电容容量的确定方法、装置、计算机设备和存储介质与流程

1.本公开涉及电网储能检测技术领域，特别是涉及一种电容容量的确定方法、装置、计算机设备和存储介质。


背景技术：

2.近年来，在电力供电系统输送的功率中，开关电源的功率所占的比例逐渐增大。在开关电源中，不控整流电路的应用非常普遍。通常情况下，整流电路将交流变成脉动的直流，为了减小脉动程度，会在整流电路后接入一个电容，利用电容的充放电特性，将脉动直流电压转换为相对稳定的直流电压。因此，电容的储能大小会影响电路的工作状态。
3.然而，现有的电容容量的检测，需要获取电容器极板的几何形状、电荷量或负载的数据，适用范围较小。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够直接根据网侧参数确定电容容量的确定方法、装置、计算机设备和存储介质。
5.第一方面，本公开实施例提供了一种电容容量的确定方法。所述方法应用于单相桥式不控整流电路，所述单相桥式不控整流电路的输入端通过电阻和电感后与交流电压源电性连接，所述单相桥式不控整流电路的输出端与储能电容和负载电性连接，包括：
6.获取所述交流电压源的第一物理参数、所述单相桥式不控整流电路与所述交流电压源之间的第二物理参数、所述单相桥式不控整流电路中单个二极管的第三物理参数；
7.根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数；
8.根据所述第一物理参数、所述第二物理参数及所述第四物理参数确定所述储能电容的容量。
9.在其中一个实施例中，所述根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数，包括：
10.根据所述第二物理参数和所述第三物理参数确定负载功率损耗；
11.根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数及所述负载功率损耗确定所述负载的第四物理参数。
12.在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源两端的有功功率，所述根据第二物理参数确定负载功率损耗，包括：
13.根据所述第二物理参数确定所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗；
14.根据所述第二物理参数及所述第三物理参数确定总二极管功率损耗；
15.根据所述有功功率、所述电阻功率损耗、所述总二极管功率损耗确定负载功率损耗。
16.在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不
控整流电路之间的电阻值及所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述根据所述第二物理参数确定所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗，包括：
17.确定所述电阻值的平方与所述电流有效值之积为所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗。
18.在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻，所述根据所述第二物理参数及所述第三物理参数确定总二极管功率损耗，包括：
19.根据所述电流有效值确定经过所述二极管的电流值；
20.根据所述经过所述二极管的电流值以及所述斜率电阻确定总二极管功率损耗。
21.在其中一个实施例中，所述第一物理参数包括电压源的电压有效值，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值和电感值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻和导通电压，所述根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数，包括：
22.根据所述电阻值和所述斜率电阻确定负载两端电路对应的等效电阻；
23.根据所述等效电阻和所述电感值确定负载两端电路对应的等效阻抗；
24.根据所述电压有效值和所述导通电压确定端口电压；
25.根据所述等效阻抗、所述端口电压及所述第二物理参数确定负载的第四物理参数。
26.在其中一个实施例中，所述第一物理参数还包括所述交流电压源的周期，所述第二物理参数还包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电压有效值，所述根据所述第一物理参数、所述第二物理参数及所述第四物理参数确定所述储能电容的容量，包括：
27.获取电容滤波电路的输出电压方程；
28.将所述周期、所述电压有效值和所述第四物理参数代入所述输出电压方程确定所述储能电容的容量。
29.第二方面，本公开实施例还提供了一种电容容量的确定装置。所述装置应用于单相桥式不控整流电路，所述单相桥式不控整流电路的输入端通过电阻和电感后与交流电压源电性连接，所述单相桥式不控整流电路的输出端与储能电容和负载电性连接，包括：
30.获取模块，用于获取所述交流电压源的第一物理参数、所述单相桥式不控整流电路与所述交流电压源之间的第二物理参数、所述单相桥式不控整流电路中单个二极管的第三物理参数；
31.第一确定模块，用于根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数；
32.第二确定模块，用于根据所述第一物理参数、所述第二物理参数及所述第四物理参数确定所述储能电容的容量。
