区域，待测区域可以是样品200中的任意区域，例如，待测区域可以是用户预先设定的区域，或者是用户感兴趣的区域，或者是具有特定结构或功能的区域等。在待测区域中可能分布有特征对象，本技术实施方式中的特征对象可以是尺寸
大于设定尺寸的颗粒物，该类特征对象如果受到光功率较大的光信号照射，容易发生爆炸。当然，针对不同的检测需求，特征对象也可以是其他类型的对象，在此不作限制。
47.请继续参阅图1及图2，光源装置10包括第一光源11及第二光源12。第一光源11向样品200投射光信号以形成第一光斑，第二光源12向样品200投射光信号以形成第二光斑，第一光斑的光功率小于第二光斑的光功率。
48.具体地，在如图2所示的一个例子中，光源装置10至少包括第一发光件15及第二发光件16，第一发光件15用于投射光信号以形成第一光斑，第二发光件16用于投射光信号以形成第二光斑。此时，第一发光件15投射的光信号可以作为第一光源11，第二发光件16投射的光信号可以作为第二光源12。第一发光件15与第二发光件16的开启与关闭、投射的光功率的大小、投射的光信号的波长等均可以独立地调节，以便于控制第一光斑及第二光斑的光功率等参数。
49.如图3所示的另一个例子中，其中，图3为本技术某些实施方式的光源装置10的结构示意图，光源装置10包括发光件13及分光件14，发光件13用于发出光信号，分光件14用于对光信号分束并投射至样品200以分别形成第一光斑及第二光斑。此时，由分光件14分束形成的其中一束光信号可以作为第一光源11，由分光件14分束形成的另一束光信号可以作为第二光源12。如图3所示的光源装置10可以在仅设置一个发光件13的情况下形成第一光斑及第二光斑。
50.第一光斑的光功率小于第二光斑的光功率，在一个例子中，形成第一光斑的光信号可以是可见光信号(例如为532纳米的光信号)，形成第二光斑的光信号可以是紫外光信号(例如为266纳米的光信号)，当然，在另一个例子中，形成第一光斑的光信号与形成第二光斑的光信号的波长可以相同或相近，而光信号的强度有差异。可以理解，由于第一光斑的光功率小于第二光斑的光功率，在同等条件下，特征对象被第一光斑照射后发生爆炸的可能性要低于被第二光斑照射后发生爆炸的可能性。因此，在对样品200进行检测的过程中，将尽量避免第二光斑在不经过特殊处理的情况下直接照射特征对象，而对于样品200中除特征对象之外的待测区域，则可以由第二光斑直接照射，以提高检测的精度和准确度。
51.请继续参阅图1，探测装置20接收由样品200反射或散射的第一光斑生成第一检测信息。探测装置20具体可以是线阵探测器或面阵探测器，例如可以是电荷耦合器件(charge coupled device,ccd)阵列，互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,coms)阵列，光电倍增管(photomultiplier tube,pmt)阵列，在此不作限制。探测装置20可以接收由样品200反射的第一光斑以进行明场检测并生成第一检测信息，或者，探测装置20也可以接收由样品200散射的第一光斑以进行暗场检测并生成第一检测信息。其中，第一检测信息用于确定样品200的特征对象所在的位置。同理，探测装置20也可以接收由样品200反射或散射的第二光斑，以对样品200进行检测。
52.具体地，请参阅图4所示的例子，其中，图4为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，以样品200为晶圆为例，样品200中分布着一个或多个特征对象201，特征对象201由带阴影的块状形状表示，利用第一光斑扫描样品200的过程中，探测装置20生成第一检测信息，第一检测信息用于确定样品200的特征对象201所在的位置，例如，通过第一检测信息可以确定特征对象201分布的坐标信息。
53.请继续参阅图1，承载装置30承载样品200，承载装置30带动样品200相对第一光斑
及第二光斑运动。承载装置30可以用于固定样品200，例如可以通过负压吸附、真空吸附、夹取的方式固定样品200，承载装置30也可以在需要的时候带动样品200运动，例如，带动样品200旋转，水平移动、上下移动等。在利用第一光斑及/或第二光斑扫描样品200的过程中，承载装置30带动样品200运动，以使得第一光斑及/或第二光斑可以扫描到样品200的不同位置。
