检测系统的制作方法

1.本技术涉及半导体检测技术领域，更具体而言，涉及一种检测系统。


背景技术：

2.目前，在对工件，如晶圆进行检测时，通常使用照明光源照射待测件，以使得成像装置能够获取较为清晰的待测件图像，以对待测件进行检测，然而，由于工件表面的反射通常是镜面反射，会导致光线发生干涉反射效应，从而导致获取待测件图像时，待测件图像的均匀性较差。


技术实现要素：

3.本技术实施方式提供一种检测系统的结构。
4.本技术实施方式的检测系统，包括光源、探测器和镜头，所述光源用于产生照射待测件的探测光，所述镜头接收经所述待测件反射的探测光，所述探测器用于根据所述反射的探测光成像，所述探测器为时间延迟积分相机，所述镜头为物方远心镜头。
5.在某些实施方式中，所述光源包括第一照明装置，所述第一照明装置的照明光路和所述探测器的成像光路保持重合。
6.在某些实施方式中，所述检测系统包括分光片，所述光源还包括第二照明装置，所述第一照明装置发出的光线经所述分光片反射后，垂直入射所述待测件；在所述分光片位于所述探测器的成像光路时，所述第一照明装置照射所述待测件，以使所述探测器根据经所述待测件反射的探测光生成第一检测图像；在所述分光片离开所述探测器的成像光路时，所述第二照明装置照射所述待测件，以使所述探测器根据经所述待测件反射的探测光生成第二检测图像。
7.在某些实施方式中，所述第二照明装置发出的探测光与所述待测件表面的法线具有锐角夹角。
8.在某些实施方式中，所述第二照明装置发出的光线和所述探测器的光轴的夹角位于区间[70度，85度]内。
[0009]
在某些实施方式中，所述检测系统还包括处理器，所述处理器电连接于所述第一照明装置、所述第二照明装置和所述探测器，所述处理器被配置为：控制所述分光片位于所述第一照明装置探测器的成像光路并控制所述第一照明装置照射待测件，以使得所述探测器根据经所述待测件反射的探测光线生成第一检测图像；和/或控制所述分光片离开所述第一照明装置探测器的成像光路并控制所述第二照明装置照射所述待测件，以使得所述探测器根据经所述待测件反射散射的探测光线生成第二检测图像；及根据所述第一检测图像和/或所述第二检测图像检测所述待测件。
[0010]
在某些实施方式中，所述处理器还被配置为根据所述待测件的待测面对不同波长光的反射率和所述待测件待检测的缺陷的类型确定所述第一照明装置和所述第二照明装置发出的探测光的波长。
[0011]
在某些实施方式中，所述处理器还被配置为按照预定轨迹，使所述待测件和所述检测系统相对移动，以使得所述探测器在所述第一照明装置和所述第二照明装置照射所述待测件时，分别获取所述待测件的整个待测面的所述第一检测图像和所述第二检测图像。
[0012]
在某些实施方式中，所述预定轨迹包括多条扫描轨迹，所述处理器还被配置为在所述第一照明装置照射所述待测件且所述待测件相对于检测系统沿所述扫描轨迹时，控制所述探测器拍摄所述待测面的部分区域的第一子图像；拼接多条所述扫描轨迹对应的所述第一子图像以生成所述第一检测图像；及在所述第二照明装置照射所述待测件且所述待测件沿所述扫描轨迹移动时，控制所述探测器拍摄所述待测面的部分区域的第二子图像；拼接多条所述扫描轨迹对应所述第二子图像以生成所述第二检测图像。
[0013]
在某些实施方式中，所述探测器为多个，多个所述探测器分别用于对待测面的不同区域进行成像；所述处理器还被配置为：根据每个探测器获取的多个所述第一子图像，以形成第一待拼接图像；拼接多个所述第一待拼接图像，以获得所述第一检测图像；根据每个探测器获取的多个所述第二子图像，以形成第二待拼接图像；及拼接多个所述第二待拼接图像，以获得所述第二检测图像。
[0014]
在某些实施方式中，在多个所述探测器的成像光路重叠时，识别多个所述第一待拼接图像中，相邻的所述第一待拼接图像的重叠部分；根据相邻的所述第一待拼接图像的重叠部分，拼接多个所述第一待拼接图像，以获得所述第一检测图像；在多个所述探测器的成像光路不重叠时，拼接多个所述第一待拼接图像，以获得所述第一检测图像；及在多个所述探测器的成像光路重叠时，识别多个所述第二待拼接图像中，相邻的所述第二待拼接图像的重叠部分；根据相邻的所述第二待拼接图像的重叠部分，拼接多个所述第二待拼接图像，以获得所述第二检测图像；在多个所述探测器的成像光路不重叠时，拼接多个所述第二待拼接图像，以获得所述第二待拼接图像。
[0015]