33.在其中一个实施例中，所述第一确定模块，包括：
34.第一确定子模块，用于根据所述第二物理参数和所述第三物理参数确定负载功率损耗；
35.第二确定子模块，用于根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数及所述负载功率损耗确定所述负载的第四物理参数。
36.在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源两端的有功功率，所述第一确定子模块，包括：
37.第一确定单元，用于根据所述第二物理参数确定所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗；
38.第二确定单元，用于根据所述第二物理参数及所述第三物理参数确定总二极管功率损耗；
39.第三确定单元，用于根据所述有功功率、所述电阻功率损耗、所述总二极管功率损耗确定负载功率损耗。
40.在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值及所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述第一确定单元，包括：
41.第一确定子单元，用于确定所述电阻值的平方与所述电流有效值之积为所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗。
42.在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻，所述第二确定单元，包括：
43.第一确定子单元，用于根据所述电流有效值确定经过所述二极管的电流值；
44.第二确定子单元，用于根据所述经过所述二极管的电流值以及所述斜率电阻确定总二极管功率损耗。
45.在其中一个实施例中，所述第一物理参数包括电压源的电压有效值，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值和电感值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻和导通电压，所述第一确定模块，包括：
46.第一确定子模块，用于根据所述电阻值和所述斜率电阻确定负载两端电路对应的等效电阻；
47.第二确定子模块，用于根据所述等效电阻和所述电感值确定负载两端电路对应的等效阻抗；
48.第三确定子模块，用于根据所述电压有效值和所述导通电压确定端口电压；
49.第四确定子模块，用于根据所述等效阻抗、所述端口电压及所述第二物理参数确定负载的第四物理参数。
50.在其中一个实施例中，所述第一物理参数还包括所述交流电压源的周期，所述第二物理参数还包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电压有效值，所述第二确定模块，包括：
51.获取子模块，用于获取电容滤波电路的输出电压方程；
52.确定子模块，用于将所述周期、所述电压有效值和所述第四物理参数代入所述输出电压方程确定所述储能电容的容量。
53.第三方面，本公开实施例还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现本公开实施例中任一项所述的方法的步骤。
54.第四方面，本公开实施例还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存
储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本公开实施例中任一项所述的方法的步骤。
55.第五方面，本公开实施例还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现本公开实施例中任一项所述的方法的步骤。
56.本公开实施例，电力供电系统中，应用单相桥式不控整流电路的开关电源中，首先获取交流电压源的物理参数、所述不控整流电路与所述交流电压源之间的物理参数以及所述不控整流电路中单个二极管的物理参数，根据获取到的物理参数确定负载对应的物理参数，从而能够根据交流电压源的物理参数、不控整流电路与交流电压源之间的物理参数以及负载对应的物理参数确定储能电容的容量大小，实现了通过不控整流电路输入端的参数直接确定输出端储能电容大小，无需获取电容器或负载的参数，操作简单，适用范围大，维护人员可以根据储能电容的储能大小判断电路的工作状态，提升了电路的稳定性和安全性。
附图说明
57.图1为一个实施例中电容容量的确定方法的流程示意图；
58.图2为一个实施例中网侧有功功率随电容储能大小变化的曲线图；
59.图3为一个实施例中电容容量的确定方法的流程示意图；
60.图4为一个实施例中电容容量的确定方法的流程示意图；
61.图5为一个实施例中单相桥式不控整流电路的仿真示意图；
62.图6为一个实施例中电容容量的确定装置的结构框图；
63.图7为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
64.为了使本公开实施例的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本公开实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本公开实施例，并不用于限定本公开实施例。
65.在一个实施例中，如图1所示，提供了一种电容容量的确定方法，所述方法应用于单相桥式不控整流电路，所述单相桥式不控整流电路的输入端通过电阻和电感后与交流电压源电性连接，所述单相桥式不控整流电路的输出端与储能电容和负载电性连接，包括
