一种防芯片自激振荡的老化测试装置和测试系统的制作方法

1.本实用新型涉及芯片测试领域，尤其涉及一种防芯片自激振荡的老化测试装置和测试系统。


背景技术：

2.随着射频微波芯片测试技术在半导体行业的应用日益广泛，半导体制造单位对射频微波芯片的测试要求也越来越高，防芯片自激振荡老化测试技术也一直备受行业关注。老化测试指的是以电压拉偏方式，加速的方式模拟芯片的运行状况，用于芯片寿命和长期上电运行的可靠性评估。
3.为了提高测试的效率，会在测试过程中同时设置多个检测工位，如果射频微波芯片在老化测试时不进行一定设置，检测工位与检测工位之间会产生干扰，会产生自激振荡现象，导致射频微波芯片的电流受到干扰而不稳定，严重影响老化测试。
4.因此，针对上述问题，提供一种防芯片自激振荡的老化测试装置和测试系统，是本领域亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种防芯片自激振荡的老化测试装置和测试系统。
6.本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：
7.本实用新型的第一方面，提供一种防芯片自激振荡的老化测试装置，包括：
8.老化板，背面粘贴有吸波薄膜材料层；
9.多个匹配板，设置于所述老化板正面，每个匹配板上均设置有芯片卡槽和电路匹配组件；
10.封装管壳，与所述芯片卡槽匹配，内部封装有待测试芯片；
11.正极电压电流传输线，设置于所述老化板正面，与匹配板数量相同，每个正极电压电流传输线通过电路匹配组件与芯片卡槽的输入端连接；
12.负极电压电流传输线，设置于所述老化板正面，与匹配板数量相同，每个负极电压电流传输线通过与芯片卡槽的输出端连接。
13.进一步地，所述待测试芯片为耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管的源极接地，漏极通过电路匹配组件与正极电压电流传输线连接，栅极通过电路匹配组件与负极电压电流传输线连接。
14.进一步地，所述电路匹配组件包括第一电容、第一电阻、第二电容和第二电阻，所述第一电阻串接于耗尽型晶体管的栅极和负极电压电流传输线之间，第一电容在耗尽型晶体管的栅极和负极电压电流传输线之间接地；所述第二电阻串接于耗尽型晶体管的漏极和正极电压电流传输线之间，第二电容在耗尽型晶体管的漏极和正极电压电流传输线之间接地。
15.进一步地，所述老化板上设置有16个匹配板。
16.进一步地，所述正极电压电流传输线或负极电压电流传输线上还设置有保险丝。
17.进一步地，所述老化板为耐受175℃的pcb电路板。
18.进一步地，所述吸波薄膜材料层是2～3mm之间的金属薄膜纸。
19.进一步地，所述匹配板焊接于老化板上。
20.进一步地，所述匹配板放置于老化板对应的插座上。
21.本实用新型的第二方面，提供一种防芯片自激振荡老化测试系统，包括如所述的测试装置和试验箱，所述试验箱分别与正极电压电流传输线和负极电压电流传输线连接。
22.本实用新型的有益效果是：
23.(1)在本实用新型一示例性实施例中，在测试的过程中，电路匹配组件对待测试芯片进行匹配操作，同时吸波薄膜材料层用于在测试过程中隔绝电磁波和其他干扰波，因此采用该种方式可以有效防止射频微波芯片在老化测试时产生自激振荡现象，即避免射频微波芯片的电流受到干扰而不稳定的现象。
24.(2)在本实用新型又一示例性实施例中，电路匹配组件包括电容和电阻，选取特定容值的电容对射频微波芯片外部电路进滤波处理，选取特定阻值的电阻对射频微波芯片外部电路进行阻抗匹配，能有效防止射频微波芯片在老化测试时产生自激振荡现象。
25.(3)在本实用新型又一示例性实施例中，老化板上设置有16个匹配板，可以一次性对16个待检测芯片进行检测，集成化高。
26.(4)在本实用新型又一示例性实施例中，正极电压电流传输线或负极电压电流传输线上还设置有保险丝，保险丝可以在测试过程中电流或电压过高时自动熔断，从而使得其中一个待检测芯片的错误不会影响整个老化板。
27.(5)在本实用新型其中两个示例性实施例中，公开了两种匹配板与老化板的连接方式：在其中一示例性实施例中，采用焊接的方式实现固定连接，从而达到稳定可靠连接的优点；而在又一示例性实施例中，采用插座安装的方式实现连接，采用该种方式使得可以在每次测试时选择对应规格和参数的匹配板，从而使得每次均可以匹配上最好参数的匹配板。
附图说明
28.图1为本实用新型一示例性实施例公开的老化测试装置的结构示意图；
29.图2为本实用新型一示例性实施例公开的待测试芯片和电路匹配组件的电路示意图；
30.图3为本实用新型一示例性实施例公开的老化测试系统的结构示意图；
31.图中，1-老化板，2-匹配板，3-芯片卡槽，4-保险丝，501-正极电压电流传输线，502-负极电压电流传输线，6-电路匹配组件，7-待测试芯片，8-测试装置，9-试验箱。
具体实施方式
32.下面结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新
型保护的范围。
33.在本实用新型的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
34.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
35.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
