用于确定电阻片耐受度的方法、存储介质及处理器与流程

1.本技术涉及雷电防护领域，具体地涉及一种用于确定电阻片耐受度的方法、存储介质及处理器。


背景技术：

2.随着我国社会经济的持续发展，电力用户对电能的依赖越来越强，对电力系统的供电可靠性要求也越来越高。配电网线路分布广泛、设备数量众多。位于多重雷击地区的配电网若一经雷击极易发生跳闸，严重时线路可能发生断线和配电变压器损坏。目前，通过在配电线路上安装避雷器来防护雷电过电压以降低跳闸率，但还是会由于避雷器耐受能力不足而导致雷电防护失效。由此，在配电网线路的避雷器投入正式运行前亟需测试避雷器或避雷器中电阻片耐受雷电流的性能。
3.通常采用单次非连续电流冲击模拟多重雷击现象，以对避雷器或者避雷器中的电阻片进行耐受测试。例如，可以在重复转移电荷试验中采用8/20μs波形进行20次电流冲击。具体地，可以将电流冲击次数分为10组，每组2次，每次的电流冲击时间间隔为50s～60s，且每组之间的电流冲击时间间隔可以使得测试样品冷却到环境温度。又例如，可以在动作负载试验中，采用4/10μs波形进行2次大电流冲击，但2次电流冲击时间间隔较长。但多重雷击为自然雷击的普遍现象。自然雷电在放电过程中具备重复性，一般重复三次左右，最多可以达到几十次，且多次放电之间的时间间隔为ms级。
4.因此，非连续的单次电流冲击在冲击电流规律、冲击时间间隔、冲击时长、冲击陡度以及电流热效应等与自然雷击的物理特征不太相符，无法较为真实地模拟出多重雷击对避雷器或者避雷器电阻片的影响。若无法真实地模拟出多重雷击现象，则在对避雷器的电阻片进行测试时也无法准确地确定电阻片的实际耐受度。若将耐受度不足的避雷器投入实际运行过程中，不利于配电网在多重雷击地区的正常运行，甚至会更容易引发配电网跳闸故障。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的是提供一种用于确定电阻片耐受度的方法、存储介质及处理器。
6.为了实现上述目的，本技术第一方面提供一种用于确定电阻片耐受度的方法，电阻片为防雷氧化锌电阻片，包括：
7.确定电阻片在预设交流下的第一电压，以及电阻片在预设放电电流下的第一残压；
8.在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为预设波形的情况下，根据电阻片对应的避雷器的负载等级确定电阻片的冲击电流参数的参数值；
9.根据冲击电流参数的参数值对电阻片进行连续电流冲击，并确定连续电流冲击后的电阻片的实时温度；
10.在实时温度降低至环境温度的情况下，确定施加连续电流冲击后的电阻片在预设交流下的第二电压，以及电阻片在预设放电电流下的第二残压；
11.根据第一电压与第二电压确定电压变化率，以及根据第一残压与第二残压确定残压变化率；
12.根据电压变化率与残压变化率确定电阻片的耐受度。
13.本技术第二方面提供一种机器可读存储介质，该机器可读存储介质上存储有指令，该指令在被处理器执行时使得处理器被配置成执行上述的用于确定电阻片耐受度的方法。
14.本技术第三方面提供一种处理器，被配置成执行上述的用于确定电阻片耐受度的方法。
15.通过上述技术方案，能够在较为真实的多重雷击工况下对电阻片施加ms级时间间隔的连续电流冲击，进一步提高电阻片耐受度测试的准确性。在将电阻片所对应的避雷器投入线路使用后，能够大幅度避免避雷器在实际运行过程中发生故障。
16.本技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
17.附图是用来提供对本技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术实施例，但并不构成对本技术实施例的限制。在附图中：
18.图1示意性示出了一种多重雷击测试装置的结构示意图；
19.图2示意性示出了一种多重雷击测试装置的充电模块的结构示意图；
20.图3示意性示出了一种多重雷击测试装置的放电开关的结构示意图；
21.图4示意性示出了一种多重雷击测试装置的数据处理模块的结构示意图；
22.图5示意性示出了另一种多重雷击测试装置的结构示意图；
23.图6示意性示出了一种多重雷击测试装置的平面示意图；
24.图7示意性示出了一种多重雷击测试装置的电路连接示意图；
25.图8示意性示出了另一种多重雷击测试装置的电路连接示意图；
26.图9示意性示出了一种多重雷击测试装置的信号控制模块的功能示意图；
27.图10示意性示出了根据本技术实施例的用于确定电阻片耐受度的方法的流程示意图；
28.图11示意性示出了根据本技术又一实施例的用于确定电阻片耐受度的方法的流程示意图；
29.图12示意性示出了根据本技术实施例的用于确定电阻片耐受度的方法的连续电流冲击示意图；
30.图13示意性示出了根据本技术实施例的计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
31.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解的是，此处所描
述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术实施例，并不用于限制本技术实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
32.图1示意性示出了一种多重雷击测试装置的结构示意图，多重雷击测试装置包括充电模块101、主回路模块102、数据处理模块103以及信号控制模块104，其中：
33.充电模块101，充电模块的输入端与信号控制模块的输出端连接，用于接收信号控制模块发送的充电信号，并根据充电信号对主回路模块中的多个储能电容充电。
34.主回路模块102，包括放电开关，主回路模块与充电模块的输出端电连接，用于接收信号控制模块发送的放电信号，并根据放电信号控制放电开关与所在电路接通，以将主回路模块产生的冲击电流按照预设顺序和预设时间间隔依次加载至待雷击试品。
35.数据处理模块103，与主回路模块连接，用于将获取到充电模块的充电电压以及待雷击试品两端的与冲击电流对应的冲击电压分别转换成电压信号，并发送至信号控制模块。
36.信号控制模块104，与数据处理模块连接，用于接收电压信号，并对电压信号进行分析以确定待雷击试品的测试数据。
