用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法和装置与流程

1.本技术涉及电缆技术领域，特别是涉及一种用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法和装置。


背景技术：

2.在高压电力电缆中，绝缘层、内外屏蔽层是影响电缆运行状况、使用寿命等关键问题的决定性因素。
3.目前，在电缆绝缘材料与屏蔽材料的设计过程中，采用的方式是对各个待选绝缘材料、各个待选屏蔽材料分别进行评价，将性能最优的待选绝缘材料与性能最优的待选屏蔽材料进行匹配，设计得到电缆的材料。
4.然而，采用上述匹配方式得到的电缆的实际性能与目标性能需求之间，仍存在较大差异，故，亟需改进。


技术实现要素：

5.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提升对电缆性能评价准确性的用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法和装置。
6.第一方面，本技术提供了一种用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法，该方法包括：
7.获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
8.通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
9.通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
10.根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
11.在其中一个实施例中，通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果，包括：
12.通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线；
13.根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果。
14.在其中一个实施例中，根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果，包括：
15.确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度；
16.根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
17.在其中一个实施例中，通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得
到第二测试结果，包括：
18.从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；
19.通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；
20.根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
21.在其中一个实施例中，根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果，包括：
22.从各个目标复合试样中确定至少一个第二复合试样；
23.通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度；
24.根据各个测试抗撕裂强度、目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
25.在其中一个实施例中，通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果，包括：
26.从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样；
27.通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样；
28.通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
29.第二方面，本技术还提供了用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的装置，该装置包括：
30.获取模块，用于获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
31.第一测试模块，用于通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
32.第二测试模块，用于通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
33.匹配模块，用于根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
34.第三方面，本技术还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
35.获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
36.通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
37.通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
38.根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
39.第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
40.获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
41.通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
42.通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
43.根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
44.第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
45.获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
46.通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
