技术特征：
1.一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，包括若干基板，所述基板上设有凹槽，且若干基板的凹槽中用于设置不同类型的霍尔器件，所述凹槽中设有深n阱层，所述深n阱层上设有若干n+区层和若干p+区层，且若干n+区层对称设置。2.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述凹槽中用于放置水平型霍尔器件、竖直型霍尔器件。3.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述基板为硅基板。4.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述深n阱层采用高压cmos工艺制备。5.根据权利要求2所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：若干所述n+区层和若干所述p+区层上均设有金属层(5)，且金属层(5)采用铝材料。6.根据权利要求5所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述水平型霍尔器件包括基板一(1)，所述基板一(1)的凹槽中设有深n阱层一(2)，且深n阱层一(2)作为水平型霍尔器件的有源区，所述深n阱层一(2)的四个顶角处分别设有一n+区层一(4)，且若干n+区层一(4)对称设置，所述n+区层一(4)表面设有的金属层(5)作为接触电极，若干所述n+区层一(4)之间设有若干p+区层一(3)。7.根据权利要求5所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述竖直型霍尔器件包括基板二(11)，所述基板二(11)的凹槽中设有深n阱层二(21)，且深n阱层二(21)作为竖直型霍尔器件的有源区，所述深n阱层二(21)上呈十字型间隔设有若干n+区层二(41)，且若干n+区层二(41)对称设置，所述n+区层二(41)的外部设有环形p阱层(7)，所述环形p阱层(7)设置在所述深n阱层二(21)上，所述n+区层二(41)表面设有的金属层(5)作为接触电极，若干所述n+区层二(41)之间设有若干p+区层二(31)。8.根据权利要求2所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述竖直型霍尔器件的数量为两个，且两个竖直型霍尔器件分别对应x轴和y轴磁场的侦测，所述水平型霍尔器件数量为一个，且水平型对应z轴磁场的侦测。9.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：还包括冷却装置，所述冷却装置设置在所述基板的外部，所述冷却装置包括：工作壳(6)，所述工作壳(6)的下侧内部设有工作腔(601)，所述工作腔(601)的下端滚动连接有导向轮(605)，所述工作腔(601)的左右两端分别固定设有限位杆(610)，所述工作腔(601)的左右两侧前后两端之间转动设有转动轴一(612)，所述工作腔(601)的前端左侧固定设有电机(621)，所述电机(621)与左侧的所述转动轴一(612)固定连接；两个带轮(603)，两个所述带轮(603)分别与左右两侧的所述转动轴一(612)的中部固定连接，且两个所述带轮(603)通过传送带(604)连接，所述转动轴一(612)的前后两侧对称设有锥齿轮一(618)，所述锥齿轮一(618)与锥齿轮二(619)啮合，所述传送带(604)与固定块(613)固定连接；移动块(623)，所述移动块(623)的上下两侧对称设有前后两端贯通设置的通孔一(622)，所述传送带(604)和固定块(613)穿过所述通孔一(622)，所述移动块(623)的左右两侧对称设有上下两端贯通设置的通孔二(624)，所述通孔二(624)之间滑动设有滑块(607)，所述滑块(607)与所述导向轮(605)转动连接，所述滑块(607)远离所述导向轮(605)的一端
固定连接有挤压块(606)；两个转动块(608)，两个所述转动块(608)转动设置在移动块(623)的上下两侧，所述转动块(608)和移动块(1305)之间固定设有弹簧一(609)，所述固定块(613)与所述转动块(608)接触，左端的所述限位杆(610)与上侧的所述转动块(608)对应设置，右端的所述限位杆(610)与下侧的所述转动块(608)对应设置；推动块(611)，所述推动块(611)滑动设置在所述工作腔(601)的内部，且推动块(611)和固定块(613)滑动连接，所述推动块(611)远离固定块(613)的一端与推动杆(617)固定连接，所述推动杆(617)贯穿所述工作腔(601)的上端进入冷却腔(614)中，且推动杆(617)与推动板(615)固定连接，所述推动板(615)滑动设置在所述冷却腔(614)中，且推动板(615)的左右两侧贯通设有供冷凝管(616