37.通过多重雷击测试装置可以对待雷击试品进行连续电流冲击，以确定出待雷击试品的耐受度，从而评价所在生产批次的待雷击试品的生产质量。其中，多重雷击可以指的是一次雷击中发生的多个放电过程。待雷击试品可以指的是整支避雷器，也可以指的是避雷器中的电阻片。具体地，避雷器中的电阻片可以是氧化锌电阻片。
38.多重雷击测试装置可以包括充电模块101、主回路模块102、数据处理模块103以及信号控制模块104。其中，充电模块101与主回路模块之间可以通过电连接。主回路模块与数据处理模块可以通过光纤进行通讯连接。数据处理模块与信号控制模块可以通过光纤进行通讯连接。充电模块、主回路模块以及数据处理模块可以分别与信号控制模块通过光纤进行通讯连接。
39.充电模块101的输入端可以通过光纤与信号控制模块104的输出端进行通讯连接。在需要对待雷击试品进行连续电流冲击的情况下，信号控制模块104可以发送充电信号至充电模块101。充电模块101可以接收信号控制模块104发送的充电信号，并可以根据充电信号对主回路模块102中的多个储能电容充电。进一步地，充电模块还可以根据充电信号调整主回路模块中每个储能电容的充电启停时间、充电电压值和充电电流值等。
40.在充电模块101根据充电信号对主回路模块102中的多个储能电容充电完成后，可以发送充电完毕信号至信号控制模块104。信号控制模块104在接收到充电完毕信号之后，若主回路模块102需要对待雷击试品进行连续电流冲击，则信号控制模块104可以发送放电信号至主回路模块102。
41.主回路模块102可以包括放电开关。主回路模块102可以与充电模块101的输出端电连接。主回路模块102在接收到信号控制模块104发送的放电信号之后，可以根据放电信号控制放电开关与所在电路接通，以将主回路模块102产生的冲击电流按照预设顺序和预设时间间隔依次加载至待雷击试品。即，可以通过主回路模块102产生的冲击电流对待雷击试品进行连续电流冲击。进一步地，主回路模块102还可以根据放电信号调整主回路模块102中的放电回路数、每个放电回路的放电启停时间以及每个放电回路的放电时间间隔等。
42.数据处理模块103可以与主回路模块102通过光纤进行通讯连接。在充电模块101根据充电信号对主回路模块102中的多个储能电容充电后，数据处理模块103可以获取充电模块101的充电电压。在主回路模块102将产生的冲击电流按照预设顺序和预设时间间隔依次加载至待雷击试品时，数据处理模块103可以获取待雷击试品两端的与冲击电流对应的冲击电压。其中，预设顺序可以指的是连通放电开关的顺序。在数据处理模块103将获取到充电电压和冲击电压后，可以将充电电压和冲击电压分别转换成电压信号，并发送至信号控制模块104。
43.信号控制模块104可以通过光纤与数据处理模块103进行通讯连接。信号控制模块104可以获取到数据处理模块103发送的电压信号。在信号控制模块104接收到电压信号的情况下，信号控制模块104可以对电压信号进行分析，以确定待雷击试品的测试数据。进一步地，信号控制模块104可以根据电压信号确定电压峰值、电流峰值、反峰比例、冲击能量以及电荷量等测试数据。
44.通过上述技术方案，能够精确控制主回路模块的放电时间间隔，能够按照放电时间间隔对待雷击试品进行单次大电流连续冲击，有效地模拟待雷击试品在实际线路运行过程中的多重雷击工况，为进一步确定待雷击试品的生产质量提供检测基础。且，通过多重雷击测试装置对待雷击试品进行测试，操作简便，安全性和可靠性高。
45.在一个实施例中，充电模块为恒流充电模块，充电模块包括整流升压单元以及监测单元；其中，整流升压单元包括变压器、整流电容以及二极管，整流升压单元用于根据变压器对电源电压进行一次升压，以及根据整流电容和二极管对一次升压后的电源电压进行二次升压并整流；监测单元用于监测充电模块的充电电压，并在充电电压达到预设工作电压的情况下，发送充电完毕信号至信号控制模块。
46.如图2所示，充电模块101可以为恒流充电模块101。通过恒流充电模块101进行恒流充电，充电电流的电流值维持在一定值，可以避免在恒压充电的情况下初始充电电流较大。且，在主回路模块中的储能电容的电容量较大的情况下可以保证其充电速率，可以使得充电电压均速上升，充电的时间较短。充电模块101可以包括整流升压单元1011和监测单元1012。其中，整流升压单元1011可以包括变压器、整流电容以及二极管。整流升压单元1011可以根据变压器对电源电压进行一次升压。在一次升压完成后，整流升压单元1011可以根据整流电容和二极管对一次升压后的电源电压进行二次升压并整流，以使充电模块101的充电电压达到预设工作电压。监测单元1012可以监测充电模块101的充电电压。在充电电压达到预设工作电压的情况下，监测单元1012可以发送充电完毕信号至信号控制模块。其中，预设工作电压可以为100kv。
47.在一个实施例中，主回路模块包括多个主回路单元和试品容纳装置，试品容纳装置用于存储至少一个待雷击试品，每个主回路单元包括调波组件、储能电容以及放电开关；其中，调波组件包括调波电容、调波电感以及调波电阻，调波组件用于将每个主回路单元的主回路波形调整至预设波形；储能电容用于存储充电模块提供的电荷，并在主回路模块接收到放电信号的情况下产生放电电压；放电开关为等离子体放电开关，放电开关包括喷射接收单元、喷射触发单元以及喷射接收单元与喷射触发单元之间的放电间隙。
48.主回路模块102可以包括多个主回路单元和和试品容纳装置。其中，试品容纳装置可以为试品箱。试品容纳装置可以用于存储至少一个待雷击试品。每个主回路单元可以包
括调波组件、储能电容以及放电开关。其中，调波组件可以包括调波电容、调波电感以及调波电阻。调波组件可以将每个主回路单元的主回路波形调整至预设波形。在充电模块接收到充电信号的情况下，充电模块可以根据充电信号提供相应的电荷至主回路模块中的储能电容。储能电容可以存储充电模块提供的电荷，并可以在主回路模块接收到放电信号的情况下产生放电电压。放电开关可以为等离子体放电开关。放电开关可以包括喷射接收单元、喷射触发单元以及喷射接收单元与喷射触发单元之间的放电间隙。
49.在一个实施例中，预设波形包括第一预设波形和第二预设波形，信号控制模块还用于：在接收充电模块发送的充电完毕信号的情况下，发送放电信号至主回路模块，并控制主回路模块输出与第一预设波形对应的第一冲击电流或与第二预设波形对应的第二冲击电流。