47.通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
48.根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
49.上述用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法和装置，在测试各个屏蔽材料与目标绝缘材料的匹配性能时，通过对获取到的各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到热膨胀性能维度的第一性能结果；通过对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到至少包括击穿性能维度的第二性能结果；基于第一性能结果和第二性能结果，从多个维度分析各个屏蔽材料与目标绝缘材料之间的适配性，进而筛选出与目标绝缘材料匹配的目标屏蔽材料，提高了研发过程中对电缆性能的评价的准确性。
附图说明
50.图1为一个实施例中用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的应用环境图；
51.图2为一个实施例中用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的流程示意图；
52.图3为一个实施例中确定第一性能结果的流程示意图；
53.图4为一个实施例中热膨胀系数曲线的示意图；
54.图5为一个实施例中形变量系数曲线的示意图；
55.图6为一个实施例中根据相似度趋势确定第一性能结果的流程示意图；
56.图7为一个实施例中根据击穿性能测试确定第二性能结果的流程示意图；
57.图8为一个实施例中根据抗撕裂强度测试确定第二性能结果的流程示意图；
58.图9为一个实施例中进行冷热循环测试确定第二性能结果的流程示意图；
59.图10为另一个实施例中用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的流程示意图；
60.图11为一个实施例中用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的装置的结构框图；
61.图12为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
62.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
63.本技术实施例提供的用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，第一设备与第二设备通过网络与服务器104进行通信。数据存储系统可以存储服务器104需要处理的数据。数据存储系统可以集成在服务器104上，也可以放在云上或其他网络服务器上。例如，服务器104获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；服务器104根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。服务器104可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。
64.三层挤包高压电力电缆包括外屏蔽层、绝缘层和内屏蔽层，其中，绝缘层、内、外屏蔽层是影响电缆运行状况、使用寿命等关键问题的决定性因素，因此高压电缆制造业的发展离不开优质电缆材料的研发、筛选与评价。电缆中屏蔽-绝缘的电气、热学、力学等的界面匹配性能同样会对实际运行中的电缆产生影响，然而，除去电缆系统的其它相关设备外，目前针对电缆性能的评价方法主要集中在绝缘材料、屏蔽材料单独两块领域中，对二者之间的复合界面尚未有一套完备的评价体系。因此，在现有评价体系下分别筛选出的绝缘料、屏蔽料加工为成品电缆后，由于未考虑到匹配性因素，使得设计得到的电缆的实际性能与目标性能需求之间，仍存在较大差异，故，亟需改进。
65.在一个实施例中，如图2所示，提供了一种用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法，以该方法应用于图1中的服务器的104为例进行说明，包括以下步骤：
66.s201，获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样。
67.其中，目标绝缘试样是多个待测试绝缘试样中的任一试样，例如，待测试绝缘试样a、待测试绝缘试样b、待测试绝缘试样等，每一类的待测绝缘试样的个数可以为至少一个，故，目标绝缘试样的个数可以为至少一个。
68.对应的，各个屏蔽试样是指在评价试验过程中，需要与目标绝缘试样进行匹配的试样，例如，屏蔽试样1、屏蔽试样2、屏蔽试样3等。
69.各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到，目标
复合试样可以采用平板热压法制成，并在60℃下放置至少8h。以上述目标绝缘试样为待测试绝缘试样a为例进行说明，各个目标复合试样可以为：目标复合试样1#(目标绝缘试样+屏蔽试样1)、目标复合试样2#(目标绝缘试样+屏蔽试样2)、目标复合试样3#(目标绝缘试样+屏蔽试样3)等。
70.具体的，在进行界面匹配性能测试的过程中，每个试样各自对应有唯一编号，服务器104获取目标绝缘试样对应的试样编号，例如编号a，即相当于获取到了目标绝缘试样a；服务器104获取各个屏蔽试样的编号，例如1、2、3，即相当于获取到了目标试样对应的各个屏蔽试样；服务器104获取各个目标复合试样的编号，例如，1#、2#、3#，即相当于获取到了目标试样对应的各个目标复合试样。
71.s202，通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果。
72.其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试，对应的，第一设备可以为热膨胀仪。
73.具体的，在对各个试样(目标绝缘试样和各个屏蔽试样)进行第一性能测试时，服务器104将各个试样的编号发送至第一设备，第一设备根据编号依次对每个试样进行第一性能测试，并输出该试样的测试结果，测试结果可以是热膨胀系数或其他相关参数。服务器104接收各个测试结果，并根据各个测试结果，确定第一性能结果。
74.其中，热胀冷缩是材料的固有属性，一般通过热膨胀系数(包括线热膨胀系数、面热膨胀系数和体热膨胀系数)或试样的形变量来描述，不同温度下同一材料的热膨胀系数并不是固定不变的，而是随温度变化的。可以理解的是，热膨胀系数越低，成品电缆的抗热震性能越好，对于冷热交替温差变化大的工作环境更适应。同时，若屏蔽试样与目标绝缘试样的热膨胀性能差异越小(更相似)，则结合后的复合试样具有更优的热膨胀性能，可以降低热循环引起热残余应力的危害，防止电缆屏蔽-绝缘界面出现变形、内部产生微孔等缺陷；对应的，若屏蔽试样与目标绝缘试样的热膨胀性能差异越大(不相似)，则结合后的复合试样的热膨胀性能较弱。