在某些实施方式中，所述探测器的积分级次位于单线扫描的128倍至512倍内。
[0016]
本技术实施方式的检测系统中，由于镜头为物方远心镜头，可保证镜头的成像光路在各个视场中的主光线平行，避免了待测件的反射率随镜头的发出的光线的角度不断发生变化，保证了通过探测器根据经待测件反射的探测光成像时，待测件的检测图像均匀性较好，且探测器为时间延迟积分相机可提高光效，以弥补镜头为物方远心镜头时，由于孔径较小，导致的光效下降，从而保证了待测件的检测图像的成像效果。
[0017]
本技术的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实施方式的实践了解到。
附图说明
[0018]
本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]
图1和图2是本技术某些实施方式的检测系统的平面示意图；
[0020]
图3至图6是本技术某些实施方式的检测系统的场景示意图。
具体实施方式
[0021]
下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中，相同
或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术的实施方式，而不能理解为对本技术的实施方式的限制。
[0022]
在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0023]
在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]
在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0025]
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0026]
请参阅图1，本技术实施方式提供一种检测系统100。检测系统100包括光源10、探测器20和镜头30，光源10用于产生照射待测件200的探测光，镜头30接收经待测件200反射的探测光，探测器20用于根据反射的探测光成像，探测器20为时间延迟积分相机，镜头30为物方远心镜头。
[0027]
其中，待测件200可以是元素半导体、无机合成物半导体、有机合成物半导体、晶态半导体等导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。本技术实施方式以待测件200为晶圆为例，可以理解，待测件200并不限于晶圆，例如还可以是凹透镜、凸透镜、反射镜等光学元件。
[0028]
本技术的检测系统100中，由于镜头30为物方远心镜头，可保证镜头30的成像光路在各个视场中的主光线平行，避免了待测件200的反射率随镜头30的发出的光线的角度不断发生变化，保证了通过探测器20根据经待测件200反射的探测光成像时，待测件200的检测图像均匀性较好，且探测器20为时间延迟积分相机可提高光效，以弥补镜头30为物方远
心镜头时，由于孔径较小，导致的光效下降，从而保证了待测件200的检测图像的成像效果。
[0029]
下面结合附图作进一步说明。
[0030]
请参阅图1，检测系统100包括光源10、探测器20、镜头30。
[0031]
光源10包括有第一照明装置11和第二照明装置12。其中，第一照明装置11和第二照明装置12可以是光纤耦合光线光源(fiber laser)，光纤耦合光线光源发出的光线收到的外界因素的影响很小，能够实现高亮度的光线输出，对待测件200的照明效果较好。
[0032]
请结合图2和图3，第一照明装置11的照明光路和探测器20的成像光路保持重合。
[0033]
具体地，在某些实施方式中，检测系统100还包括分光片40。第一照明装置11发出的光线经分光片40反射后，垂直入射至待测件200。如图3所示，当第一照明装置11发出的探测光发射至分光片40上时，由于分光片40相对于第一照明装置11倾斜的角度α为45度，因此，当第一照明装置11发出的探测光发射至分光片40时，分光片40会将探测光反射，反射角度β同样为45度，由此，该光线可垂直入射至待测件200，同样地，垂直入射至待测件200的光线会被待测件200垂直反射至探测器20。其中，分光片40的位置与探测器20的光轴重叠设置，从而保证经分光片40反射的探测光与探测器20的成像光路重叠，即第一照明装置11的照明光路和探测器20的成像光路保持重合。