54.如图1所示的例子中，检测设备100还包括转运装置40，转运装置40可以将未检测的样品200转运至承载装置30上，转运装置40也可以将承载装置30上已经检测完成的样品200转运至设定的位置。转运装置40具体可以是机械手等，在此不作限制。
55.在承载装置30带动样品200相对于第二光斑运动的过程中，在第二光斑照射至特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度。诚如上述，特征对象被第二光斑照射后发生爆炸的可能性较大，因此，在第二光斑照射至特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度，避免特征对象被未经处理的第二光斑照射而爆炸，避免产生二次污染。具体地，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度的方式可以依据实际情况进行选择，例如，将投射至特征对象的第二光斑的光功率降低为零，或者，在投射的面积不变的情况下衰减第二光斑的光功率，或者，在不衰减第二光斑的总的光功率的情况下增大投射的面积，或者，同时衰减第二光斑的光功率以及增大投射的面积，在此不作限制。
56.需要说明的是，本技术中所述的第二光斑照射至特征对象所在的位置，可以指的是第二光斑的照射位置离特征对象很近(例如相距1毫米至5毫米)，且按照当前的运动趋势马上将照射至特征对象上的位置。
57.诚如上述，需要在第二光斑照射至特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度，在这之前，需要先依据第一检测信息确定特征对象所在的位置，而第一检测信息由探测装置20接收第一光斑被反射或散射的光信号得到。因此，对于样品200上的任意一个特征对象，都需要先由第一光斑照射以确定其所在的位置后，才能在后续第二光斑扫描的过程中精确定位到特征对象，并降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度。下面将举例以示例性地描述实现由第一光斑与第二光斑先后扫描特征对象的实施方式：
58.请结合图4及图5所示的例子，图5为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，第一光源11用于向样品200投射光信号以形成第一光斑s1，承载装置30用于带动样品200相对于第一光斑s1运动(如图4所示的状态)，以使第一光斑s1扫描样品200的待测区域以确定第一检测信息。此时，样品200中未被投射第二光斑s2，在这个过程中，特征对象201不会被第一光斑s1照射至爆炸，且通过第一检测信息可以确定样品200中所有特征对象201所在的位置及数量。第二光源12用于在依据第一检测信息确定样品200的所有特征对象201所在的位置后，向样品200投射光信号以形成第二光斑s2，以使探测装置20根据第二光斑s2对样品200的待测区域进行检测。在探测装置20根据第二光斑s2对样品200的待测区域进行检测的过程中，在第二光斑s2扫描到非特征对象所在的位置时，可以不降低第二光斑s2的光功率密度，以利用第二光斑s2对这些位置进行检测，提高检测的精度；在第二光斑s2扫描到特征对象201所在的位置时，可以降低第二光斑s2的光功率密度，以避免特征对象201被照射后炸开。在一个实施方式中，以第一光斑s1扫描样品
200的扫描速度可以快于以第二光斑s2扫描样品200的扫描速度。
59.请参阅图6所示的例子，图6为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，光源装置10向样品200投射光信号以同时形成第一光斑s1及第二光斑s2，承载装置30用于带动样品200相对第一光斑s1及第二光斑s2同时运动，对于样品200上的任意位置，均先由第一光斑s1照射后，再由第二光斑s2照射。此时，由于样品200上的任意位置，均先由第一光斑s1照射后，再由第二光斑s2照射，故可以在第二光斑s2照射时避免特征对象201被扫炸开，且由于第一光斑s1及第二光斑s2同时对样品200进行扫描(同一时刻扫描的位置不同)，相较于分别单独先后利用第一光斑s1及第二光斑s2进行扫描的方式而言，检测的效率较高，例如使得检测效率提升50％以上。
