技术特征：
1.一种mems压力传感器的封装结构，其特征在于，包括：底座，与膜片形成密封腔体，所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片，当外界压力增大时，所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲，以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力；所述底座包括底板，所述底板包括第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的n型半导体和p型半导体，所述n型半导体与所述p型半导体相串联后与直流电源连接。2.根据权利要求1所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述底座上设有凹腔，所述膜片设于在所述凹腔的腔口处以形成所述密封腔体。3.根据权利要求2所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述凹腔由底板和位于底板表面的侧板形成，所述底板由所述第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的n型半导体和p型半导体构成，所述侧板设于所述第二结构层的远离所述第一结构层的一侧。4.根据权利要求3所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述mems压力传感器的封装结构还包括用于连接直流电源和用于信号输出的引脚，所述引脚均穿设在所述底板上。5.根据权利要求1所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述n型半导体和所述p型半导体均为多个，多个所述n型半导体与多个所述p型半导体间隔布置并依次通过金属线相串联后与直流电源连接。6.根据权利要求1所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述mems压力传感器的封装结构还包括封盖，所述封盖的一端连接于所述底座上，另一端悬设于所述膜片外，所述封盖的悬设于所述膜片外的一端设有介质通孔。7.根据权利要求1所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述膜片采用波纹膜片。8.根据权利要求1所述的mems压力传感器的封装结构，其特征在于，所述传感介质为空气、水和硅油中的一种。9.一种mems压力传感器的封装方法，其特征在于，包括：提供底板，所述底板包括第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的n型半导体和p型半导体，所述n型半导体与所述p型半导体通过金属线相串联，所述第一结构层及所述第二结构层内穿设有第一引脚和第二引脚，所述第一结构层内穿设有第三引脚和第四引脚，所述第三引脚和所述第四引脚分别与n型半导体和p型半导体的串联结构的两端相连接，用于连接直流电源；在所述第二结构层的远离所述第一结构层的一侧粘贴压力传感芯片，并将其输入端和输出端分别连接所述第一引脚和第二引脚；在所述第二结构层的远离所述第一结构层的一侧安装侧板，以形成凹腔；在所述侧板的远离所述底板的一端安装膜片，以形成密封腔体，所述压力传感芯片位于所述密封腔体内；向所述密封腔体内填充传感介质。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
制备封盖，将所述封盖悬置在所述膜片外并固定于所述侧板上。
技术总结
本申请公开了一种MEMS压力传感器的封装结构及方法，所述MEMS压力传感器的封装结构包括：底座，与膜片形成密封腔体，所述密封腔体内部设有传感介质及压力传感芯片，当外界压力增大时，所述膜片向所述密封腔体的内侧弯曲，以使所述密封腔体收缩并通过传感介质向压力传感芯片传递压力；所述底座包括底板，所述底板包括第一结构层、第二结构层以及位于第一结构层和第二结构层之间的N型半导体和P型半导体，所述N型半导体与所述P型半导体相串联后与直流电源连接。本申请的封装结构可以实现对密封腔体内部温度的控制，能够避免环境温度变化导致传感器芯片性能产生漂移的问题。致传感器芯片性能产生漂移的问题。致传感器芯片性能产生漂移的问题。
技术研发人员：刘同庆
受保护的技术使用者：无锡芯感智半导体有限公司
技术研发日：2022.09.21
技术公布日：2022/10/25