)穿过的通孔，所述冷却腔(614)设置在所述工作壳(6)的上侧内部；四个转动轴二(620)，四个所述转动轴二(620)分别与锥齿轮二(619)固定连接，所述转动轴二(620)远离所述锥齿轮二(619)的一端贯穿所述工作腔(601)的上端进入冷却腔(614)中，且转动轴二(620)与冷凝管(616)固定连接，所述冷凝管(616)转动设置在所述冷却腔(614)的上下两端之间；冷却壳(626)，所述冷却壳(626)固定设置在所述工作壳(6)的上端，且冷却壳(626)的内部设有放置槽，所述放置槽用于放置所述基板、及其连接的霍尔器件，所述冷却壳626的前后左右侧壁内部连通设有冷却管(627)，且冷却管(627)呈u型分布，所述冷却管(627)的进液口与所述冷却腔(614)连通，所述冷却管(627)的出液口与储液箱(625)内部的储液腔连通，且储液箱(625)与冷却壳(626)的一端固定连接，所述储液箱(625)内部的储液腔通过循环口(602)与所述冷却腔(614)连通，所述冷却管(627)的进液口、冷却管(627)的出液口、循环口(602)均设有单向阀。10.根据权利要求1所述的一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：还包括保护机构，所述保护机构用于放置基板及其连接的霍尔器件，所述保护机构包括：保护壳(8)，所述保护壳(8)的上端设有保护槽(802)，所述保护壳(8)的下侧内部设有动力腔(801)，所述保护槽(802)的内部滑动设有安装板(803)，所述安装板(803)的上端用于安装基板及其连接的霍尔器件，所述安装板(803)的下端左右两侧对称设有安装块(805)，所述安装块(805)与滑动轴(804)固定连接；阿基米德螺旋齿轮(811)，所述阿基米德螺旋齿轮(811)的上端外侧设有螺纹，且螺纹与扇形齿轮(808)啮合，所述扇形齿轮(808)与连接块一(807)固定连接，所述连接块一(807)与滑动块(806)转动连接，所述滑动块(806)与所述滑动轴(804)滑动连接；伸缩杆(809)，所述伸缩杆(809)的伸缩端与所述安装板(803)的下端中部固定连接，所述伸缩杆(809)的固定端与所述阿基米德螺旋齿轮(811)的上端中部固定连接，所述伸缩杆(809)的活动端套设有弹簧二(810)；支撑块(821)，所述支撑块(821)固定设置在所述动力腔(801)的下端，且支撑块(821)与连接块二(820)固定连接，所述连接块二(820)的内部设有左右两端贯穿设置的空腔，所述支撑块(821)的上端贯穿设有配合孔一(824)，且空腔通过配合孔一(824)与所述动力腔(801)连通；操作块(818)，所述操作块(818)与连接轴一(817)固定连接，所述连接轴一(817)贯穿
所述保护壳(8)的侧端进入连接块二(820)的空腔中，且连接轴一(817)与导向环块(822)固定连接，所述导向环块(822)靠近所述空腔内壁的一端设有若干导向球；锥齿轮四(815)，所述锥齿轮四(815)与所述连接块二(820)的一端转动连接，且锥齿轮四(815)与锥齿轮三(814)啮合，所述锥齿轮三(814)与连接轴二(812)固定连接，所述连接轴二(812)贯穿所述动力腔(801)的上端进入保护槽(802)中，且连接轴二(812)与所述阿基米德螺旋齿轮(811)的下端固定连接；轴承(813)，所述轴承(813)固定设置在所述动力腔(801)的上端内部，且轴承(813)与所述连接轴二(812)固定连接；弹簧三(819)，所述弹簧三(819)转动设置在所述操作块(818)和保护壳(8)的侧端之间，且弹簧三(819)套设在所述连接轴一(817)上；卡槽一(816)，所述卡槽一(816)设置在所述锥齿轮四(815)靠近连接块二(820)的空腔中的一端，且卡槽一(816)与所述连接轴一(817)配合；配合块一(823)，所述配合块一(823)与所述配合孔一(824)、卡槽二(825)滑动连接，所述卡槽二(825)设置在所述动力腔(801)的上端，且卡槽二(825)和配合孔一(824)对应设置，所述配合块一(823)靠近连接轴二(812)的一端设有配合槽，且配合槽与配合块二(826)滑动连接，所述配合块二(826)与卡槽三配合，所述卡槽三设置在所述连接轴二(812)上。
技术总结
本发明提供了一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，包括若干基板，所述基板上设有凹槽，且若干基板的凹槽中用于设置不同类型的霍尔器件，所述凹槽中设有深N阱层，所述深N阱层上设有若干N+区层和若干P+区层，且若干N+区层对称设置，采用高压CMOS工艺制备深N阱层，解决了霍尔器件的阱较浅，灵敏度较低的技术问题。灵敏度较低的技术问题。灵敏度较低的技术问题。
技术研发人员：许晋诚
受保护的技术使用者：帕西尼感知科技（深圳）有限公司
技术研发日：2022.08.31
技术公布日：2023/1/11