[0034]
请参阅图1、图2级图4，第二照明装置12发出的探测光与待测件200的表面的法线具有锐角夹角，即第二照明装置12发出的探测光倾斜入射至待测件200。
[0035]
如图4所示，第二照明装置12发出的探测光与待测件200的表面的法线的夹角为γ，即夹角γ为锐角，而第二照明装置12发出的光线和探测器20的光轴的夹角δ位于区间[70度，85度]内。夹角γ与夹角δ之和为90度，则夹角γ位于区间[15度，20度]内。即，夹角γ可以是15度至20度之间的任意值，夹角δ可以是70度至85度之间的任意值。例如，夹角γ可以是15度、16度、16.4度、17度、18.1度、19度和20度等中任意一个或其他在15度至20度之间的任意值，夹角δ可以是70度、71度、71.5度、72.3度、75度、77.7度、80度、82度、84度和85度等中任意一个或其他在70度至85度之间的任意值。而当夹角γ增大时，则夹角δ减小，当夹角γ减小时，则夹角δ增大。
[0036]
此外，在分光片40位于探测器20的成像光路时，第一照明装置11照射待测件200，以使探测器20根据经待测件200反射的探测光生成第一检测图像。在分光片40离开探测器20的成像光路时，第二照明装置12照射待测件200，以使探测器20根据经待测件200反射的探测光生成第二检测图像。其中，第一照明装置11为明场光源，第二照明装置12为暗场光源。由此可知，探测器20生成的第一检测图像为明场图像，探测器20生成的第二检测图像为暗场图像。
[0037]
具体地，检测系统100中可设定有第一预设工位和第二预设工位，如图3和图4所示，第一预定工位位于成像装置的视场范围内，第二预定工位位于视场范围之外，即，第一预定工位在探测器20的成像光路上，第二预定工位不位于探测器20的成像光路上。由此，当第一照明装置11位于第一预定工位时，为探测器20提供光源10的仅为第一照明装置11，第一照明装置11还会带动分光片40进入第一预定工位，那么，第一照明装置11发出的明场光可以通过分光片40射入探测器20的成像光路中，以生成待测件200的第一检测图像，即明场图像。而当第一照明装置11由第一预定工位切换至第二预定工位时，第一照明装置11则带动分光片40离开探测器20的成像光路，则为探测器20提供光源10的仅为第二照明装置12，
第二照明装置12发出的暗场光线可以通过待测件200反射，从而直接射进探测器20的成像光路中，探测器20则可生成待测件200的第二检测图像，即暗场图像。
[0038]
如图5所示，由于待测件200反光表面会生成镜面反射，因此，在通过第一照明装置11，即明场光源10照射待测件200时，为保证探测器20通过明场光源10照射下待测件200可形成高对比度的第一检测图像，因此，明场光源10的光源10范围应位于探测器20的视场的两倍范围内，以为待测件200提供均匀照明。而通过暗场光源10照射待测件200时，则需暗场光源10位于探测器20的视场的两倍范围外，以保证被待测件200镜面反射的光线不会进入探测器20，从而保证待测件200表面的立体结构的成像效果。
[0039]
目前，通常采用明场成像的方式进行获取工件的图像，或者采用暗场成像的方式获取工件的图像，明场成像能够在光学系统的分辨范围提供良好对比度的图像，而暗场成像能提供小于光学系统的分辨能力的微小缺陷的图像。然而，明场成像系统和暗场成像系统的光源亮度、成像角度等差异较大，若同时进行明场成像和暗场成像，则获取的明场图像和暗场图像容易混杂在一起难以区分，且明场光源与暗场光源之间存在互相干扰的情况，光线能量存在损失，导致成像效果较差。
[0040]
本技术实施方式的检测系统100通过设置第一预定工位和第二预定工位，以使在生成待测件200的图像时，可以通过切换第一照明装置11的所在位置，以分别生成待测件200的第一检测图像和第二检测图像，而第一照明装置11为明场光源，第二照明装置12为暗场光源，则可同时获取明场图像和暗场图像。其中，根据明场光源可准确的获取待测件200平面结构的准确的图像信息，暗场光源可准确的获取待测件200的立体结构的准确的图像信息，则可保证对待测件200检测效果的准确性，且在第一照明装置11切换至第二预定工位后，第一照明装置11便不会影响第二照明装置12发出的探测光进入成像装置的成像光路，避免了探测光能量的损失，从而保证生成的待测件200图像的成像效果。