36.应当理解，尽管在本技术可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本技术范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
37.此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
38.参见图1，图1示出了本实用新型的一示例性实施例提供的一种防芯片自激振荡的老化测试装置的结构示意图，包括：
39.老化板1，背面粘贴有吸波薄膜材料层(图中未示出)；
40.多个匹配板2，设置于所述老化板1正面，每个匹配板2上均设置有芯片卡槽3和电路匹配组件6；
41.封装管壳，与所述芯片卡槽3匹配，内部封装有待测试芯片7；
42.正极电压电流传输线501，设置于所述老化板1正面，与匹配板2数量相同，每个正极电压电流传输线501通过电路匹配组件6与芯片卡槽3的输入端连接；
43.负极电压电流传输线502，设置于所述老化板1正面，与匹配板2数量相同，每个负极电压电流传输线502通过与芯片卡槽3的输出端连接。
44.具体地，在本示例性实施例，在进行测试之前，待测试芯片7(在其中一示例性实施例中，所述待测试芯片7从晶圆切下来单颗的fet，为有源器件，可以为砷化镓、氮化镓工艺生产的芯片)封装于封装管壳(在其中一示例性实施例中，所述封装管壳为dip8金属管壳)中，将每个待测试芯片7放置于匹配板2对应的芯片卡槽3内，实现通电后的电连接；当开始进行测试时，外部输入的电压电流依次通过正极电压电流传输线501、电路匹配组件6进入待测试芯片后，通过负极电压电流传输线502输出，根据输入输出情况实现老化测试。在测试的过程中，电路匹配组件6对待测试芯片7进行匹配操作，同时吸波薄膜材料层用于在测
试过程中隔绝电磁波和其他干扰波，因此采用该种方式可以有效防止射频微波芯片在老化测试时产生自激振荡现象，即避免射频微波芯片的电流受到干扰而不稳定的现象。
45.更优地，在一示例性实施例中，如图2所示，所述待测试芯片7为耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管7的源极接地，漏极通过电路匹配组件6与正极电压电流传输线501连接，栅极通过电路匹配组件6与负极电压电流传输线502连接。
46.具体地，在该示例性实施例中，当对耗尽型晶体管进行测试时，其原理是：漏极加正电压，栅极加负电压，源极接地；通过测试系统自动调节栅极负电压使晶体管保持设定的漏源电流老化测试条件。
47.更优地，在一示例性实施例中，如图2所示，所述电路匹配组件6包括第一电容602、第一电阻601、第二电容604和第二电阻603，所述第一电阻601串接于耗尽型晶体管的栅极和负极电压电流传输线502之间，第一电容602在耗尽型晶体管的栅极和负极电压电流传输线502之间接地；所述第二电阻603串接于耗尽型晶体管的漏极和正极电压电流传输线501之间，第二电容604在耗尽型晶体管的漏极和正极电压电流传输线501之间接地。
48.具体地，在该示例性实施例中，选取特定容值的电容(第一电容602和第二电容604)对射频微波芯片外部电路进滤波处理，选取特定阻值的电阻(第一电阻601和第二电阻603)对射频微波芯片外部电路进行阻抗匹配，能有效防止射频微波芯片在老化测试时产生自激振荡现象。
49.而在其中一示例性实施例中，选取10uf电容焊接于匹配板2上对射频微波芯片外围电路进行滤波处理；选取51ω电阻焊接于匹配板2上对射频微波芯片外围电路进行阻抗匹配。
50.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述老化板1上设置有16个匹配板2。采用该种方式，可以一次性对16个待检测芯片7进行检测，集成化高。
51.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述正极电压电流传输线501或负极电压电流传输线502上还设置有保险丝4。
52.具体地，保险丝4可以在测试过程中电流或电压过高时自动熔断，从而使得其中一个待检测芯片7的错误不会影响整个老化板1。
53.更优地，在一示例性实施例中，所述老化板1为耐受175℃的pcb电路板。更优地，在一示例性实施例中，所述吸波薄膜材料层是2～3mm之间的金属薄膜纸(金属粘胶)。
54.更优地，在一示例性实施例中，所述匹配板2焊接于老化板1上。更优地，在一示例性实施例中，所述匹配板2放置于老化板1对应的插座上。
55.因此，在上述两个示例性实施例中，公开了两种匹配板2与老化板1的连接方式：在其中一示例性实施例中，采用焊接的方式实现固定连接，从而达到稳定可靠连接的优点；而在又一示例性实施例中，采用插座安装的方式实现连接，采用该种方式使得可以在每次测试时选择对应规格和参数的匹配板2，从而使得每次均可以匹配上最好参数的匹配板。
56.参见图3，图3示出了本实用新型一示例性实施例提供的一种防芯片自激振荡老化测试系统，包括如所述的测试装置8和试验箱9，所述试验箱9分别与正极电压电流传输线501和负极电压电流传输线502连接。
57.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化或
变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。