75.具体的，在进行热膨胀测试过程中，根据测试要求，试样可以是直径为6mm、高度为20mm的圆柱，即被选中的各个目标绝缘试样和各个屏蔽试样均制备为直径为6mm、高度为20mm的圆柱状。
76.在一种可实现方式中，第一性能结果可以是目标绝缘试样和各个屏蔽试样的测试结果；在另一种可实现方式中，第一性能结果也是可以对上述各个测试结果进一步分析所得到的评价结果，即，分析得到与目标绝缘试样的热膨胀性能差异满足第一条件(例如，差异小于预设差值)的屏蔽试样(屏蔽材料)。
77.s203，通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
78.具体的，在对各个目标复合试样进行第二性能测试时，服务器104将各个试样的编号发送至第二设备，第二设备根据编号依次对每个试样进行第二性能测试，并输出该试样的测试结果，服务器104接收各个测试结果，并根据各个测试结果，确定第二性能结果。
79.其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试。击穿性能(击穿强度)是介质材料在电场等因素作用下维持绝缘状态的极限能力，击穿性能可以通过击穿场强、击穿时间、形状参数和尺度参数等数据来表征。
80.在一种可实现方式中，第二性能测试仅包括击穿性能测试。在另一种可实现方式中，第二性能测试除击穿性能测试外还可以包括抗撕裂强度测试，其中，抗撕裂强度反映了屏蔽材料与绝缘材料交界面处的粘接强度。
81.若第二性能测试仅包括击穿性能测试，则第二设备为击穿测试仪，在一种可实现方式中，第二性能结果包括各个目标复合试件对应的各个击穿性能；在另一种可实现方式中，第二性能结果还可以是对各个目标复合试样对应的各个击穿性能进行进一步分析，所得到的满足第二条件的复合试样。
82.若第二性能测试包括抗撕裂强度测试和击穿性能测试，则第二设备包括拉力机和击穿测试仪。在一种可实现方式中，第二性能结果包括各个目标复合试样对应的抗撕裂强度，以及各个目标复合试样对应的各个击穿性能。在另一种可实现方式中，第二性能结果还可以是对各个目标复合试样对应的抗撕裂强度，以及各个目标复合试样对应的各个击穿性能进行进一步分析，所得到的满足第二条件的复合试样，第二条件是指该复合试样满足预设抗撕裂强度和满足预设击穿性能。
83.s204，根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
84.具体的，服务器104根据第一性能结果可以筛选出与目标绝缘试样在热膨胀性能这一维度上，匹配性能满足第一条件的屏蔽试样(该屏蔽试样对应的屏蔽材料)；根据第二性能结果，可以筛选出与目标绝缘试样在抗撕裂强度和/或击穿性能的维度上，匹配性能满足第二条件的目标复合试样(该目标复合试样对应的屏蔽材料)。而后，服务器104将满足第一条件和第二条件的屏蔽材料，作为目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料，在此情形下，经过上述筛选得到的屏蔽材料与目标绝缘试样的匹配性能更接近实际使用工况。
85.上述用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法中，在测试各个屏蔽材料与目标绝缘材料的匹配性能时，通过对获取到的各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到热膨胀性能维度的第一性能结果；通过对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到至少包含击穿性能测试维度的第二性能结果；基于第一性能结果和第二性能结果，从多个维度分析各个屏蔽材料与目标绝缘材料之间的适配性，进而筛选出与目标绝缘材料匹配的目标屏蔽材料，提高了研发过程中对电缆性能的评价的准确性。
86.在一个实施例中，如图3所示，本实施例提供了一种通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果的可选方式，即提供了一种对s202进行细化的方式。具体实现过程可以包括：
87.s301，通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线。
88.其中，目标性能曲线包括热膨胀系数曲线和形变量曲线中的至少一种，热膨胀系数曲线是热膨胀系数随温度变化的曲线，如图4所示的目标绝缘试样与各个屏蔽试样(1、2、3)的热膨胀系数曲线；形变量曲线是试样的形变量随温度变化的曲线，如图5所示的目标绝缘试样与各个屏蔽试样(1、2、3)的形变量曲线。
89.可选的，试样的形变量用相对伸长量来表征，由于如果对一个长度为l的物体进行加热，使其温度从t0均匀上升到t1，则该物体沿长度方向会基于热膨胀系数产生相应的自由膨胀量δl(相对伸长量)。
90.s302，根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果。
91.如上示例，在一种可实现方式中，第一性能结果可以是目标绝缘试样的热膨胀系数曲线和各个屏蔽试样的热膨胀系数曲线；或者是目标绝缘试样的形变量曲线和各个屏蔽试样的形变量曲线。
92.在另一种可实现方式中，确定第一性能结果还可以包括以下过程：(1)，针对于任一屏蔽试样，计算该屏蔽试样的热膨胀系数曲线与目标绝缘试样的热膨胀系数曲线之间的热膨胀差异值；其中，热膨胀差异值可以通过两个热膨胀系数曲线之间的热膨胀系数最高点差值、热膨胀系数中值的差值、热膨胀系数最低点的差值、热膨胀系数趋势变化的差值中的至少一项来确定。(2)，根据各个热膨胀差异值，确定满足第一子条件的热膨胀系数曲线对应的屏蔽试样；其中，第一子条件包括热膨胀差异值小于第一差异阈值，且该热膨胀差异值对应的屏蔽试样的热膨胀系数低于第一目标阈值。(3)，针对于任一屏蔽试样，计算该屏蔽试样的形变量系数曲线与目标绝缘试样的形变量系数曲线之间的形变量差异值；其中，形变量差异值可以通过两个形变量曲线之间的形变量系数最高点差值、形变量系数中值的差值、形变量系数最低点的差值、形变量系数趋势变化的差值中的至少一项来确定。(4)，根据各个形变量差异值，确定满足第二子条件的形变量系数曲线对应的屏蔽试样；其中，第二子条件包括形变量差异值小于第二差异阈值。(5)，将满足第一子条件和第二子条件的屏蔽试样，确定为满足第一条件的屏蔽试样。
93.本实施例中，通过生成目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线，确定满足第一条件的测试性能曲线(对应的屏蔽试样)，使得该屏蔽试样的热膨胀性能与目标绝缘试样的热膨胀性能之间的差异较小(满足第一条件)，以提高组合后的电缆的热膨胀性能。
94.上述计算目标性能曲线和各个测试性能曲线之间差异值的方式包括多种形式，在本实施例中，为了将目标性能曲线和各个测试性能曲线进行准确地比对，如图6所示，提供了一种根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果的可选方式，即对s502的细化，具体可以包括以下过程：
