技术特征：
1.一种集成电路(ic)芯片，其特征在于，包括：第一类型的第一温度传感器；以及不同于所述第一类型的第二类型的第二温度传感器，其中所述第一温度传感器被配置成用于校准所述第二温度传感器，且所述第二温度传感器被配置成用于校准之后的温度感测。2.根据权利要求1所述的ic芯片，其特征在于：所述第一类型的所述第一温度传感器的特征在于第一操作电压；并且所述第二类型的所述第二温度传感器的特征在于小于所述第一操作电压的第二操作电压。3.根据权利要求1所述的ic芯片，其特征在于：在校准期间，所述第一温度传感器被配置成确定所述ic芯片的第一电流温度，且所述第二温度传感器被配置成确定所述ic芯片的第二电流温度；并且所述ic芯片另外包括电连接到所述第一温度传感器和所述第二温度传感器中的每一者的处理元件，所述处理元件被配置成确定所述第一电流温度与所述第二电流温度之间的差，所述差用于确定用于所述第二温度传感器的校准参数。4.根据权利要求3所述的ic芯片，其特征在于，所述第一温度传感器包括基于双极结晶体管(基于bjt)的温度传感器，所述基于bjt的温度传感器被配置成进行电压校准以确定所述ic芯片的所述第一电流温度。5.根据权利要求1所述的ic芯片，其特征在于，另外包括不同于所述第一温度传感器的所述第一类型的第三类型的第三温度传感器，其中所述第一温度传感器另外被配置成用于校准所述第三温度传感器，且所述第三温度传感器被配置成用于校准之后的温度感测。6.一种实施于集成电路(ic)芯片中的方法，所述ic芯片包括第一类型的第一温度传感器和不同于所述第一类型的第二类型的第二温度传感器，其特征在于，所述方法包括：利用所述第一温度传感器来校准所述第二温度传感器；以及在所述校准操作之后，利用所述第二温度传感器来感测所述ic芯片的温度。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一类型的所述第一温度传感器的特征在于第一操作电压，且所述第二类型的所述第二温度传感器的特征在于小于所述第一操作电压的第二操作电压，并且所述方法另外包括在所述校准操作之后停止对所述第一温度传感器的供电。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述校准操作包括：在所述第一温度传感器处确定所述ic芯片的第一电流温度；在所述第二温度传感器处确定所述ic芯片的第二电流温度；在电连接到所述第一温度传感器和所述第二温度传感器中的每一者的处理元件处确定所述第一电流温度与所述第二电流温度之间的差；以及利用所述差来确定用于所述第二温度传感器的校准参数。9.一种集成电路(ic)芯片，其特征在于，包括：特征在于第一操作电压的第一类型的第一温度传感器；以及不同于所述第一类型的第二类型的第二温度传感器，所述第二类型的特征在于小于所述第一操作电压的第二操作电压，其中所述第一温度传感器被配置成用于校准所述第二温
度传感器，所述第一温度传感器被配置成在校准之后断电，且所述第二温度传感器被配置成用于校准之后的温度感测。10.根据权利要求9所述的ic芯片，其特征在于：在校准期间，所述第一温度传感器被配置成确定所述ic芯片的第一电流温度，且所述第二温度传感器被配置成确定所述ic芯片的第二电流温度；并且所述ic芯片另外包括电连接到所述第一温度传感器和所述第二温度传感器中的每一者的处理元件，所述处理元件被配置成确定所述第一电流温度与所述第二电流温度之间的差，所述差用于确定用于所述第二温度传感器的校准参数。
技术总结
一种集成电路(IC)芯片包括第一类型的第一温度传感器和不同于所述第一类型的第二类型的第二温度传感器。一种实施于所述IC芯片中的方法需要利用所述第一温度传感器来校准所述第二温度传感器，以及在所述校准操作之后，利用所述第二温度传感器来感测所述IC芯片的温度。所述第一温度传感器可以是被配置成进行电压校准的基于双极结晶体管的温度传感器。可替换的是，所述第一温度传感器可以是基于热扩散率的温度传感器。所述第二温度传感器可以是相对于所述第一温度传感器的低功耗传感器，且所述第一温度传感器可以在所述第二温度传感器的校准之后断电。器的校准之后断电。器的校准之后断电。
技术研发人员：罗伯特
受保护的技术使用者：恩智浦有限公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2022/7/29