66.步骤s110，获取所述交流电压源的第一物理参数、所述单相桥式不控整流电路与所述交流电压源之间的第二物理参数、所述单相桥式不控整流电路中单个二极管的第三物理参数；
67.本公开实施例中，获取交流电压源的物理参数、所述单相桥式不控整流电路与所述交流电压源之间的物理参数以及所述单相桥式不控整流电路中单个二极管的物理参数。在一个示例中，物理参数通常包括电压、电流、电阻、功率等电路参数。其中，所述物理参数可以为直接根据元件固有参数获取，也可以为通过现场测量的数据获取。在单相桥式不控整流电路中，通常包括四个二极管，且四个二极管物理参数一致。
68.步骤s120，根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所
述负载的第四物理参数；
69.本公开实施例中，在获取到所述物理参数后，通过电路中电阻、电压、电流、功率之间的关系，根据所述物理参数确定负载对应的物理参数，其中，负载对应的物理参数通常包括负载电压、负载电流以及负载的等效电阻。
70.步骤s130，根据所述第一物理参数、所述第二物理参数及所述第四物理参数确定所述储能电容的容量。
71.本公开实施例中，确定负载对应的物理参数后，通过电路中电阻、电压、电流、功率之间的关系，根据交流电压源的物理参数、不控整流电路与交流电压源之间的物理参数以及负载对应的物理参数确定储能电容的容量。
72.在一个示例中，电容储能大小对网侧有功功率的影响如图2所示，通过该图可以看出电容储能大小对网侧有功功率的影响较大，所以有必要对直流侧储能电容进行准确计算以便于及时获取电路状态及电路异常信息，提升电路的稳定性。
73.本公开实施例，电力供电系统中，应用单相桥式不控整流电路的开关电源中，首先获取交流电压源的物理参数、所述不控整流电路与所述交流电压源之间的物理参数以及所述不控整流电路中单个二极管的物理参数，根据获取到的物理参数确定负载对应的物理参数，从而能够根据交流电压源的物理参数、不控整流电路与交流电压源之间的物理参数以及负载对应的物理参数确定储能电容的容量大小，实现了通过不控整流电路输入端的参数直接确定输出端储能电容容量大小，无需获取电容器或负载的参数，操作简单，适用范围大，维护人员可以根据储能电容的储能大小判断电路的工作状态，提升了电路的稳定性和安全性。
74.在一个实施例中，如图3所示，所述根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数，包括：
75.步骤s121，根据所述第二物理参数和所述第三物理参数确定负载功率损耗；
76.步骤s122，根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数及所述负载功率损耗确定所述负载的第四物理参数。
77.本公开实施例中，在根据获取到的物理参数确定负载的物理参数时，首先可以根据所述单相桥式不控整流电路与交流电压源之间的物理参数、二极管的物理参数确定负载对应的功率损耗。根据获取到的交流电压源的物理参数、所述单相桥式不控整流电路与交流电压源之间的物理参数、单个二极管的物理参数以及负载对应的功率损耗确定负载对应的物理参数，其中，负载对应的物理参数通常包括负载的电流、负载的电压以及负载的等效电阻。
78.本公开实施例，通过整流电路与电压源之间的物理参数确定负载对应的功率损耗，然后通过负载对应的功率损耗以及获取到的物理参数确定负载对应的物理参数，从而实现了根据不控整流电路输出端之前的电路参数确定负载对应的物理参数，无需获取负载参数，操作简单，适用范围广。
79.在一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源两端的有功功率，所述根据第二物理参数确定负载功率损耗，包括：
80.根据所述第二物理参数确定所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗；
81.根据所述第二物理参数及所述第三物理参数确定总二极管功率损耗；
82.根据所述有功功率、所述电阻功率损耗、所述总二极管功率损耗确定负载功率损耗。
83.本公开实施例中，不控整流电路与所述交流电压源之间的物理参数包括电压源两端的有功功率。在确定负载的功率损耗时，首先根据所述不控整流电路与交流电压源之间的物理参数确定所述不控整流电路与交流电压源之间的电阻功率损耗，然后根据不控整流电路中的二极管的物理参数确定所述不控整流电路中的总二极管功率损耗。根据交流电压源两端的有功功率、电阻功率损耗以及不控整流电路中的总二极管功率损耗确定负载的功率损耗，其中，根据基本电路原理，理想状态下，如式(1)所示，负载的功率损耗pd等于有功功率p1减去电阻功率损耗δp
tr
和总二极管功率损耗δp
vd
。
84.pd＝p
1-δp
tr-δp
vd4
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
85.本公开实施例，通过获取到的物理参数确定电阻功率损耗和总二极管功率损耗，根据有功功率、电阻功率损耗和总二极管功率损耗确定负载的功率损耗，实现了根据不控整流电路之前的电路参数确定负载侧的电路参数，从而能够计算得到负载对应的物理参数，适用范围大。
86.在一个示例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值及所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述根据所述第二物理参数确定所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗，包括：