95.s601，确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度。
96.在一实现方式中，服务器104接收第一设备输出的各个测试性能曲线与目标性能曲线，在计算任一测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度时，可以在横轴(温度)上，计算各个温度在测试性能曲线对应的数值与目标性能曲线的数值之间的单点差异值，基于多个单点差异值，确定该测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度。
97.在另一实现方式中，还可以将测试性能曲线与目标性能曲线输入至预设的神经网络模型中，得到该神经网络模型输出的相似度结果。
98.s602，根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
99.具体的，将与目标性能曲线的相似度满足第一条件的测试性能曲线所对应的屏蔽试样，确定为第一性能结果。其中，满足第一条件的屏蔽试样的个数至少为一个。
100.本实施例中，通过对目标性能曲线和各个测试性能曲线的趋势进行相似度对比，能够确定与目标绝缘试样匹配性能更优的屏蔽试样。
101.若第二性能测试包括击穿性能测试，对应的，在一个实施例中，如图7所示，本实施例提供了一种通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二测试结果的
可选方式，即提供了一种对s202进行细化的方式。具体实现过程可以包括：
102.s701，从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样。
103.服务器104从目标复合试样的编号中，随机不放回地抽取预设个数的第一复合试样。可选的，所选取的第一复合试样的个数为至少一个，且仅用于进行击穿性能测试。
104.s702，通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能。
105.其中，击穿性能通过击穿场强来表征。
106.服务器104将第一复合试样的编号发送至第二设备，第二设备根据相应的编号对各个第一复合试样逐一进行击穿性能测试。针对于任一第一复合试样，测试过程如下：采用边长为100mm、厚度为0.5mm的正方形第一复合试样；第二设备中击穿场强的电压上升速率为1kv/s，采用直径为20mm球-球电极，针对该第一复合试样获得20次有效击穿场强，其中，击穿电压(交流)和试样厚度的比值即为试样的击穿场强(交流)。
107.而后，服务器104采用威布尔分布函数布对试验结果(各个击穿场强)进行统计分析，置信水平为95％，计算各个击穿场强对应的尺度参数和形状参数。其中，目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能如下表-表1所示：
108.表1
[0109][0110][0111]
s703，根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0112]
其中，若第二性能测试仅包括击穿性能测试，则将上述s203中的第二条件确定为第三子条件，第三子条件是指该被测试样的击穿性能高于预设击穿性能。
[0113]
服务器104确定各个第一复合试样对应的测试击穿性能，基于目标绝缘试样对应的目标击穿性能，将击穿性能满足第三子条件的第一复合试样，确定为第二性能结果。
[0114]
具体的，表1中，含屏蔽层的各复合试样较目标绝缘试样，其击穿场强均有不同程度的降低。其中，复合试样1#的击穿场强为74.4kv/mm，下降程度最低；复合试样2#的击穿场强为72.3kv/mm；3#的击穿场强为70.7kv/mm，3#下降程度最高。即，屏蔽层与绝缘层复合之后电气强度整体呈现下降趋势，但复合试样1#相比目标绝缘试样的击穿场强下降幅度不大，说明该屏蔽层和目标绝缘层具有较好的匹配性；而复合试样3#试样下降程度最低，表明该屏蔽层与目标绝缘层的界面电气匹配性能最好，该复合试样的击穿性能相比于复合试样1#和复合试样2#的击穿性能较优，则将复合试样3#确定为击穿性能满足第三子条件的复合试样。
[0115]
含屏蔽层配合的各复合试样，相比于目标绝缘试样击穿场强下降的原因可能在于试样制备过程中，屏蔽层的添加给试样内部的绝缘-屏蔽界面引入了杂质以及上下屏蔽层的边缘效应所致。另外，还可以进一步研究绝缘层与屏蔽-绝缘复合试样的交流电气强度随温度变化的规律，测试在各个温度条件下屏蔽-绝缘复合试样的击穿性能。
[0116]
本实施例中，通过对第一复合试样进行击穿性能测试，在击穿性能维度衡量复合试样中绝缘层与屏蔽层之间的匹配性能，提高了电缆评价的准确性。
[0117]
屏蔽层与绝缘层的界面处可能由于存在气隙导致粘结强度不足。抗撕裂强测试是测试界面在两个反向力作用下时界面处撕裂所需的应力，实际上这与界面不同的撕裂特性相关，最大应力往往出现在界面某几个粘连点，在撕裂过程中可能出现多种撕裂情况：
①
沿界面撕裂，整体试样界面处无粘结强度较强的粘连点；
②
界面难以撕裂，从侧面绝缘层或半导电层断开；
③
个别粘连点粘结强度不高，粘连点断开时将部分界面撕裂，直至达到下一个粘连点。这是由于屏蔽层中的导电炭黑与基体之间的作用力和绝缘材料的链间作用力越小，会对绝缘材料的力学性能和半导电材料的力学性产生影响，材料之间的界面结合力减弱，所以倾向于在界面直接撕裂。在电缆运行时，绝缘层与屏蔽层的界面就更容易发生撕裂，为电缆及接头的安全运行带来隐患。因此，需要对屏蔽层与绝缘层结合后的复合试样进行抗撕裂强度测试。
[0118]
即，若第二性能测试包括抗撕裂强度测试，对应的在一个实施例中，如图8所示，本实施例还提供了一种根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果的可选方式，即s203的细化过程，具体可以包括以下过程：
[0119]
s801，从各个目标复合试样中确定至少一个第二复合试样。
[0120]
服务器104从目标复合试样的编号中，随机不放回地抽取相应个数的第二复合试样。其中，第二复合试样的个数为至少一个，第二复合试样可以为与第一复合试样同型号、但不同编号的目标复合试样，且仅用于进行抗撕裂强度测试。在本实施例中，第二复合试样为100mm厚度的裤型试样，第二复合试样的绝缘层与屏蔽层界面处开口(开口深度为40mm)。
[0121]
s802，通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度。
[0122]
其中，第二设备为拉力机，抗撕裂强度t＝f/d，其中，f为撕裂试样时施加的拉力，d为试样的厚度；第二设备在计算抗撕裂强度时，首先要计算第二复合试样的厚度d。当第二复合试样为裤形试样时，应按gb/t12833中的规定取中位数，测量试样的厚度d，按gb/t2941中的规定，试样厚度的测量应在其撕裂区域内进行，厚度测量不少于三点，取中位数。