60.具体地，请继续参阅图6所示的例子，承载装置30用于带动样品200绕旋转中心x旋转，第一光斑s1与第二光斑s2与旋转中心x的距离相等，沿样品200的旋转方向，第一光斑s1位于第二光斑s2的面向样品200的旋转方向一侧。其中，第一光斑s1与第二光斑s2在样品200上可以并排投射，第一光斑s1与第二光斑s2之间保持一定的距离(例如小于100毫米)，由于第一光斑s1位于第二光斑s2的面向样品200的旋转方向(如图6所示的箭头所示的方向)一侧，使得样品200上的任意位置，都先由第一光斑s1照射后，才有可能被第二光斑s2照射，在一个例子中，同一位置被第一光斑s1照射与被第二光斑s2照射的时间差小于1秒。
61.进一步地，在第一光斑s1与第二光斑s2在离旋转中心x一个距离下扫描完毕后，可以由承载装置30带动样品200移动，以使得第一光斑s1与第二光斑s2照射在离旋转中心x另一个距离的位置处，再由承载装置30带动样品200再次绕旋转中心x旋转，依此类推，直至整个样品200的待测区域都由第一光斑s1及第二光斑s2扫描并进行检测。
62.当然，在其他实施方式中，承载装置30也可以带动样品200平移，第一光斑s1位于第二光斑s2的面向样品200的平移方向一侧，在此不作限制。
63.请参阅图7所示的例子，图7为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，承载装置30用于带动样品200绕旋转中心x旋转，第一光斑s1及第二光斑s2从样品200的边缘逐渐向旋转中心x扫描，在同一时刻，第一光斑s1相较第二光斑s2靠近旋转中心x。由于第一光斑s1总是相较第二光斑s2靠近旋转中心x，且第一光斑s1及第二光斑s2从样品200的边缘逐渐向旋转中心x扫描，故第二光斑s2扫描的区域必然已经先由第一光斑s1扫描过，该区域的特征对象201所在的位置为已经确定过的。
64.当然，第一光斑s1扫描样品200的边缘时，第二光斑s2可以不投射到样品200中，当第一光斑s1扫描完样品200的边缘后，第一光斑s1向旋转中心x移动一定距离，第二光斑s2开始投射至样品200的边缘位置。
65.请参阅图8所示的例子，图8为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，承载装置30用于带动样品200绕旋转中心x旋转，第一光斑s1及第二光斑s2从旋转中心x逐渐向样品200的边缘扫描，在同一时刻，第一光斑s1相较第二光斑s2远离旋转中心x。由于第一光斑s1总是相较第二光斑s2远离旋转中心x，且第一光斑s1及第二光斑s2从样品200的旋转中心x逐渐向边缘扫描，故第二光斑s2扫描的区域必然已经先由第一光斑s1扫描过，该区域的特征对象201所在的位置为已经确定过的。当然，第一光斑s1扫描样品200的旋转中心x时，第二光斑s2可以不投射到样品200中，当第一光斑s1扫描完样品200的旋转中心x后，第一光斑s1向边缘移动一定距离，第二光斑s2开始投射至
样品200的旋转中心x的位置。
66.请参阅图9，图9为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，图9所示的状态中，第二光斑s2即将投射到特征对象201所在的位置，此时，需要降低投射至特征对象201的第二光斑s2的光功率密度，以避免特征对象201被照射至炸开，下面将举例以示例性地描述实现在第二光斑s2照射至特征对象201所在的位置时，降低投射至特征对象201的第二光斑s2的光功率密度的实施方式：
67.请参阅图10及图11所示的例子，其中，图10为本技术某些实施方式的光源装置10的使用状态示意图，图11为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，检测设备100包括遮光装置50，遮光装置50用于在第二光斑s2扫描至特征对象201所在的位置时，遮挡至少部分第二光源12投射的光信号以阻止形成第二光斑s2。
68.遮光装置50具体可以是快门，在第二光斑s2照射至非特征对象所在的位置时，遮光装置50避开第二光源12投射的光信号，在第二光斑s2照射至特征对象201所在的位置时，遮光装置50运动至第二光源12投射的光信号的光路中，以遮挡第二光源12投射的光信号并阻止形成第二光斑s2(如图10及图11所示的状态)，使得特征对象201不会被第二光斑s2照射，避免特征对象201炸开。
