1.一种pbs量子点敏化tio2薄膜电极，其特征在于，pbs量子点敏化tio2薄膜电极为局域表面等离激元增强的pbs量子点敏化tio2半导体薄膜电极，pbs量子点敏化tio2薄膜电极包括在导电玻璃上依序层叠排列的宽禁带半导体层、金属纳米颗粒、宽禁带半导体层以及单层量子点。
2.一种如权利要求1所述的pbs量子点敏化tio2薄膜电极在原位电化学光谱和光电流联用测试中的应用。
3.一种实施如权利要求1所述的pbs量子点敏化tio2薄膜电极的pbs量子点敏化tio2薄膜电极原位电化学光谱和光电流联用测试系统，其特征在于，pbs量子点敏化tio2薄膜电极原位电化学光谱和光电流联用测试系统包括：电化学三电极体系、荧光检测体系和光电化学检测体系。
4.如权利要求3所述的的pbs量子点敏化tio2薄膜电极原位电化学光谱和光电流联用测试系统，其特征在于，电化学三电极体系由薄膜电极、ag/agcl电极和铂环电极组成，薄膜电极为工作电极，ag/agcl电极为参比电极，铂环为对电极；电化学三电极体系用于对薄膜电极施加电化学电势，调控薄膜电极上宽禁带半导体导带的弯曲程度，控制量子点光生电子空穴对的分离与复合。
5.如权利要求3所述的的pbs量子点敏化tio2薄膜电极原位电化学光谱和光电流联用测试系统，其特征在于，荧光检测体系和光电化学检测体系由光学检测暗室、荧光检测系统和电化学工作站组成；其中，光学检测暗室由光学暗箱、光电化学池和底座组成，用于为荧光检测营造黑暗环境；荧光检测系统由激发光源、滤光片、分光仪、数据线和计算机组成。
6.如权利要求3所述的的pbs量子点敏化tio2薄膜电极原位电化学光谱和光电流联用测试系统，其特征在于，荧光检测体系和光电化学检测体系联用，用于同时对量子点敏化薄膜电极的光致发光和光电流密度进行检测、记录、显示检测结果。
7.一种实施如权利要求1所述的pbs量子点敏化tio2薄膜电极的pbs量子点敏化tio2薄膜电极制备方法，其特征在于，pbs量子点敏化tio2薄膜电极制备方法包括以下步骤：
8.如权利要求7所述的pbs量子点敏化tio2薄膜电极制备方法，其特征在于，步骤一中的tio2薄膜的厚度为100nm，au金属膜层的厚度为5nm。
9.如权利要求7所述的pbs量子点敏化tio2薄膜电极制备方法，其特征在于，步骤二中的au金属颗粒的粒径为15～50nm，tio2超薄薄膜的厚度为小于10nm。
10.如权利要求7所述的pbs量子点敏化tio2薄膜电极制备方法，其特征在于，步骤三中负载的pbs量子点层数为单层。