50.在一个实施例中，第一预设波形为8/20μs的波形，第一冲击电流的最大幅值为70ka，或，第二预设波形为4/10μs的波形，第二冲击电流的最大幅值为150ka。
51.调波组件可以将每个主回路单元的主回路波形调整至预设波形。其中，预设波形可以包括第一预设波形和第二预设波形。在接收到充电模块101发送的充电完毕信号的情况下，信号控制模块104可以发送放电信号至主回路模块102，并可以控制主回路模块102输出与第一预设波形对应的第一冲击电流。其中，第一预设波形可以为8/20μs的波形。进一步地，若预设工作电压为100kv，即，在充电模块的充电电压达到100kv的情况下，信号控制模块可以输出与第一预设波形对应的第一冲击电流的最大幅值。其中，第一冲击电流的最大幅值可以为70ka。在接收到充电模块101发送的充电完毕信号的情况下，信号控制模块104可以发送放电信号至主回路模块102，并可以控制主回路模块102输出与第二预设波形对应的第二冲击电流。其中，第二预设波形可以为4/10μs的波形。进一步地，若预设工作电压为100kv，即，在充电模块的充电电压达到100kv的情况下，信号控制模块可以输出与第二预设波形对应的第二冲击电流的最大幅值。其中，第二冲击电流的最大幅值可以为150ka。
52.在一个实施例中，喷射触发单元包括等离子体喷射器和等离子体喷嘴，主回路模块还用于：根据放电信号控制等离子体喷射器喷射等离子体射流；将等离子体喷嘴作为载体，以将等离子体射流通过放电间隙喷射至喷射接收单元，以使得放电开关与所在电路接通。
53.其中，喷射触发单元可以包括等离子体喷射器和等离子体喷嘴。在主回路模块102接收到放电信号后，主回路模块102可以根据放电信号控制等离子体喷射器喷射等离子体射流。进一步地，主回路模块102可以以等离子体喷嘴为载体，将等离子体射流通过放电间隙喷射至喷射接收单元，以使得放电开关与所在电路接通。在放电开关与所在电路连通的情况下，主回路模块102可以将产生的冲击电流按照预设顺序和预设时间间隔依次加载至待雷击试品。其中，预设顺序可以指的是放电开关的连通顺序，也可以指的是冲击电流的冲击顺序。在一个实施例中，预设时间间隔的范围为1ms～60s。即，预设时间间隔可以为1ms～60s。
54.如图3所示，提供了一种放电开关的结构示意图。其中，m可以指的是喷射触发单元。t可以指的是等离子体喷射器。p可以指的是经等离子体喷嘴喷射出的高速等离子体射流。n可以指的是喷射接收单元。g可以指的是喷射接收单元与喷射触发单元之间的放电间隙。为了能够安全地将等离子体射流喷射至等离子体接收单元，保证抗电弧烧蚀能力，喷射
触发单元m和喷射接收单元n可以采用高分子材料。例如，可以采用石墨或者铜钨等。放电开关的耐压可以高于120kv，通流可以达到200ka。
55.在一个实施例中，数据处理模块包括数据获取单元、直流/交流获取单元、温度获取单元以及数据转换单元；其中，数据获取单元，用于获取充电模块的充电电压以及待雷击试品两端的与冲击电流对应的冲击电压；数据转换单元，用于将充电电压和冲击电压分别转换成电压信号；直流/交流获取单元，用于获取待雷击试品被冲击电流冲击前以及待雷击试品被冲击电流冲击后的参数信息；温度获取单元，用于获取待雷击试品被冲击电流冲击时的实时温度。
56.如图4所示，数据处理模块103可以包括数据获取单元1031、数据获取单元1032、直流/交流获取单元1033以及温度获取单元1034。其中，数据获取单元1031可以获取充电模块的充电电压以及待雷击试品两端的与冲击电流对应的冲击电压。数据获取单元1032可以将充电电压和冲击电压分别转换成电压信号。直流/交流获取单元1033可以获取待雷击试品被冲击电流冲击前以及待雷击试品被冲击电流冲击后的参数信息。其中，参数信息可以指的是直流/交流1ma对应的电压和泄漏电流等。温度获取单元1034可以获取待雷击试品被冲击电流冲击时的实时温度。即，在主回路模块102将产生的冲击电流加载至待雷击试品的过程中，温度获取单元1034可以实时获取待雷击试品的实时温度。
57.在一个实施例中，信号控制模块在对电压信号进行分析以确定待雷击试品的测试数据之后，可以根据用户需求保存测试数据，以便于用于后期查询和导出待雷击试品的测试数据。
58.在一个实施例中，装置还包括安全控制模块，安全控制模块用于：实时监测充电模块的充电电压以及待雷击试品两端的与冲击电流对应的冲击电压；在充电电压和/或冲击电压超过预设阈值的情况下，发送并显示报警提示；以及在紧急停止的情况下，控制冲击电压安全泄放。
59.如图5所示，多重雷击测试装置还可以包括安全控制模块105。其中，信号控制模块104可以与安全控制模块105进行通讯连接。安全控制模块105可以与充电模块101、主回路模块102、数据采集模块103以及信号控制模块104分别进行通讯连接。其中，通讯连接的方式可以是通过光纤通信。安全控制模块105可以实时监测充电模块101的充电电压以及待雷击试品两端的与冲击电流对应的冲击电压。在充电电压和/或冲击电压超过预设阈值的情况下，安全控制模块105可以发送并显示报警提示。在紧急停止的情况下，安全控制模块105可以控制冲击电压安全泄放。
60.进一步地，安全控制模块105可以包括多个数显智能控制仪、安全指示灯和泄放开关等。例如，通过数显智能控制仪的显示界面可以显示报警提示，也可以通过安全指示灯显示报警提示。在紧急停止的情况下，泄放开关可以将冲击电压安全泄放。具体地，泄放开关可以断开高压并释放电能。其中，紧急停止的情况可以指的是信号控制模块104失效的情况。
61.在一个实施例中，待雷击试品为整支10kv配网避雷器或直径为30mm～100mm的氧化锌电阻片。即，整支避雷器可以指的是整支10kv配网避雷器。避雷器中的氧化锌电阻片可以是直径为30mm～100mm的氧化锌电阻片。
62.在一个实施例中，如图6所示，提供了一种多重雷击测试装置的平面示意图。其中，
多重雷击测试装置可以包括放电架、试品箱、恒流源架、数显智能控制仪以及主回路电容器组。其中，数显智能控制仪可以包括键盘、显示器以及控制箱中的示波器。其中，试品箱中可以包含多个测试工位。每个测试工位可以包含一个待雷击试品。待雷击试品可以夹紧在电极之间。例如，若试品箱中包含有三个测试工位，则可以同时对三个测试工位上的待雷击试品进行多重雷击测试，以模拟待雷击试品多柱并联遭受多重雷击的工况。
