技术特征：
1.一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：包括红外热像仪(1)和热源；所述红外热像仪(1)设置在待测电路板(2)的正上方且镜头正对待测电路板(2)，所述热源位于红外热像仪(1)的旁侧用于加热待测电路板(2)的整体或局部。2.根据权利要求1所述的一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：所述筛查系统还包括电路板运输机构(3)，所述电路板运输机构(3)设置在红外热像仪(1)和热源的下方，若干个待测电路板(2)均布放置在电路板运输机构(3)上，依次经过热源和红外热像仪(1)。3.根据权利要求1或2所述的一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：所述热源为两个红外激光器ⅰ(4)，两个红外激光器ⅰ(4)对称设置在红外热像仪(1)的两侧，两者高度相同，且与水平面的夹角相同，两个红外激光器ⅰ(4)的镜头对称设置且两者的散焦光斑重合在位于红外热像仪(1)正下方的待测电路板(2)上。4.根据权利要求3所述的一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：所述两个红外激光器ⅰ(4)的功率和脉冲时长保持一致。5.根据权利要求1或2所述的一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：所述热源为平板式红外射灯(5)，其灯光垂直向下照射。6.根据权利要求1或2所述的一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：所述热源为dlp式红外激光加载源(6)，所述dlp式红外激光加载源(6)包括红外激光器ⅱ(61)、dlp控制电路板(62)和聚焦镜头(63)，所述dlp控制电路板(62)包括dmd芯片(64)，红外激光器ⅱ(61)照射在dmd芯片(64)上，所反射的投影图像(7)经过聚焦镜头(63)照射到待测电路板(2)上且与待测电路板(2)中的各元器件对应重合，所述投影图像(7)为依据待测电路板(2)中不同元器件对红外光线的吸收率不同，所绘制的各元器件图形的灰度等级图，对于红外光线的吸收率从大到小的元器件，元器件图形的灰度等级由灰色逐步过渡为白色。7.根据权利要求6所述的一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统，其特征在于：将表面有金属镀膜的元器件所对应的投影图像(7)设置为白色，将表面为黑色塑封的元器件对应的投影图像(7)设置为灰色。8.一种利用权利要求1-7任一权利要求所述的红外快速筛查系统的筛查方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、使用热源加热待测电路板(2)的整体或局部，停止加热的同时，红外热像仪(1)对经加热的待测电路板(2)整体或者局部进行拍照得到热像图；使用热源加热待测电路板(2)，需要保证各元器件的温度在数秒内都升高10-20℃，且不能有元器件的温度超过100℃；步骤二、待测电路板(2)的热像图中，若某个元器件的整体或者局部的温度比标准合格样板的热像图中相对应的元器件的温度高于设定值，则该元器件存在焊点虚焊或者缺陷。9.根据权利要求8所述的筛查方法，其特征在于：所述热源为dlp式红外激光加载源(6)，调节dlp式红外激光加载源(6)与待测电路板(2)的距离和焦距，使投影图像(7)与待测电路板(2)上各元器件对应重合，在全功率状态下启动dlp式红外激光加载源(6)，照射待测电路板(2)数秒，停止照射后，利用红外热像仪(1)对待测电路板(2)进行拍照得到热像图。10.根据权利要求8所述的筛查方法，其特征在于：所述热源为平板式红外射灯(5)，对
位于正下方的待测电路板(2)加热完毕后，利用红外热像仪(1)对待测电路板(2)进行拍照。
技术总结
一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统和筛查方法，属于电路板焊点虚焊检测领域，具体方案如下：所述筛查系统包括红外热像仪和热源；红外热像仪设置在待测电路板的正上方且镜头正对待测电路板，热源位于红外热像仪的旁侧，使用热源加热待测电路板的整体或局部，停止加热的同时，红外热像仪对待测电路拍照得到热像图；待测电路板的热像图中，若某个元器件的整体或者局部的温度比标准合格样板的热像图中相对应的元器件的温度高于设定值，则该元器件存在焊点虚焊或者缺陷。本发明彻底突破了高密度封装电路板元器件焊点虚焊检测这一行业难题，可检测的元器件涵盖了各种现有芯片及阻容器件，同时其高效性有助于将本发明应用于生产线上。应用于生产线上。应用于生产线上。
技术研发人员：田艳红 杨东升 孔令超 刘威 安荣 张威
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2022.11.02
技术公布日：2023/2/3