1.一种三维芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维芯片，其特征在于，所述芯片单元远离所述三维键合结构的一侧还设置有连接所述键合结构的电信号接收端子，所述电信号接收端子用于接收检测信号，所述测试结构用于传导所述介质层在所述电信信号接收端子接收所述检测信号的情况下产生的电荷。
3.根据权利要求2所述的三维芯片，其特征在于，所述芯片单元还包括：
4.根据权利要求3所述的三维芯片，其特征在于，同一所述芯片单元中，相邻的两个所述键合结构中的一者电连接所述第一电极，另一者电连接所述第二电极。
5.根据权利要求3所述的三维芯片，其特征在于，同一所述三维键合结构中，对应连接的两个所述键合结构电连接所述第一电极；或者，
6.根据权利要求3所述的三维芯片，其特征在于，所述芯片单元还包括：
7.一种芯片单元，其特征在于，包括：
8.一种三维芯片的可靠性测试方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述利用所述电信号测试仪检测所述介质层的漏电状态，包括：
10.根据权利要求9所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述基于所述漏电状态确定所述三维键合结构的可靠性，包括：
11.根据权利要求9所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述基于所述漏电状态确定所述三维键合结构的可靠性，包括：
12.根据权利要求11所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述在不同的测试条件下，测试多个所述三维芯片的漏电流，得到测试样本数据，包括：
13.根据权利要求12所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述基于所述测试样本数据中的所述漏电流与所述测试条件建立三维芯片寿命评估模型，包括：
14.根据权利要求13所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述基于所述三维芯片评估模型以及所述待测芯片的工作条件数据确定所述待测芯片的评估寿命，包括：
15.一种电子设备，其特征在于，包括：
16.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求8-14中任一项所述的可靠性测试方法。
17.一种测试设备，其特征在于，包括：