63.在一个实施例中，如图7所示，提供了一种充电模块与数据处理模块的电路连接示意图。若需要在60s内完成对主回路模块中的14μf/100kv的储能电容的充电，则可以配置100kv、2kva的恒流充电模块。充电模块的电源可以是初级交流源(ac)。然后，经过变压器可以对电源电压进行一次升压，经四倍压整流电路可以进行二次升压并整流。其中，四倍压整流电路中可以包括整流电容b1～b4和二极管d1～d4。四倍压整流电路中还可以包括电阻rd、电阻rc和电容c
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。具体地，变压器的两侧为四倍压整流电路。四倍压整流电路可以分为两级。第一级正向为d2～b2，第一级负向为b1～d1。第二级正向为b3～d3～b1，第二级负向为b2～d4～b4。对于整个电压输出端，整流的正周期为b3～b2～d4，整流的负周期为d3～b1～b4。分压器divider可以监测充电模块的充电电压，并在充电电压达到预设工作电压的情况下，发送充电完毕信号至信号控制模块。其中，数据处理模块可以包括罗氏线圈coil。罗氏线圈coil可以获取充电模块的电流大小。
64.在一个实施例中，如图8所示，提供了充电模块、主回路模块、数据处理模块以及试品箱的电路连接示意图。其中，主回路模块可以包括5个主回路单元。试品箱可以存储有至少1个待雷击试品。c1～c5可以表示为储能电容。每个储能电容所在的电路支路可以表示为一个主回路单元。l1～l5可以表示为调波组件。s1～s5可以表示为气体开关，即放电开关。t1～t5可以表示为与每个气体开关对应的喷射触发单元。其中，调波组件可以将每个主回路单元的主回路波形调整至预设波形。例如，若调波组件l1将主回路单元的波形调整至8/20μs的波形，且储能电容c1的充电电压达到100kv时，其所在回路可以输出70ka的电流。若调波组件l1将主回路单元的波形调整至4/10μs的波形，且储能电容c1的充电电压达到100kv时，其所在回路可以输出150ka的电流。
65.例如，预设时间间隔可以为5ms，预设顺序可以为：连通放电开关s1所在电路、连通放电开关s2所在电路、连通放电开关s3所在电路、连通放电开关s5所在电路、连通放电开关s4所在电路。即，在充电模块对储能电容c1～c5充电完毕，且主回路模块接收到信号控制模块发送的放电信号的情况下，主回路模块可以根据放电信号先控制放电开关s1与所在电路连通，并将放电开关s1所在电路的冲击电流加载至试品。然后，在将放电开关s1所在电路的冲击电流加载至试品，并等待5ms的预设时间间隔后，主回路模块可以继续按照预设顺序依次将其他放电开关所在电路的冲击电流加载至试品，以完成试品的五重雷击测试。
66.在一个实施例中，如图8所示，其中，数据处理模块可以包括连接在每个主回路单元的数采板卡(图中未示出)和并联在试品两端的脉冲分压器(图中未示出)。数采板卡可以将每个主回路单元的信号进行隔离保护，保证数据的安全和可靠。并联在试品两端的脉冲分压器可以获取试品两端的冲击电压。在将脉冲分压器的信号与罗氏线圈中的信号接入到数采板卡的情况下，数采板卡可以获取充电模块的充电电压和试品两端的冲击电压。数据处理器模块还可以包括示波器(图中未示出)。通过示波器可以将充电模块的充电电压和试品两端的冲击电压分别转换成电压信号。
67.在一个实施例中，如图9所示，提供了一种信号控制模块的功能示意图。信号控制模块可以集成在基于windows系统的软件中。通过上位机可以与数据采集模块进行无线通讯，以控制数据处理模块进行数据采集以及数据转换等处理。然后在接收到数据处理模块发送的信号后，信号控制模块可以对信号进行分析。例如，若发送的是电压信号，则可以确定电压信号对应的电压峰值、电流峰值、反峰比例、冲击能量以及电荷量等。上位机可以与控制机箱进行光纤通讯。控制机箱可以与充电模块进行光纤通讯，以控制充电模块调整充电启停时间、充电电压值和充电电流值等，从而完成对主回路模块中储能电容的充电。控制机箱可以与主回路模块进行光纤通讯，以控制主回路模块调整放电回路数、每个放电回路的放电启停时间以及每个放电回路的放电时间间隔等，从而实现依次对待雷击试品的多重雷击测试。控制机箱可以与气控系统进行光纤通讯。其中，气控系统中可以包括安全控制模块中的泄放开关和主回路模块中的放电开关。通过控制机箱可以控制安全控制模块中的泄放开关的开启/闭合，从而保证在紧急情况下可以实现电能的安全泄放。通过控制机箱可以控制主回路模块中的放电开关的开启/闭合，以实现依次对待雷击试品的多重雷击测试。具体地，泄放开关的开启/关闭和放电开关的开启/关闭可以通过控制气缸完成。因此，在通过多重雷击测试装置开始多重雷击测试之前，可以对泄放开关和/或放电开关的气缸进行巡检，并检测气缸气压和标志位信号等。
68.通过上述技术方案，能够精确控制主回路模块的放电时间间隔，能够按照放电时间间隔对待雷击试品进行单次大电流连续冲击，有效地模拟待雷击试品在实际线路运行过程中的多重雷击工况，为进一步确定待雷击试品的生产质量提供检测基础。且，通过多重雷击测试装置对待雷击试品进行测试，操作简便，安全性和可靠性高。
69.多重雷击测试装置包括处理器和存储器，上述充电模块、主回路模块、数据处理模块、信号控制模块和安全控制模块等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序模块中实现相应的功能。
70.图10示意性示出了根据本技术实施例的用于确定电阻片耐受度的方法的流程示意图。如图10所示，在本技术一实施例中，提供了一种用于确定电阻片耐受度的方法，电阻片为防雷氧化锌电阻片，方法包括以下步骤：
71.步骤1001，确定电阻片在预设交流下的第一电压，以及电阻片在预设放电电流下的第一残压。
72.步骤1002，在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为预设波形的情况下，根据电阻片对应的避雷器的负载等级确定电阻片的冲击电流参数的参数值。
73.步骤1003，根据冲击电流参数的参数值对电阻片进行连续电流冲击，并确定连续电流冲击后的电阻片的实时温度。
74.步骤1004，在实时温度降低至环境温度的情况下，确定施加连续电流冲击后的电阻片在预设交流下的第二电压，以及电阻片在预设放电电流下的第二残压。
75.步骤1005，根据第一电压与第二电压确定电压变化率，以及根据第一残压与第二残压确定残压变化率。
76.步骤1006，根据电压变化率与残压变化率确定电阻片的耐受度。