[0041]
需要说明的是，由于第二照明装置12为暗场光源10，第二照明装置12发出的探测光与探测器20的夹角δ越低时，产生的图像信噪比越高。而在本技术实施方式的检测系统100中，第二照明装置12发出的探测光与探测器20的夹角δ位于区间[70度，85度]内，则可保证在第二照明装置12照射待测件200，以使探测器20根据经待测件200反射的探测光生成第二检测图像时，产生的图像信噪比较低，从而保证第二检测图像的成像效果。
[0042]
进一步的，在第二照明装置12照射待测件200时，第一照明装置11还会从第一预定工位切换至第二预定工位，从而使分光片40退出成像光路，由此，第二照明装置12发射至待测件200的探测光便可直接射入成像光路中，从而避免第二照射装置发出的探测光的能量产生损失，进一步提升了第二检测图像的成像效果。
[0043]
请继续参阅图1和图2，探测器20为时间延迟积分(time delay intervalgration，tdi)相机，镜头30为物方远心镜头30。
[0044]
目前，探测器20中的镜头30采用的是物方非远心结构的成像镜头，而物方非远心的成像镜头会导致探测器20中各个视场的主光线相互不平行，只有位于中心视场的主光线与镜头30的光轴平行，即位于中心视场的主光线角度为零，而其他光线角度均存在一定程度的夹角。
[0045]
而待测件200为晶圆时，晶圆背面的反射特性通常为镜面反射，且晶圆背面附有多层薄膜，会导致探测器20发射至晶圆背面的光线发生干涉反射效应。该效应会使得反射率
和反射光谱随角度发生变化，因此，当探测器20中的镜头30采用物方非远心结构的成像镜头时，由于探测器20中不同视场主光线的角度不同，则会导致最终的反射率随着视场不断发生变化，则会导致探测器20最终生成的待测件200图像呈中间亮两边暗、或中间暗两边亮的效果，那么在拼接多张待测件200不同位置处的图像以得到最终的检测图像时，多张待测件200不同位置处的图像的拼接处则会产生接缝，从而导致会对待测件200的检测结果产生误判。
[0046]
因此，在本技术实施方式的检测系统100中，其镜头30为物方远心镜头，而物方远心镜头能够保证探测器20发出的光线在各个视场中的主光线平行，从而避免了光线在晶圆背面发生干涉反应效应时，晶圆背面多层薄膜随角度发生变化的问题，由此，则可保证探测器20生成的检测图像的均匀性较好，不会出现亮度不一的情况，进一步避免对待测件200的检测结果产生误判。
[0047]
而探测器20为时间延迟积分(time delay intervalgration，tdi)相机，根据上述可知，本技术实施方式中的检测系统100的镜头30采用物方远心镜头，由于物方远心镜头的孔径较小，则会导致光效下降，而在探测器20为tdi相机时，则可提高光效，从而弥补采用物方远心镜头的孔径减小导致的能量下降，从而保证探测器20输出检测图像的效果。
[0048]
其中，探测器的积分级次位于单线扫描的128倍至512倍内。如探测器20的积分级次可以单线扫描的128倍、256倍、512倍等。其中，探测器20的积分级次与响应效率有关，当探测器20的积分级次越高时，探测器20的响应效率越高，从而弥补采用物方远心镜头的孔径减小导致的能量下降，并且采用较高积分级次的tdi相机，还可使探测器20最终生成的第一检测图像和第二检测图像的光效较高。即，最终生成的明场图像和暗场图像的光效较高，从而保证待测件200的检测图像的成像效果。
[0049]
请参阅图1，在某些实施方式中，检测系统100还包括处理器50，处理器50电连接于第一照明装置11、第二照明装置12和探测器20。处理器50被配置为控制分光片40位于探测器20的成像光路，并控制第一照明装置11照射待测件200，以使探测器20根据经待测件200反射的探测光生成第一检测图像；控制分光片40离开探测器20的成像光路并控制第二照明装置12照射待测件200，以使得探测器20根据经待测件200反射的探测光生成第二检测图像；及根据第一检测图像和/或第二检测图像检测待测件200。
[0050]
具体地，在对待测件200进行检测时，如图3所示，处理器50会将第一照明装置11移动至第一预定工位，以控制分光片40位于探测器20的成像光路上，并控制第一照明装置11照射待测件200，而第一照明装置11为明场光源10，因此，探测器20根据经待测件200反射的探测光生成的第一检测图像为明场图像。