[0123]
对于任一第二复合试样，第二设备测试目标复合试样的绝缘层与屏蔽层界面的抗撕裂强度时，具体包括以下过程：第二设备参照标准gbt 529-2008，在(23
±
2)℃或(27
±
2)℃标准温度下进行试验，拉伸速率为100mm/min，对第二复合试样施加拉力f；而后，第二设备在计算试样的撕裂强度时，以试样撕裂强度的中位数、最大值和最小值共同表示，数值准确到整数位。
[0124]
另外，如果试验需要在其他温度下进行时，试验前应将试样置于该温度下进行充分调节，以使试样与环境温度达到平衡。为使试验结果具有可比性，任何一个试验的整个过程或一系列试验应在相同温度下进行。每组试样至少测得5个有效数据，最后根据试验结果计算得出抗撕裂强度。
[0125]
s803，根据各个测试抗撕裂强度、目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0126]
其中，若第二性能测试包括击穿性能测试和抗撕裂强度测试，则将上述s203中的第二条件为第三子条件和第四子条件，其中，第四子条件是指该复合试样的抗撕裂强度大于预设抗撕裂强度。服务器104将满足第三子条件和第四子条件的复合试样确定为满足第二条件的复合试样，即第二性能结果。
[0127]
在本实施例中，通过对第二复合试样进行抗撕裂强度测试，在抗撕裂强度的维度衡量复合试样中绝缘层与屏蔽层之间的匹配性能，并筛选出满足预设抗撕裂强度和满足预设击穿性能的复合试样，提高了电缆评价的准确性。
[0128]
在一个实施例中，如图9所示，本实施例还提供了一种通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果的可选方式，即s203的细化过程，具体可以包括以下过程：
[0129]
s901，从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样。
[0130]
服务器104从目标复合试样的编号中选取相应个数的第三复合试样(编号)，其中，第三复合试样的个数为至少两个，若第二性能测试为上述击穿性能测试，则第三复合试样为与第一复合试样的型号、参数相同的试样；若第二性能测试为上述抗撕裂强度测试，则第三复合试样为与第二复合试样的型号、参数相同的试样；若第二性能测试包括击穿性能测试和抗撕裂强度测试，则第三复合试样包括第一分组和第二分组，第一分组中的试样是与第一复合试样的型号、参数相同的试样，第二分组中的试样是与第二复合的试样型号、参数相同的试样。
[0131]
s902，通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样。
[0132]
其中，第三设备为恒温恒湿试验箱，服务器104将第三复合试样的编号发送至第三设备，控制第三设备对第三复合试样进行冷热循环试验，测试前，将第三复合试样的一端夹在恒温恒湿试验箱内，保证其均匀受热。
[0133]
第三设备在进行冷热循环测试的过程如下：将第三设备置入后，以24h为一冷热循环周期，最高温度点设为70℃，在最高温度下的保温时间为8h；最低温度点设为-30℃，在最低温度下温保温时间为16h，并进行三个冷热循环周期。
[0134]
s903，通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
[0135]
其中，将冷热循环后处理后的第三复合试样从恒温恒湿试验箱内取出，重复上述s701～s702，和/或s801～s802中的步骤，服务器104获取冷热循环后处理后的第三复合试样的测试抗撕裂强度，和/或各个对应的测试击穿性能。
[0136]
具体的，以第二性能测试包括击穿性能测试和抗撕裂强度测试为例进行为说明，服务器104将第一分组中试样的击穿性能与第一复合试样的击穿性能进行比对，确定击穿性能差值；将第二分组中试样的击穿性能与第二复合试样的抗撕裂强度进行比对，确定抗撕裂强度差值；将击穿性能差值和抗撕裂强度差值确定为第二性能结果；或者是，将击穿性能差值和/或抗撕裂强度差值较小的第三复合试样，确定为第二性能结果。
[0137]
本实施例中，通过将冷热循环后的第三复合试样进行第二性能测试，模拟冷热循
环模拟电缆实际使用工况，进一步确定复合试样中屏蔽层与绝缘层之间的匹配性能。
[0138]
示例性的，在上述实施例的基础上，本实施例提供了一种用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的可选实例。如图10所示，具体实现过程包括：
[0139]
s1001，获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；
[0140]
其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
[0141]
s1002，通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线；
[0142]
s1003，确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度；根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
[0143]
s1004，从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；
[0144]
s1005，通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；
[0145]
s1006，通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
[0146]
其中，从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0147]
其中，从各个目标复合试样中确定至少一个第二复合试样；通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度；根据各个测试抗撕裂强度、目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果，确定第二性能结果。
[0148]
其中，从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样；通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样；通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
[0149]
s1007，根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
[0150]
上述s1001-s1007的具体过程可以参见上述方法实施例的描述，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。