77.其中，电阻片可以指的是避雷器的核心元件。电阻片可以指的是避雷器中的防雷氧化锌电阻片。在确定电阻片遭受多重雷击时的耐受度之前，处理器可以先获取电阻片的
测试参数和尺寸参数。其中，测试参数可以包括环境温度，也可以包括大气压强和湿度等。尺寸参数可以包括电阻片的直径和高度。然后，处理器还可以检测电阻片的损坏情况。若电阻片未出现明显缺陷，则可以对其进行耐受度测试。
78.处理器可以确定电阻片在预设交流下的第一电压，以及电阻片在预设放电电流下的第一残压。其中，预设交流可以指的是50hz/1ma的交流。第一电压可以指的是工频参考电压。预设放电电流可以指的是8/20μs标称放电电流。在确定第一电压和第一残压的情况下，处理器可以将与电阻片连接的电路之路的电压所对应的信号波形调整为预设波形。其中，预设波形可以包含多个。例如，预设波形可以包括第一预设波形和第二预设波形。在将与电阻片连接的电路之路的电压所对应的信号波形调整为预设波形的情况下，处理器可以根据电阻片对应的避雷器的负载等级确定电阻片的冲击电流参数的参数值。其中，负载等级可以包括多个。例如，负载等级可以包括第一负载等级、第二负载等级和第三负载等级。冲击电流参数可以包括电荷量、电流幅值以及冲击时间间隔等。
79.在确定冲击电流参数的参数值的情况下，处理器可以根据冲击电流参数的参数值对电阻片进行连续电流冲击。进一步地，通过上述实施例的多重雷击测试装置可以对电阻片进行连续电流冲击。多重雷击测试装置可以是五重雷击测试装置。在对电阻片进行连续电流冲击的情况下，处理器可以确定连续电流冲击后的电阻片的实时温度。在实时温度降低至环境温度的情况下，处理器可以确定施加连续电流冲击后的电阻片在预设交流下的第二电压，以及电阻片在预设放电电流下的第二残压。处理器可以根据第一电压与第二电压确定施加连续电流冲击后的电阻片的电压变化率。处理器可以根据第一残压与第二残压确定施加连续电流冲击后的电阻片的残压变化率。根据电压变化率和残压变化率可以确定电阻片的耐受度。其中，耐受度可以指的是判定电阻片能否通过连续电流冲击测试的评价指标。
80.通过上述技术方案，能够在较为真实的多重雷击工况下对电阻片施加ms级时间间隔的连续电流冲击，进一步提高电阻片耐受度测试的准确性。在将电阻片所对应的避雷器投入线路使用后，能够大幅度避免避雷器在实际运行过程中发生故障。
81.在一个实施例中，预设波形包括第一预设波形和第二预设波形，在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为预设波形的情况下，根据电阻片对应的避雷器的负载等级确定电阻片的冲击电流参数的参数值包括：在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形的情况下，根据避雷器的负载等级确定冲击电流参数的参数值，其中，冲击电流参数包括电阻片的电荷量和第一冲击时间间隔；在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形的情况下，根据避雷器的负载等级确定冲击电流参数的参数值，其中，冲击电流参数包括电阻片的电流幅值和第二冲击时间间隔。
82.在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形的情况下，处理器可以根据避雷器的负载等级确定冲击电流参数的参数值。在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形的情况下，处理器可以根据避雷器的负载等级确定冲击电流参数的参数值。其中，预设波形可以包括第一预设波形和第二预设波形。避雷器的负载等级可以包括多个。例如，可以包括第一负载等级、第二负载等级和第三负载等级。在电阻片的波形调整为第一预设波形的情况下，电阻片的冲击电流参数可
以包括电阻片的电荷量和第一冲击时间间隔。在电阻片的波形调整为第二预设波形的情况下，电阻片的冲击电流参数包括电阻片的电流幅值和第二冲击时间间隔。
83.在一个实施例中，在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形的情况下，根据避雷器的负载等级确定冲击电流参数的参数值包括：在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形的情况下，确定避雷器的负载等级；在负载等级为第一负载等级的情况下，确定电阻片的电荷量为0.4c，第一冲击时间间隔为5ms；在负载等级为第二负载等级的情况下，确定电阻片的电荷量为0.2c，第一冲击时间间隔为10ms；在负载等级为第三负载等级的情况下，确定电阻片的电荷量为0.1c，第一冲击时间间隔为20ms。
84.在一个实施例中，第一预设波形为8/20μs，冲击时间间隔的范围为5ms～400ms。
85.其中，第一预设波形可以为8/20μs。第一冲击时间间隔的范围可以为5ms～400ms。避雷器的负载等级可以包括多个。例如，可以包括第一负载等级、第二负载等级和第三负载等级。第一负载等级可以指的是重负载等级，第二负载等级可以指的是普通负载等级，第三负载等级可以指的是轻负载等级。
86.在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形的情况下，处理器可以确定避雷器的负载等级。进一步地，处理器可以根据国际标准iec60099-2014确定避雷器的负载等级。在避雷器的负载等级为第一负载等级的情况下，处理器可以确定电阻片的电荷量为0.4c，第一冲击时间间隔可以为5ms。进一步地，电阻片的整体电荷量可以不少于2c。在负载等级为第二负载等级的情况下，处理器可以确定电阻片的电荷量为0.2c，第一冲击时间间隔可以为10ms。进一步地，电阻片的整体电荷量可以不少于1c。在负载等级为第三负载等级的情况下，处理器可以确定电阻片的电荷量为0.1c，第一冲击时间间隔可以为20ms。进一步地，电阻片的整体电荷量可以不少于0.5c。
87.在一个实施例中，在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形的情况下，根据避雷器的负载等级确定冲击电流参数的参数值包括：在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形的情况下，确定避雷器的负载等级；在负载等级为第一负载等级的情况下，确定电阻片的电流幅值为100ka，第二冲击时间间隔为100ms；在负载等级为第二负载等级的情况下，确定电阻片的电流幅值为65ka，第二冲击时间间隔为200ms；在负载等级为第三负载等级的情况下，确定电阻片的电流幅值为25ka，第二冲击时间间隔为400ms。