[0051]
如图4所示，处理器50还会将第一照明装置11移动至第二预定工位，而第二预定工位不位于探测器20的成像光路上，即处理器50控制分光片40离开探测器20的成像光路，此时，第一照明装置11不会再继续发射光线，而是由第二照明装置12照射待测件200，而第二照明装置12为暗场光源10，因此，探测器20根据待测件200反射的光线生成的第二检测图像为暗场图像。
[0052]
由此，检测系统100则可分别得到待测件200的明场图像和暗场图像，而根据上述可知，探测器20采用tdi相机，由此，则可得到较高对比度的明场图像和暗场图像。而根据明场光源10可准确的获取待测件200平面结构的准确的图像信息，暗场光源10可准确的获取
待测件200的立体结构的准确的图像信息。
[0053]
那么在处理器50根据第一检测图像检测待测件200时，则可保证检测待测件200平面结构的准确性，当处理器50根据第二检测图像检测待测件200时，则可保证检测待测件200表面立体结构的准确性。当处理器50根据第一检测图像和第二检测图像检测待测件200时，则可保证检测待测件200整体结构的准确性。
[0054]
此外，由于在获取暗场图像前，第一照明装置11切换至第二预定工位，以退出探测器20的成像光路，从而保证在使用第二照明装置12照射待测件200时，被待测件200反射的光线不会进入分光片40，从而避免了能量的损耗。
[0055]
在某些实施方式中，处理器50被配置为根据待测件200的待测面对不同波长光的反射率和待测件200待检测的缺陷的类型确定第一照明装置11和第二照明装置12发出的波长。
[0056]
具体地，在一个实施例中，在检测待测件200之前，检测系统100可根据待测件200的待测面对不透波长光的反射率，从而确定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长。例如，当待测件200的待测面对波长为492nm至577nm的绿光的反射率最强时，那么则可设定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长为492nm至577nm，并发出绿色的探测光。由此，则可保证当第一照明装置11或第二照明装置12照射待测件200时，待测件200反射至探测器20的光线强度最强，从而保证生成的第一检测图像和第二检测图像的成像效果。
[0057]
在另一个实施例中，在检测待测件200之前，检测系统100可根据待测件200待检测的缺陷的类型，以确定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长。例如，当缺陷类型为凸点时，若第一照明装置11或第二照明装置12发出的探测光为400nm至760nm的白光，可使第一检测图像和第二检测图像中更好的呈现出该缺陷，因此，检测系统100可设定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长为400nm至760nm，并发出白色的探测光。又例如，当待测件200待检测的缺陷的类型为划痕时，若第一照明装置11或第二照明装置12发出的探测光为492nm至577nm的绿光，可更加清晰的暴露出低于待测件200表面的缺陷，即划痕，因此，检测系统100可设定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长为492nm至577nm，并发出绿色的探测光。由此，可保证检测系统100可通过第一检测图像和第二检测图像以更准确的识别待测件200待检测的缺陷的类型。
[0058]
在又一个实施方式中，在检测待测件200之前，检测系统100还可根据待测件200的待测面对不同波长光的反射率和待测件200待检测的缺陷的类型确定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长。例如，当待测件200的待测面对波长为492nm至577nm的绿光的反射率最强，且待测件200待检测的缺陷的类型为划痕时，检测系统100可确定第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光的波长为492nm至577nm，并发出绿色的探测光，从而既保证了第一检测图像和第二检测图像的成像效果，还保证了识别待测件200待检测的缺陷的类型的准确性。又例如，当待检测的待测面对波长为622nm至770nm的红光的反射率最强，且待测件200待检测的缺陷的类型为凸起时，此时若设定第一照明装置11和第二照明装置12发出的光线为红色，则不能保证检测系统100能够根据第一待测图像和第二待测图像，能够准确识别待测件200待检测的缺陷的类型，检测系统100可设定第一照明装置11发出的探测光的波长为622nm至770nm，并发出红色的探测光，而第二照明装置12发出的