87.确定所述电阻值的平方与所述电流有效值之积为所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗。
88.本公开实施例中，所述第二物理参数包括交流电压源和单相桥式不控整流电路输入端之间的电阻值r
t
以及不控整流电路输入端的电流有效值i
2rms
。根据功率、电阻和电流之间的关系，如式(2)所示，确定电阻值的平方与电流有效值之积为所述单相桥式不控整流电路输入端之前的电阻功率损耗δp
tr
。
[0089][0090]
本公开实施例，通过获取交流电压源与不控整流电路之间的电阻值以及不控整流电路输入端的电流有效值能够确定不控整流电路之前的电阻功率损耗，从而能够在后续进一步得到负载的功率损耗。
[0091]
在一个实施例中，所述第二物理参数包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻，所述根据所述第二物理参数及所述第三物理参数确定总二极管功率损耗，包括：
[0092]
根据所述电流有效值确定经过所述二极管的电流值；
[0093]
根据所述经过所述二极管的电流值以及所述斜率电阻确定总二极管功率损耗。
[0094]
本公开实施例中，第二物理参数包括不控整流电路的输入端的电流有效值i
2rms
，第三物理参数包括二极管的斜率电阻r
t
。在确定总二极管功率损耗时，根据不控整流电路输入端的电流有效值确定经过所述二极管的电流值按照电阻、电流、功率之间的关系，如式(3)所示，根据经过二极管的电流值及二极管的斜率电阻确定单个二极管的功率损耗，并根据单个二极管的功率损耗确定所述不控整流电路中的总二极管的功率损耗
δp
vd
。
[0095][0096]
本公开实施例，实现了通过获取到的物理参数确定不控整流电路中的总二极管功率损耗，从而能够在后续进一步得到负载的功率损耗。
[0097]
在一个实施例中，所述第一物理参数包括电压源的电压有效值，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值和电感值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻和导通电压，所述根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数，包括：
[0098]
根据所述电阻值和所述斜率电阻确定负载两端电路对应的等效电阻；
[0099]
根据所述等效电阻和所述电感值确定负载两端电路对应的等效阻抗；
[0100]
根据所述电压有效值和所述导通电压确定端口电压；
[0101]
根据所述等效阻抗、所述端口电压及所述第二物理参数确定负载的第四物理参数。
[0102]
本公开实施例中，获取到的物理参数包括电压源的电压有效值v
20
、交流电压源与不控整流电路输入端之间的电阻值r
t
和电感值lt、二极管的斜率电阻r
t
和导通电压vf。按照基本电路原理，如式(4)所示，根据交流电压源与不控整流电路输入端之间的电阻值及二极管的斜率电阻值确定负载两端对应的电路中的等效电阻r
sum
。然后根据等效电阻及电感值确定负载两端电路对应的等效阻抗z
sum
。根据交流电压源的电压有效值及二极管的导通电压确定负载两端电路对应的端口电压v
d0
。最后根据获取到的等效阻抗、端口电压以及第二物理参数确定负载对应的物理参数。在一个示例中，如式(5)所示，建立方程组求解，得到负载电压平均值v
davg
和负载等效电阻r
load
。
[0103]rsum
＝r
t
+2*r
t
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(4)
[0104][0105]
本公开实施例，将负载两端的电路作为一个整体，确定该电路的等效阻抗和端口电压，并最终确定负载的物理参数，考虑到了电路阻抗的影响，提升了后续电容容量计算的准确性，适用性强，应用范围广。
[0106]
在一个实施例中，所述第一物理参数还包括所述交流电压源的周期，所述第二物理参数还包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电压有效值，所述根据所述第一物理参数、所述第二物理参数及所述第四物理参数确定所述储能电容的容量，包括：
[0107]
获取电容滤波电路的输出电压方程；
[0108]
将所述周期、所述电压有效值和所述第四物理参数代入所述输出电压方程确定所述储能电容的容量。
[0109]
本公开实施例中，还获取交流电压源的周期，以及所述不控整流电路的输入端的
电压有效值。本公开实施例中的电路为电容滤波电路，因此，获取电容滤波电路的输出电压公式，如式(6)所示，根据所述交流电压源的周期确定所述交流电压源的频率，将频率、电压有效值及负载对应的物理参数代入至所述输出电压方程，确定储能电容的容量。
[0110][0111]
本公开实施例，通过电容滤波电路的输出电压方程确定所述储能电容的容量，实现了根据无需负载和电容板的参数就可以直接确定储能电容的容量，适用范围广，操作简单，有利于维护人员及时准确获取电路状态，提升了电路的稳定性和安全性。
[0112]
图4是根据一示例性实施例示出的一种电容容量的确定方法的示意图，参考图4所示，所述方法应用于无pfc单相桥式不控整流电路，根据设计需要或者现场测试的数据，获得交流电压源的频率f、有效值v
20
，网侧电感和电阻l
t
、r
t
，二极管斜率电阻r
t
、导通电压vf，测得进线侧有功功率为p1，交流侧电压有效值v
2rms
及电流的有效值i
2rms