88.在一个实施例中，第二预设波形为4/10μs，冲击时间间隔的范围为5ms～400ms。
89.其中，第二预设波形可以为4/10μs。第二冲击时间间隔的范围可以为5ms～400ms。避雷器的负载等级可以包括多个。例如，可以包括第一负载等级、第二负载等级和第三负载等级。第一负载等级可以指的是重负载等级，第二负载等级可以指的是普通负载等级，第三负载等级可以指的是轻负载等级。
90.在将电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形的情况下，确定避雷器的负载等级。进一步地，处理器可以根据国际标准iec60099-2014确定避雷器的负载等级。在负载等级为第一负载等级的情况下，处理器可以确定电阻片的电流幅值为100ka，第二冲击时间间隔可以为100ms。进一步地，预设冲击次数可以为2次。在负载等级为第二负载等级的情况下，处理器可以确定电阻片的电流幅值为65ka，第二冲击时间间
隔可以为200ms。进一步地，预设冲击次数可以为2次。在负载等级为第三负载等级的情况下，处理器可以确定电阻片的电流幅值为25ka，第二冲击时间间隔可以为400ms。进一步地，预设冲击次数可以为2次。
91.在一个实施例中，方法还包括：在根据冲击电流参数的参数值对电阻片进行预设冲击次数的连续电流冲击之后，判断电阻片是否发生冲击受损；在确定电阻片受损的情况下，停止对电阻片进行连续电流冲击，并确定电阻片未通过连续电流冲击；在确定电阻片未受损的情况下，确定连续电流冲击后的电阻片的实时温度。
92.在确定电阻片的冲击电流参数的参数值之后，处理器可以根据冲击电流参数的参数值确对电阻片进行预设冲击次数的连续电流冲击。其中，预设冲击次数可以不少于两次。例如，预设冲击次数可以指的是3次。由于连续冲击的冲击电流较大，有些电阻片的耐受能力较低。因此，在经过预设冲击出的连续电流冲击之后极可能会存在明显的破坏痕迹。例如，电阻片可能存在被击穿、闪络、破碎等受损情况。因此，在根据冲击电流参数的参数值对电阻片进行预设冲击次数的连续电流冲击之后，处理器可以判断电阻片是否发生冲击受损。
93.若电阻片发生被击穿、闪络、破碎等受损情况，即可以确定电阻片发生冲击受损。在确定电阻片受损的情况下，处理器可以停止对电阻片进行连续电流冲击，并确定电阻片未通过连续电流冲击。进一步地，若电阻片还没有达到预设冲击次数就已经发生冲击受损，处理器也可以停止对电阻片进行连续电流冲击，并确定电阻片未通过连续电流冲击。若电阻片未发生被击穿、闪络、破碎等受损情况，即可以确定电阻片未发生冲击受损。在确定电阻片未受损的情况下，处理器可以确定连续电流冲击后的电阻片的实时温度，并在实时温度降低至环境温度的情况下确定施加连续电流冲击后的电阻片的第二电压和第二残压。
94.在一个实施例中，根据电压变化率与残压变化率确定电阻片的耐受度包括：在电压变化率和/或残压变化率大于预设阈值的情况下，确定电阻片的耐受度为第一耐受度，且确定电阻片未通过连续电流冲击；在电压变化率和残压变化率小于或等于预设阈值的情况下，确定电阻片的耐受度为第二耐受度，且确定电阻片通过连续电流冲击，其中，第一耐受度小于第二耐受度。
95.在确定电阻片的第一电压、第二电压、第一残压以及第二残压的情况下，处理器可以根据第一电压和第二电压确定电压变化率，并根据第一残压和爹残压确定残压变化率。然后，处理器可以将电压变化率和残压变化率分别与预设阈值进行对比。其中，预设阈值可以为10％。在电压变化率和/或残压变化率大于预设阈值的情况下，处理器可以确定电阻片的耐受度为第一耐受度，且可以确定电阻片未通过连续电流冲击。在电压变化率和残压变化率小于或等于预设阈值的情况下，处理器可以确定电阻片的耐受度为第二耐受度，且可以确定电阻片通过连续电流冲击。
96.其中，耐受度可以指的是判定电阻片能否通过连续电流冲击测试的评价指标。第一耐受度可以指的是电阻片未通过连续电流冲击测试所对应的指标值。第二耐受度可以指的是电阻片通过连续电流冲击测试所对应的指标值。未通过连续电流冲击测试的电阻片的耐受度可以小于通过连续电流冲击测试的电阻片的耐受度。即，第一耐受度可以小于第二耐受度。
97.在一个实施例中，预设波形包括第一预设波形和第二预设波形，方法还包括：在根
据电压变化率与残压变化率确定电阻片的耐受度之后，根据每个电阻片的耐受度确定每个生产批次下的电阻片的次品数量总和，次品数量总和包括第一测试样片的第一次品数量和第二测试样片的第二次品数量；在次品数量总和大于预设数值的情况下，再次从生产批次下的电阻片中选取多个电阻片作为新的测试样片，并将新的测试样片划分为第一测试样片和第二测试样片；将第一测试样片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形，并将第二测试样片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形之后，分别根据与每个电阻片所对应的避雷器的负载等级确定每个电阻片的冲击电流参数的参数值；在确定每个电阻片的耐受度之后，根据每个电阻片的耐受度分别确定第一测试样片的第一次品数量和第二测试样片的第二次品数量；在第一次品数量和第二次品数量的次品数量总和大于预设数值的情况下，确定生产批次下的电阻片为非合格品；在第一次品数量和第二次品数量的次品数量总和小于或等于预设数值的情况下，确定生产批次下的电阻片为合格品。
98.其中，电阻片可以包括多个。电阻片可以指的是同一生产批次下的多个电阻片。在根据电压变化率与残压变化率确定电阻片的耐受度之后，处理器可以根据每个电阻片的耐受度确定每个生产批次下的电阻片的次品数量总和。其中，次品数量总和可以包括第一测试样片的第一次品数量和第二测试样片的第二次品数量。即，在确定每个生产批次下的电阻片的耐受度之前，可以从每个生产批次下选取多个电阻片作为待测试样片，然后可以将待测试样片划分为第一测试样片和第二测试样片。具体地，可以按照预设比例将待测试样片划分为第一测试样片和第二测试样片。