[0151]
应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0152]
基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的装
置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的限定，在此不再赘述。
[0153]
在一个实施例中，如图11所示，提供了一种用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的装置1，包括：获取模块、第一测试模块、第二测试模块12和匹配模块13，其中：
[0154]
获取模块11，用于获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
[0155]
第一测试模块12，用于通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
[0156]
第二测试模块12，用于通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
[0157]
匹配模块13，用于根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
[0158]
在一个实施例中，第一测试模块12，包括：
[0159]
分析子模块，用于通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线；
[0160]
确定子模块，用于根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果。
[0161]
在一个实施例中，分析子模块，还用于：确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度；根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
[0162]
在一个实施例中，第二测试模块12，包括：
[0163]
第一筛选子模块，用于从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；
[0164]
击穿测试子模块，用于通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；
[0165]
击穿性能子模块，用于根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0166]
在一个实施例中，第二测试模块12，包括：
[0167]
第二筛选子模块，用于从各个目标复合试样中确定至少一个第二复合试样；
[0168]
抗撕裂测试子模块，用于通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度；
[0169]
抗撕裂强度子模块，用于根据各个测试抗撕裂强度，确定第二性能结果。
[0170]
在一个实施例中，第二测试模块12，包括：
[0171]
第三筛选子模块，用于从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样；
[0172]
冷却循环子测试，用于通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样；
[0173]
验证子模块，用于通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
[0174]
上述用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的装置中的各个模块可全部或部分
通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0175]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图12所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和通过能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法的数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种用于评价高压交流电缆绝缘-屏蔽匹配性的方法。
[0176]
本领域技术人员可以理解，图12中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0177]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
[0178]
获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
[0179]
通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
[0180]
通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
[0181]
根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
[0182]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果的逻辑时，具体实现以下步骤：通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线；根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果。
[0183]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果的逻辑时，具体实现以下步骤：确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度；根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
[0184]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二测试结果的逻辑时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0185]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二测试结果的逻辑时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确