；计算网侧电阻功率损耗δp
tr
及二极管损耗δp
vd
：交流电周期网侧电阻功率损耗通过二极管的方均根电流在交流输入电压正半周内两只二极管导通，负半周波另外两只二极管导通，二极管功率损耗通过建立有功功率平衡得到负载有功损耗pd＝p
1-δp
tr-δp
vd4
；计算出负载电压v
davg
、负载电流id及负载电阻r
load
：空载条件下，单相桥式整流电路由直流侧为端口，电路等效电阻r
sum
＝r
t
+2*r
t
；电路等效阻抗其中x
t
为网侧感抗，x
t
＝2π*f*l
t
，端口电压则负载条件下，负载等效电阻为r
load
，负载电压平均值为v
davg
，通过方程组可求出负载电压平均值v
davg
和负载等效电阻r
load
；对于电容滤波电路，工程上输出电压的算法为则将v
davg
、v
2rms
及r
load
带入上式即可求出c值。通过本公开实施例可以通过测量整流电路的并网参数计算出直流侧储能容量的大小，同时还可以计算出直流侧的电路参数，在电路工作异常时可以通过检查电路参数找出问题。
[0113]
在一个实施例中，如图5所示，可以利用matlab/simulink进行仿真，电压源频率为50hz，电压有效值为25v，网侧电阻为0.26ω，感抗为0.23ω，二极管导通电压为1.25v，斜率电阻为0.055ω。设定滤波电容为16500μf，负载电阻为1.82ω，满足所有公式单位均为国际单位制。测量模块1用于获取交流电压源输出的有功功率，测量模块2用于
获取不控整流电路交流输入侧的电压有效值，测量模块3用于获取负载两端的电压值，测量模块4用于获取流过负载的电流值，测量模块5用于获取不控整流电路直流输出侧的电流值，测量模块6用于获取不控整流电路交流输入侧的电流有效值。下面通过进线侧数据来估算直流侧储能容量大小，并与设定的电容值进行对比。首先通过测量模块1测得交流电压源输出的有功功率，即进线侧有功功率p1＝363.2w，交流侧电流有效值i
2rms
＝16a，电压有效值v
2rms
＝20v。
[0114]
计算网侧电阻功率损耗通过二极管的电流有效值单个二极管的有功损耗δp
vd1
＝7.04w，则二极管的有功损耗δp
vd4
＝4*δp
vd1
＝28.2w。忽略电容损耗，得到负载损耗pd＝p
1-δp
tr-δp
vd4
＝268w。
[0115]
电路总电阻r
sum
＝r
t
+2*r
t
＝0.37ω，总阻抗交流电压源的峰值电压无负载时电容电压v
d0
＝v
2pk-2*vf＝32.9v，负载电阻根据可以求出v
davg
＝22.4v，负载电流
[0116]
最后，将求出的值带入中可得到电容c＝15400μf。
[0117]
将计算结果与仿真结果进行对比，结果如表1所示：
[0118]
表1
[0119] id/av
davg
/vr
load
/ωc/μf计算值11.922.41.8715400仿真值11.222.11.8216500误差6.3％1.4％2.7％-6.7％
[0120]
通过对比可以得出：利用本公开实施例得到的电压值误差在2％误差范围内，电流值在7％误差范围内，负载电阻值在3％误差范围内，电容的误差在7％左右。
[0121]
根据仿真结果可以看出，利用本公开实施例得到的直流侧电容储能大小与实际电容储能大小接近，而且计算方法简单，当电路中参数改变时可以快速得出结果，同时还可以求出电路中各个参数，在电路工作异常时可以通过检查各个参数找出问题。通过本公开实施例可以通过网侧电路参数估算出直流侧储能容量大小，准确度较高，实用性强。
[0122]
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，附图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0123]
基于同样的发明构思，本公开实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的电容容量的确定方法的电容容量的确定装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中
所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个电容容量的确定装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于电容容量的确定方法的限定，在此不再赘述。
[0124]
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种电容容量的确定装置，所述装置应用于单相桥式不控整流电路，所述单相桥式不控整流电路的输入端通过电阻和电感后与交流电压源电性连接，所述单相桥式不控整流电路的输出端与储能电容和负载电性连接，包括：
[0125]
获取模块610，用于获取所述交流电压源的第一物理参数、所述单相桥式不控整流电路与所述交流电压源之间的第二物理参数、所述单相桥式不控整流电路中单个二极管的第三物理参数；
[0126]
第一确定模块620，用于根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数确定所述负载的第四物理参数；
[0127]
第二确定模块630，用于根据所述第一物理参数、所述第二物理参数及所述第四物理参数确定所述储能电容的容量。
[0128]
在其中一个实施例中，所述第一确定模块，包括：
[0129]
第一确定子模块，用于根据所述第二物理参数和所述第三物理参数确定负载功率损耗；
[0130]
第二确定子模块，用于根据所述第一物理参数、所述第二物理参数、所述第三物理参数及所述负载功率损耗确定所述负载的第四物理参数。