69.请参阅图12及图13所示的例子，其中，图12为本技术某些实施方式的光源装置10的使用状态示意图，图13为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，检测设备100包括衰减装置60，衰减装置60用于在第二光斑s2扫描至特征对象201所在的位置时，衰减至少部分第二光源12投射的光信号，以衰减第二光斑s2的光功率，
70.衰减装置60具体可以是声光调制器(q开关等)等装置，衰减装置60对光信号的衰减率可以调节，在第二光斑s2照射至非特征对象所在的位置时，衰减装置60的衰减率可以调整得较小，以提高利用第二光斑s2进行检测的准确度，在第二光斑s2照射至特征对象201所在的位置时，衰减装置60的衰减率可以调整得较大，以降低照射在特征对象201上的第二光斑s2的光功率(如图13所示的状态，图13所示的第二光斑s2的剖面线较图9所示的第二光斑s2的剖面线稀疏，表示光功率较小)，避免特征对象201炸开。
71.请参阅图14及图15所示的例子，其中，图14为本技术某些实施方式的承载装置30的使用状态示意图，图15为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，承载装置30用于在第二光斑s2扫描至特征对象201所在的位置时，带动样品200沿第二光斑s2的投射方向运动，以降低第二光斑s2的光功率密度。
72.可以理解，在不改变第二光斑s2的总的光功率的情况下，如果增大第二光斑s2的面积，则可以降低第二光斑s2的光功率密度。在第二光斑s2照射至非特征对象所在的位置时，承载装置30在第二光斑s2的投射方向上固定样品200，并使得第二光斑s2在样品200上的照射面积较小(例如使得照射在样品上的第二光斑s2处于聚焦状态)，以提高第二光斑s2光功率密度，提高检测的准确性；在第二光斑s2照射至特征对象201所在的位置时，承载装置30在第二光斑s2的投射方向上带动样品200运动(例如使得照射在样品上的第二光斑s2处于离焦状态)，并使得第二光斑s2在样品200上的照射面积较大(如图15所示的状态，图15所示的第二光斑s2的照射面积大于图9所示的第二光斑s2的照射面积)，以降低第二光斑s2的光功率密度，避免特征对象201炸开。
73.请参阅图16，图16为本技术某些实施方式的样品200在被检测过程中的场景示意图，在某些实施方式中，在第二光斑s2照射的位置不与特征对象201所在的位置重合时，例如已经与特征对象201相距1毫米至5毫米且按当前运动趋势下，距离将逐渐增大时，恢复投射至特征对象201的第二光斑s2的光功率密度至初始光功率密度，以避免影响对非特征对象所在的位置的检测效果。恢复的具体方式例如为将遮光装置50从形成第二光斑s2的光路中撤出，或者将衰减装置60的光衰减率重新调整至较小的状态，或者承载装置30重新带动样品200沿第二光斑s2的投射方向上运动至聚焦的状态等。
74.当第一光斑s1与第二光斑s2均对样品200扫描完毕后，再结合探测装置20依据反射或散射的第一光斑s1与第二光斑s2检测到的信息得到最终的检测结果。例如拼接由依据反射或散射的第一光斑s1所获得的图像，以及依据反射或散射的第二光斑s2所获得的图像。
75.综上，本技术实施方式的检测设备100中，探测装置20先接收样品200反射或散射的第一光斑生成第一检测信息，依据第一检测信息确定特征对象所在的位置，在光功率较大的第二光斑照射到特征对象所在的位置时，降低投射至特征对象的第二光斑的光功率密度，避免特征对象在第二光斑的照射下炸开(解体)，进而避免炸开的特征对象对样品200产生污染，提高样品200的良率。
76.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
77.流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本技术的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
78.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施方式，可以理解的是，上述实施方式是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。