99.在确定与待测试样片对应的次品数量总和之后，处理器可以将次品数量总和与预设数值进行对比。在次品数量总和小于或等于预设数值的情况下，处理器可以确定此生产批次下的电阻片为合格品。在次品数量总和大于预设数值的情况下，处理器可以再次从同一生产批次下的电阻片中选取多个电阻片作为新的测试样片，并可以将新的测试样片划分为第一测试样片和第二测试样片。然后，处理器可以分别调整第一测试样片和第二测试样本连接的电路支路的电压所对应的信号波形。进一步地，处理器可以将第一测试样片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形，并可以将第二测试样片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形。具体地，第一预设波形可以指的是8/20μs。第二预设波形可以指的是4/10μs。处理器可以分别根据与每个电阻片所对应的避雷器的负载等级确定每个电阻片的冲击电流参数的参数值。其中，避雷器的负载等级可以包括多个。例如，可以包括第一负载等级、第二负载等级和第三负载等级。第一负载等级可以指的是重负载等级，第二负载等级可以指的是普通负载等级，第三负载等级可以指的是轻负载等级。电阻片的冲击电流参数可以包括电阻片的电荷量、电流幅值和时间间隔等。
100.具体地，在将第一测试样片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第一预设波形的情况下，处理器可以根据第一测试样片中每个电阻片所对应的避雷器的负载等级确定的每个电阻片的冲击电流参数的参数值。此时，电阻片的冲击电流参数可以包括电阻片的电荷量和第一冲击时间间隔。在将第二测试样片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为第二预设波形的情况下，处理器可以根据第二测试样片中每个电阻片所对应的避雷器的负载等级确定的每个电阻片的冲击电流参数的参数值。此时，电阻片的冲击电流参数可以包括电阻片的电流幅值和第二冲击时间间隔。
101.在确定新的测试样片中每个电阻片的耐受度之后，处理器可以根据每个电阻片的耐受度分别确定第一测试样片的第一次品数量和第二测试样片的第二次品数量。然后，处理器可以根据第一次品数量和第二次品数量确定与新的测试样片对应的次品数量总和，并将次品数量总和与预设数值进行对比。在第一次品数量和第二次品数量的次品数量总和大于预设数值的情况下，处理器可以确定此生产批次下的电阻片为非合格品。在第一次品数量和第二次品数量的次品数量总和小于或等于预设数值的情况下，处理器可以确定生产批次下的电阻片为合格品。
102.在一个实施例中，如图11所示，提供了另一种用于确定电阻片耐受度的方法的流程示意图。
103.处理器可以从任意生产批次下的电阻片中选取待测试样品，并确定待测试样品的测试环境条件。测试环境条件可以指的是环境参数。测试环境条件可以包括环境温度、相对湿度以及气压强值。然后，处理器可以确定并记录待测试样品在连续电流冲击前的性能参数。其中，性能参数可以指的是工频参考电压和标称放电电流下的残压。进一步地，处理器可以确定待测试样品所属配网避雷器的负载等级。其中，避雷器的负载等级可以包括重负载等级、普通负载等级和轻负载等级。
104.处理器可以根据不同负载等级确定待测试样品中每个电阻片在8/20μs和4/10μs冲击下的转移电荷量、电流幅值以及ms级的冲击时间间隔。具体地，处理器可以将待测试样品划分为第一测试样品和第二测试样品。在将第一测试样品中每个电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为8/20μs时，处理器可以根据负载等级确定第一测试样品中每个电阻片的转移电荷量和ms级冲击时间间隔，并进行连续电流冲击。在将第二测试样品中每个电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为4/10μs时，处理器可以根据负载等级确定第一测试样品中每个电阻片的电流幅值和ms级冲击时间间隔，并进行连续电流冲击。
105.在对第一测试样品和第二测试样品中的电阻片进行连续电流冲击的情况下，处理器可以确定施加连续电流冲击后的电阻片的性能参数。然后，处理器可以将连续电流冲击前与连续电流冲击后的电阻片的性能参数进行对比，并确定每个电阻片的电压变化率和残压变化率。处理器可以根据每个电阻片的电压变化率和残压变化率判断每个电阻片是否通过连续电流冲击，以确定每个电阻片的连续电流冲击情况。在确定每个电阻片的连续电流冲击情况之后，处理器可以通过每个电阻片的连续电流冲击情况来判断该生产批次下的电阻片是否合格，从而确定该生产批次样品的连续电流冲击情况。
106.以从任意生产批次下的电阻片中选取10只电阻片作为待测试样片为例，在对待测试样片进行测试之前，处理器可以先确定电阻片的环境参数和尺寸参数。其中，环境参数可以包括环境温度、相对湿度以及气压强值。例如，环境温度可以为26.1℃，相对湿度可以为43％，气压强值可以为101.2kpa。尺寸参数可以包括电阻片的直径和高度。例如，直径可以为42mm，高度可以为20mm。在确定待测试样片无明显缺陷的情况下，处理器可以确定每个电阻片的工频参考电压以及10ka、8/20μs标称放电电流下的残压。具体地，工频参考电压可以为2.92kv。残压可以为7.33kv。
107.若待测试样片中每个电阻片所对应的避雷器为yh10ws-17/50配网避雷器。该配网避雷器多用于多雷区线路，该生产批次下的待测试样片的负载等级为重负载等级。在确定
电阻片的环境参数和尺寸参数的情况下，处理器可以将待测试样片划分为第一测试样片和第二测试样片。例如，第一测试样片可以包括5只电阻片，第二测试样片可以包括5只电阻片。然后，处理器可以将第一测试样片中每个电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为8/20μs的预设波形，将第二测试样片中每个电阻片连接的电路支路的电压所对应的信号波形调整为4/10μs的预设波形。因此，在电阻片与的避雷器的负载等级为重负载等级的情况下，处理器可以确定第一测试样片中每个电阻片的电荷量为0.4c，冲击时间间隔为5ms，预设冲击次数可以为5次。处理器可以确定第二测试样片中每个电阻片的电流幅值可以为100ka，冲击时间间隔为100ms，预设冲击次数可以为2次。