探测光的波长为400nm至760nm，并发出白色的探测光，从而既保证了第一检测图像成像效果，还可通过第二检测图像以保证了识别待测件200待检测的缺陷的类型的准确性。
[0059]
由此，检测系统100根据待测件200的待测面对不同波长光的反射率和待测件200待检测的缺陷的类型确定第一照明装置11和第二照明装置12发出的波长，一方面，保证待测件200的待测面对第一照明装置11和第二照明装置12发出的探测光反射较强，以保证成像效果，另一方面，可保证检测系统100能够从生成的检测图像中，以准确的识别出待测件200待检测的缺陷的类型。
[0060]
请参阅图1，在某些实施方式中，处理器50还被配置为按照预定轨迹，使待测件200和检测系统100相对移动，以使得探测器20在第一照明装置11和第二照明装置12照射待测件200时，分别获取待测件200的整个待测面的第一检测图像和第二检测图像。
[0061]
请结合图6，检测系统100还包括有移动平台60，待测件200放置在移动平台60上，移动平台60能够带动待测件200沿第一方向、第二方向、第三方向和第四方向移动。由此，当处理器50控制移动平台60按照预定轨迹带动待测件200移动，以使探测器20在第一照明装置11和第二照明装置12照射待测件200时，能够分别获取待测件200的整个待测面的第一检测图像和第二检测图像。例如，当处理器50控制移动平台60沿第一方向移动时，第一照明装置11照射待测件200，以使探测器20获取第一检测图像。又例如，当处理器50控制移动平台60沿第二方向移动时，则第一照明装置11切换至第二预定位置(如图4所示)，第二照明装置12照射待测件200，以使探测器20获取第二检测图像。
[0062]
请结合图6，预定轨迹包括有多条扫描轨迹，分别为扫描轨迹m、扫描轨迹n、扫描轨迹p和扫描轨迹q，以探测器20的数量为一个为例，处理器50用于在第一照明装置11照射待测件200且待测件200相对于检测系统100沿扫描轨迹时，控制探测器20拍摄待测面的部分区域的第一子图像；并拼接多条扫描轨迹对应的第一子图像以生成第一检测图像。处理器50还用于在第二照明装置12照射待测件200且待测件200沿扫描轨迹移动时，控制探测器20拍摄待测面的部分区域的第二子图像；拼接多条扫描轨迹对应第二子图像以生成第二检测图像。
[0063]
具体地，当移动平台60带动待测件200分别沿扫描轨迹m和扫描轨迹p向第一方向移动、及扫描轨迹n和扫描轨迹q向第二方向移动时，若第一照明装置11照射待测件200，则可生成4张对应四条扫描轨迹的第一子图像，由此，处理器50则可拼接4张第一子图像，从而生成第一检测图像。其中，处理器50控制移动平台60带动待测件200沿预定轨迹移动的方式可以是，先沿扫描轨迹m向第一方向移动，再向第四方向平移至扫描轨迹n的位置，然后沿扫描轨迹n向第二方向移动，再向第四方向平移至扫描轨迹p的位置，接下来沿扫描轨迹p向第一方向移动，再向第四方向平移至扫描轨迹q的位置，最后沿扫描轨迹q向第二方向移动，从而完成对待测件200整个待测面的扫描。
[0064]
而当移动平台60带动待测件200分别沿扫描轨迹m和扫描轨迹p向第一方向移动、及扫描轨迹n和扫描轨迹q向第二方向移动时，若第二照明装置12照射待测件200，则可生成4张对应四条扫描轨迹的第二子图像，由此，处理器50则可拼接4张第二子图像，从而生成第二检测图像。需要说明的时，当第二照明装置12照射待测件200时，第一照明装置11则会切换至第二预定工位，以使分光片40离开探测器20的成像光路并不再照射待测件200。移动平台60的移动方式与生成第一检测图像时，移动平台60的移动方式相同。
[0065]
其中，扫描轨迹m、扫描轨迹n、扫描轨迹p和扫描轨迹q沿移动平台60的中心对称设置，从而保证在移动平台60按照4条扫描轨迹带动待测件200移动后，可获取完待测件200所有区域的检测图像。
