技术特征：
1.无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，包括：传感装置和采样测量装置；所述传感装置包括激光发射器、反射率检测片、电容线圈组和第一放大器板；所述激光发射器用于发射激光至待测半导体上产生光电压；所述电容线圈组用于接收待测半导体表面光电压产生的静电荷；所述反射率检测片用于接收待测半导体反射的激光，将所述光信号转换为电信号；所述第一放大器板用于接收所述静电荷和所述电信号，分别对所述静电荷和所述电信号进行预处理得到第一中间数据和反射率检测片接收功率；所述采样测量装置用于接收所述第一中间数据和所述反射率检测片接收功率，并分别对所述第一中间数据和所述反射率检测片接收功率进行计算得到待测半导体的方阻值和绒面反射率。2.根据权利要求1所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述电容线圈组中心设置有挖空区，所述激光发射器的发射端和所述反射率检测片的接收端均通过所述挖空区垂直朝向待测半导体；所述电容线圈组和所述反射率检测片均通过连接线连接所述第一放大器板的输入端；所述第一放大器板的输出端电性连接所述采样测量装置的输入端。3.根据权利要求2所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述第一放大器板包括：电荷感应放大器和脉冲光源驱动器；所述脉冲光源驱动器的输出端电性连接所述激光发射器的输入端；所述电容线圈组和所述反射率检测片均电性连接所述电荷感应放大器的输入端；所述电荷感应放大器的输出端通过通讯连接装置连接所述采样测量装置的输入端。4.根据权利要求3任一所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述采样测量装置包括：电源、第二放大器和处理器；所述电源电性连接所述第二放大器和所述处理器；所述电荷感应放大器的输出端电性连接所述第二放大器的输入端，所述第二放大器的输出端电性连接所述处理器的输入端。5.根据权利要求4所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述电容线圈组包括至少两个电容线圈；两个所述电容线圈同心设置，两个所述电容线圈内径大小不同，两个所述电容线圈的底面位于同一平面；两个所述电容线圈的底面分别为第一接收平面和第二接收平面，所述第一接收平面用于获取第一电压，所述第二接收平面用于获取第二电压；所述第一接收平面、所述第二接收平面与待测半导体之间的距离大于0且小于预设阈值。6.根据权利要求4所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述采样测量装置测量待测半导体的绒面反射率的方法为：获取所述激光发射器的发射功率，并引入绒面标定系数对所述反射率检测片接收功率进行修正，得到绒面反射率；其中，所述绒面标定系数指，所述反射率检测片通过测量已知反射率的标准电池片得到的耗散因子和耗散常数。7.根据权利要求5所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述采样测量装置测
量待测半导体的方阻的方法为：从所述电荷感应放大器接收一级放大后的第一电压和第二电压，通过第二放大器对所述第一电压和所述第二电压进行二级放大；通过adc采样分别获取二级放大后的所述第一电压和所述第二电压的电压幅度和相位；根据所述第一电压和所述第二电压的电压幅度和相位差，以及两个所述电容线圈半径之差，通过线性拟合的方式计算得到待测半导体的方阻值。8.根据权利要求7所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述采样测量装置的输出端连接有上位机；所述上位机包括显示模块和优化模块；所述显示模块通信连接所述优化模块；所述显示模块用于接收并显示所述待测半导体的方阻值和绒面反射率；所述优化模块用于进行方阻值与绒面反射率测量的参数校准。9.根据权利要求8所述的无损方阻及绒面测量装置，其特征在于，所述优化模块包括：功率检测装置、测距装置和控制器；所述控制器电性连接所述功率检测装置、所述激光发射器、所述测距装置和所述处理器；所述功率检测装置电性连接所述激光发射器；所述功率检测装置用于检测所述激光发射器的功率并发送功率数据至所述控制器；所述测距装置用于检测所述激光发射器的激光头到半导体表面的距离并发送距离数据至所述控制器；所述控制器用于检测到所述激光发射器的功率数据发生衰减后调节所述激光发射器的功率；所述控制器还用于通过所述距离数据实时将距离因子补偿到所述处理器中的方阻值测量因子与绒面反射率测量因子中。
技术总结
本发明提供的无损方阻及绒面测量装置，属于半导体检测技术领域，包括激光发射器、反射率检测片、电容线圈组、第一放大器板和采样测量装置；激光发射器发射激光至半导体上产生光电压；电容线圈组接收光电压产生的静电荷；反射率检测片接收半导体反射的激光，将光信号转换为电信号；第一放大器板接收静电荷和电信号，并进行预处理得到第一中间数据和反射率检测片接收功率；采样测量装置接收第一中间数据和反射率检测片接收功率，并计算得到待测半导体的方阻值和绒面反射率。本发明在不损伤半导体绒面进行方阻测量的同时实时对绒面反射率进行检测，既规避了现有的方阻测量给绒面带来的损伤，也能实时在线检测绒面的质量，提高了半导体质量检测效率。半导体质量检测效率。半导体质量检测效率。
技术研发人员：贺小勇 张长青 胡冬来 张禧照
受保护的技术使用者：江苏森标科技有限公司
技术研发日：2022.04.01
技术公布日：2022/9/2