108.在确定冲击电流参数的参数值后，处理器可以对每个电阻片进行连续电流冲击。例如，如图12所示，可以表示为在信号波形为8/20μs，冲击时间间隔为5ms，预设冲击次数为5次下的连续电流冲击示意图。在对电阻片进行连续电流冲击之后，处理器可以判断电阻片是否有被击穿、闪络以及破碎等明显冲击受损的情况。若第一测试样片或第二测试样片中有电阻片出现受损，则可以确定该生产批次的电阻片未通过连续电流冲击。若第一测试样片和第二测试样片中无电阻片出现受损，则可以在每个电阻片的实时温度降低至环境温度的情况下，确定施加连续电流冲击后的电阻片的工频参考电压以及10ka、8/20μs标称放电电流下的残压。然后，处理器可以分别确定第一测试样片和第二测试样片中每个电阻片的残压变化率和电压变化率，并根据电压变化率和残压变化率确定电阻片的耐受度。在确定电阻片的耐受度之后，处理器可以分别确定第一测试样片和第二测试样片中未通过连续电流冲击的电阻片和通过连续电流冲击的电阻片，从而判断该生产批次下的电阻片是否合格。
109.例如，若第一测试样片中的5只电阻片和第二测试样片中5只电阻片的残压变化率和电压变化率均小于10％，则处理器可以确定该生产批次下的电阻片的耐受度为第二耐受度，该生产批次下的电阻片通过连续电流冲击且为合格品。若待测试样片中包含2只电阻片的残压变化率和电压变化率均大于10％，则可以在该生产批次下的电阻片中选取10只新的电阻片进行测试。在10只新的电阻片的残压变化率和电压变化率均小于10％时，处理器才可以确定该生产批次下的电阻片通过连续电流冲击且为合格品。
110.通过上述技术方案，能够在较为真实的多重雷击工况下对电阻片施加ms级时间间隔的连续电流冲击，进一步提高电阻片耐受度测试的准确性。在将电阻片所对应的避雷器投入线路使用后，能够大幅度避免避雷器在实际运行过程中发生故障。
111.图10-11为一个实施例中用于确定电阻片耐受度的方法的流程示意图。应该理解的是，虽然图10-11的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图10-11中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
112.本技术实施例提供了一种存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述用于确定电阻片耐受度的方法。
113.本技术实施例提供了一种处理器，处理器用于运行程序，其中，程序运行时执行上
述用于确定电阻片耐受度的方法。
114.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图13所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器a01、网络接口a02、存储器(图中未示出)和数据库(图中未示出)。其中，该计算机设备的处理器a01用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括内存储器a03和非易失性存储介质a04。该非易失性存储介质a04存储有操作系统b01、计算机程序b02和数据库(图中未示出)。该内存储器a03为非易失性存储介质a04中的操作系统b01和计算机程序b02的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储电压变化率和残压变化率等数据。该计算机设备的网络接口a02用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序b02被处理器a01执行时以实现一种用于确定电阻片耐受度的方法。
115.本领域技术人员可以理解，图13中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
116.本技术实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现上述的用于确定电阻片耐受度的方法的步骤。
117.本技术还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有上述的用于确定电阻片耐受度的方法步骤的程序。
118.本领域内的技术人员应明白，本技术的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本技术可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本技术可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
119.本技术是参照根据本技术实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
120.这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
121.这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
122.在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(cpu)、输入/输出接口、网络接口和内存。
123.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)。存储器是计算机可读介质的示例。
124.计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(pram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、其他类型的随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(cd-rom)、数字多功能光盘(dvd)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
125.还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
126.以上仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的权利要求范围之内。