[0066]
在某些实施例中，待测件200的宽度还可以是探测器20的视场范围宽度的整数倍，如图6所示，待测件200的宽度和探测器20的视场范围宽度与第三方向或第四方向保持一致，则当待测件200的宽度和探测器20的视场范围宽度相同时，移动平台60带动待测件200沿扫描轨迹向第一方向或第二方向移动一次，探测器20便可完整的获取待测件200的第一检测图像或第二检测图像。当待测件200的宽度和探测器20的视场范围宽度的一倍时，则移动平台60带动待测件200沿扫描轨迹向第一方向或第二方向移动一次，探测器20便可获取待测件200一半区域的第一子图像或第二子图像，如此再往复一次，则可获取待测件200另一半区域的第一子图像或第二子图像，从而通过拼接两张第一子图像或两张第二子图像，以得到待测件200的第一检测图像和第二子图像。由此，在拼接多张第一子图像或多张第二子图像时，不同的第一子图像或第二子图像之间不存在重复的待测件200的待测区域图像，以便于多张第一子图像或多张第二子图像的拼接。
[0067]
此外，探测器20还可有多个，例如，当探测器20为2个时，则当移动平台60带动待测件200沿扫描轨迹移动时，2个探测器20则可同时获得2个第一子图像或2个第二子图像。可以理解，探测器20数量越多，则当移动平台60带动待测件200沿扫描轨迹移动时，获取的待测件200的检测图像的区域就越多，则可相应的减少扫描轨迹。由此，则可减少第一检测图像和第二检测图像被拼接的次数，从而保证第一检测图像和第二检测图像的成像效果，以保证检测待测件200的准确性。
[0068]
当处理器50控制移动平台60沿扫描轨迹移动时，则每个探测器20均会获取子图像，那么则可形成有待拼接图像，处理器50可通过拼接待拼接图像，以形成检测图像。如图6所示，探测器20为2个，一个探测器20与扫描轨迹m和扫描轨迹n对应，那么当移动平台60带动待测件200向第一方向移动，再向第二方向移动后，若第一照明装置11照射待测件200，那么一个探测器20便会形成有两个第一子图像，处理器50则可根据扫描轨迹m和扫描轨迹n对应的两个第一子图像，以形成第一待拼接图像，而另一个探测器20对应扫描轨迹p和扫描轨迹q，此时，移动平台60带动待测件200向第一方向移动，再向第二方向移动后，另一个探测器20便会再形成有另外两个第一子图像，处理器50则可根据扫描轨迹p和和扫描轨迹q对应的两个第一子图像，以形成第一待拼接图像，由此，当处理器50拼接两个第一待拼接图像后，便可获得第一检测图像。同样地，当处理器50控制移动平台60沿扫描轨迹移动时，每个探测器20还可以获取两个第二子图像，以形成第二待拼接图像，处理器50可拼接多个第二待拼接图像，从而获得第二检测图像。
[0069]
需要说明的是，多个探测器20的成像光路还可重叠或不重叠。例如，探测器20有2个时，若两个探测器20的成像光路重叠，那么在处理器50根据形成多个第一待拼接图像形成第一检测图像前，处理器50还会识别两个第一待拼接图像中的重叠部分，由此，在拼接两个第一待拼接图像，处理器50会剪除任意一个第一待拼接图像中的重叠部分，从而使处理器50在拼接两个第一待拼接图像时，只有一个重叠部分的图像，由此，形成待测件200的第一检测图像。同样的，在处理器50根据形成多个第二待拼接图像形成第二测图像前，处理器50会识别两个第二待拼接图像中的重叠部分，由此，在拼接两个第二待拼接图像，处理器50
会剪除任意一个第二待拼接图像中的重叠部分，从而使处理器50在拼接两个第二待拼接图像时，只有一个重叠部分的图像，由此，形成待测件200的第二检测图像。
[0070]
而若两个探测器20的成像光路不重叠，那么处理器50可直接拼接多个第一待检测图像，以获得第一检测图像，也可直接拼接多个第二待检测图像，以获得第二待拼接图像。
[0071]
最后，需要特别说明的是，本技术保护的是检测系统的结构排布，其中，处理器的执行步骤均为现有技术，本技术不对处理器的执行步骤进行改进，即本技术中处理器的执行步骤均为常规技术手段。
[0072]
在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
[0073]
尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，本技术的范围由权利要求及其等同物限定。