1.一种中子探测器，其特征在于：包括盖板(1)、底座(2)，以及安装在盖板(1)和底座(2)之间的若干个层叠的涂硼微间隙室电极(3)，盖板(1)和底座(2)组成容纳涂硼微间隙室电极(3)的气体腔；
2.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于：所述基板(31)为铝基印刷线路板；
3.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于：所述金属读出条(32)为铜条，金属读出条(32)的宽度为0.5-2mm。
4.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于：所述金属阳极条(33)的材料为金，金属阳极条(33)的厚度为1-3μm，宽度为10-20μm，条间距为200-500μm。
5.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于：所述硼薄膜层(35)的厚度为0.1-10μm；
6.根据权利要求1所述的中子探测器，其特征在于：所述若干个层叠的涂硼微间隙室电极(3)中，两个涂硼微间隙室电极(3)之间的间隙为3-6mm，优选为4-5mm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的中子探测器，其特征在于：所述涂硼阴极板(12)的基板为铝基印刷线路板，铝基印刷线路板表面涂覆10b4c薄膜；
8.根据权利要求7所述的中子探测器，其特征在于：所述10b4c薄膜的厚度为0.1-10μm，优选为0.5-4μm，更优选为1-3μm。
9.根据权利要求1-6任一项所述的中子探测器，其特征在于：所述气体腔上设置有高压接头和信号引出接头，各电极分别通过高压接头和信号引出接头与高压电源和信号读出电子学系统相连。
10.根据权利要求9所述的中子探测器，其特征在于：所述信号读出电子学系统包括快电荷灵敏前置放大器、多通道数字化仪；