技术特征：
1.一种成膜支架，用于形成分子膜，其特征在于，所述成膜支架包括：绝缘基体；和绝缘层，设置于所述绝缘基体上，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述绝缘基体、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层依次叠设，所述第一绝缘层中设置有储液腔，所述第二绝缘层中设置有与所述储液腔连通的成膜腔，所述成膜腔和所述储液腔朝向背离所述绝缘基体的方向开口，沿从所述绝缘基体至所述第二绝缘层的方向，所述成膜腔的开口尺寸逐渐增大。2.根据权利要求1所述的成膜支架，其特征在于，第一绝缘层的内表面构成所述储液腔的储液表面，所述第二绝缘层的内表面构成所述成膜腔的成膜表面，所述第二绝缘层背离所述绝缘基体的顶面与形成所述成膜腔的所述成膜表面平滑连接，所述成膜表面与形成所述储液腔的所述储液表面平滑连接。3.根据权利要求2所述的成膜支架，其特征在于，所述成膜表面为倾斜面或弧形面。4.根据权利要求2所述的成膜支架，其特征在于，所述第二绝缘层还包括自所述成膜表面凸出设置的支撑凸起。5.根据权利要求4所述的成膜支架，其特征在于，所述支撑凸起的数量为多个，多个所述支撑凸起沿从所述储液表面到所述顶面的方向依次设置。6.根据权利要求5所述的成膜支架，其特征在于，多个所述支撑凸起中的每个所述支撑凸起包括支撑沿和上升沿，所述上升沿沿从所述绝缘基体至所述第二绝缘层的方向延伸，所述支撑沿沿所述绝缘基体所在水平面延伸，沿从所述储液表面到所述顶面的方向，依次设置的各个所述支撑凸起的所述支撑沿到所述绝缘基体的距离逐渐增加。7.根据权利要求5所述的成膜支架，其特征在于，多个所述支撑凸起中的每个所述支撑凸起包括下降沿和上升沿，所述下降沿设置于所述上升沿远离所述成膜腔的轴线的一侧，沿从所述储液表面到所述顶面的方向，依次设置的各个所述支撑凸起的所述上升沿的顶点到所述绝缘基体的距离逐渐增加。8.根据权利要求5所述的成膜支架，其特征在于，所述支撑凸起包括与所述顶面相连的多个依次连接的第一凸起，以及连接所述第一凸起和所述储液表面的第二凸起；沿从所述储液表面到所述顶面的方向，依次设置的各个所述第一凸起的顶点到所述绝缘基体的距离逐渐增加。9.根据权利要求8所述的成膜支架，其特征在于，所述第二凸起的数量为多个，多个所述第二凸起依次连接；沿从所述成膜腔的轴线至所述成膜腔的边沿方向，各个所述第二凸起的顶点在同一平面上。10.根据权利要求4所述的成膜支架，其特征在于，所述成膜支架还包括多个微凸起，多个所述微凸起至少设于所述成膜表面、所述储液表面和所述支撑凸起中的任一个。11.根据权利要求1至10中任一项所述的成膜支架，其特征在于，形成所述储液腔的储液表面沿从所述绝缘基体到所述第二绝缘层的方向设置。12.根据权利要求1至10中任一项所述的成膜支架，其特征在于，所述储液腔包括上腔室和下腔室，所述成膜腔、所述上腔室和所述下腔室依次连通，沿从所述绝缘基体到所述第二绝缘层的方向，所述上腔室的开口尺寸逐渐减小。13.根据权利要求12所述的成膜支架，其特征在于，所述上腔室的内壁面与所述绝缘基
体所在平面之间的最大夹角为α，其中，1
°
＜α＜75
°
。14.根据权利要求1至10中任一项所述的成膜支架，其特征在于，多个所述储液腔呈阵列设置在所述第一绝缘层，多个所述成膜腔呈阵列设置在所述第二绝缘层，相邻所述成膜腔之间通过设置于所述第二绝缘层的第一通道连通；和/或，相邻所述储液腔之间通过设置于所述第一绝缘层的第二通道连通。15.一种生物芯片，其特征在于，包括：如权利要求1至14中任一项所述的成膜支架；电极，设置于所述储液腔，所述电极能够与所述储液腔内的液体导电连接，且能够与所述生物芯片外部的电路连接。16.一种纳米孔表征生物分子的装置，其特征在于，包括如权利要求至1至14中任一项所述的成膜支架或者如权利要求15所述的生物芯片。
技术总结
本实用新型公开了一种成膜支架、生物芯片和纳米孔表征生物分子的装置，本实用新型提供的成膜支架包括绝缘基体和绝缘层，绝缘层设置于绝缘基体上，绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，绝缘基体、第一绝缘层和第二绝缘层依次叠设，第一绝缘层中设置有储液腔，第二绝缘层中设置有与储液腔连通的成膜腔，成膜腔和储液腔朝向背离绝缘基体的方向开口，沿从绝缘基体至第二绝缘层的方向，成膜腔的开口尺寸逐渐增大。本实用新型提供的成膜支架制备的分子膜稳定性好。定性好。定性好。
技术研发人员：张喆 夏晓翔 宋璐
受保护的技术使用者：成都齐碳科技有限公司
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2022/6/14