定至少一个第二复合试样；通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度；根据各个测试抗撕裂强度，确定第二性能结果。
[0186]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二测试结果的逻辑时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样；通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样；通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
[0187]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0188]
获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
[0189]
通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
[0190]
通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
[0191]
根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
[0192]
在一个实施例中，计算机程序通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线；根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果。
[0193]
在一个实施例中，计算机程序根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度；根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
[0194]
在一个实施例中，计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二测试结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0195]
在一个实施例中，计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第二复合试样；通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度；根据各个测试抗撕裂强度，确定第二性能结果。
[0196]
在一个实施例中，计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样；通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样；通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
[0197]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0198]
获取目标绝缘试样，以及目标绝缘试样对应的各个屏蔽试样和各个目标复合试样；其中，各个目标复合试样由目标绝缘材料分别与各个屏蔽材料进行复合制备得到；
[0199]
通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果；其中，第一性能测试至少包括热膨胀性能测试；
[0200]
通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果；其中，第二性能测试至少包括击穿性能测试；
[0201]
根据第一性能结果和第二性能结果，从各个屏蔽材料中选择与目标绝缘试样匹配的目标屏蔽材料。
[0202]
在一个实施例中，计算机程序通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行第一性能测试，得到第一性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：通过第一设备分别对目标绝缘试样和各个屏蔽试样进行热膨胀性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标性能曲线，以及各个屏蔽试样对应的测试性能曲线；根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果。
[0203]
在一个实施例中，计算机程序根据目标性能曲线和各个测试性能曲线，确定第一性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：确定各个测试性能曲线与目标性能曲线的趋势相似度；根据各个趋势相似度，确定第一性能结果。
[0204]
在一个实施例中，计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二测试结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第一复合试样；通过第二设备对目标绝缘试样和各个第一复合试样进行击穿性能测试，得到目标绝缘试样对应的目标击穿性能，以及各个第一复合试样对应的测试击穿性能；根据目标击穿性能和测试击穿性能，确定第二性能结果。
[0205]
在一个实施例中，计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第二复合试样；通过第二设备对各个第二复合试样进行抗撕裂强度测试，得到对应的各个测试抗撕裂强度；根据各个测试抗撕裂强度，确定第二性能结果。
[0206]
在一个实施例中，计算机程序通过第二设备对各个目标复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果的逻辑被处理器执行时，具体实现以下步骤：从各个目标复合试样中确定至少一个第三复合试样；通过第三设备对各个第三复合试样进行冷却循环测试，得到冷却循环测试后的第三复合试样；通过第二设备对冷却循环测试后的第三复合试样进行第二性能测试，得到第二性能结果。
[0207]
需要说明的是，本技术所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
[0208]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括
非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0209]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0210]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。