[0131]
在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源两端的有功功率，所述第一确定子模块，包括：
[0132]
第一确定单元，用于根据所述第二物理参数确定所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗；
[0133]
第二确定单元，用于根据所述第二物理参数及所述第三物理参数确定总二极管功率损耗；
[0134]
第三确定单元，用于根据所述有功功率、所述电阻功率损耗、所述总二极管功率损耗确定负载功率损耗。
[0135]
在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值及所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述第一确定单元，包括：
[0136]
第一确定子单元，用于确定所述电阻值的平方与所述电流有效值之积为所述单相桥式不控整流电路之前的电阻功率损耗。
[0137]
在其中一个实施例中，所述第二物理参数包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电流有效值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻，所述第二确定单元，包括：
[0138]
第一确定子单元，用于根据所述电流有效值确定经过所述二极管的电流值；
[0139]
第二确定子单元，用于根据所述经过所述二极管的电流值以及所述斜率电阻确定总二极管功率损耗。
[0140]
在其中一个实施例中，所述第一物理参数包括电压源的电压有效值，所述第二物理参数包括所述交流电压源与所述单相桥式不控整流电路之间的电阻值和电感值，所述第三物理参数包括所述二极管的斜率电阻和导通电压，所述第一确定模块，包括：
[0141]
第一确定子模块，用于根据所述电阻值和所述斜率电阻确定负载两端电路对应的等效电阻；
[0142]
第二确定子模块，用于根据所述等效电阻和所述电感值确定负载两端电路对应的等效阻抗；
[0143]
第三确定子模块，用于根据所述电压有效值和所述导通电压确定端口电压；
[0144]
第四确定子模块，用于根据所述等效阻抗、所述端口电压及所述第二物理参数确定负载的第四物理参数。
[0145]
在其中一个实施例中，所述第一物理参数还包括所述交流电压源的周期，所述第二物理参数还包括所述单相桥式不控整流电路的输入端的电压有效值，所述第二确定模块，包括：
[0146]
获取子模块，用于获取电容滤波电路的输出电压方程；
[0147]
确定子模块，用于将所述周期、所述电压有效值和所述第四物理参数代入所述输出电压方程确定所述储能电容的容量。
[0148]
上述电容容量的确定装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0149]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图7所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储物理参数等数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种电容容量的确定方法。
[0150]
本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本公开实施例方案相关的部分结构的框图，并不构成对本公开实施例方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0151]
在一个实施例中，还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。
[0152]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
[0153]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
[0154]
需要说明的是，本公开实施例所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
[0155]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，
本公开实施例所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本公开实施例所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本公开实施例所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0156]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0157]
以上所述实施例仅表达了本公开实施例的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本公开实施例专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开实施例构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开实施例的保护范围。因此，本公开实施例的保护范围应以所附权利要求为准。