晶体管温度的测量方法、装置、电子设备及存储介质与流程

本技术涉及轨道交通，尤其涉及一种晶体管温度的测量方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术：

1、绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，简称igbt)是轨道车辆牵引变流器中的核心部件，igbt的安全性直接影响轨道车辆的安全性。其中，igbt的温度是影响其安全性的关键，过高的温度会导致igbt损坏，进而影响轨道车辆的运行。

2、在相关技术中，通过温度传感器测量igbt的温度，若温度超过温度阈值则进行告警，从而计时采取降温措施，避免igbt损坏。

3、然而，温度传感器测量的结果存在误差，导致测量结果不准确，进而导致igbt的安全性低。

技术实现思路

1、本技术提供一种晶体管温度的测量方法、装置、电子设备及存储介质，用以提升晶体管温度测量的准确性。

2、第一方面，本技术提供一种晶体管温度的测量方法，包括：接收温度测量请求，所述温度测量请求包括目标晶体管的目标工况参数以及温度传感器测量的第一温度；根据所述温度测量请求，确定所述目标工况参数对应的目标工况类型，并确定所述目标工况类型对应的损耗插值表，所述目标工况类型包括牵引工况或者制动工况，所述损耗插值表包括多个工况参数以及每个工况参数对应的芯片的第一损耗以及二极管的第二损耗；根据所述目标工况参数以及所述损耗插值表，确定所述目标晶体管对应的第一目标损耗以及第二目标损耗；根据所述第一目标损耗以及所述第二目标损耗确定所述目标晶体管的外壳与所述温度传感器之间的第一目标温升，根据所述第一目标损耗确定所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的第二目标温升；根据所述第一温度、所述第一目标温升、以及所述第二目标温升，确定所述目标晶体管的芯片的温度。

3、在一种可能的实施方式中，所述目标工况参数包括电流；确定所述目标工况参数对应的目标工况类型，包括：若所述电流为正值，则确定所述目标工况类型为牵引工况；若所述电流为负值，则确定所述目标工况类型为制动工况；确定所述目标工况类型对应的损耗插值表，包括：确定牵引工况对应的插值表以及制动工况对应的插值表；若所述目标工况为牵引工况，则确定所述损耗插值表为所述牵引工况对应的插值表；若所述目标工况为制动工况，则确定所述损耗插值表为所述制动工况对应的插值表。

4、在一种可能的实施方式中，所述工况参数还包括速度；根据所述目标工况参数以及所述损耗插值表，确定所述目标晶体管对应的第一目标损耗以及第二目标损耗，包括：根据所述速度以及预设传动比，确定目标输出频率；根据所述目标输出频率以及所述损耗插值表进行插值处理，得到第一损耗范围以及第二损耗范围；根据所述电流以及所述第一损耗范围，确定所述第一目标损耗；根据所述电流以及所述第二损耗范围，确定所述第二目标损耗。

5、在一种可能的实施方式中，所述工况参数还包括电压；根据所述电流以及所述第一损耗范围，确定所述第一目标损耗，包括：根据所述电压确定损耗补偿系数；根据所述电流以及所述第一损耗范围进行插值处理，得到第一中间损耗；将所述第一中间功率与所述损耗补偿系数的乘积，确定为所述第一目标损耗；根据所述电流以及所述第二损耗范围，确定所述第二目标损耗，包括：根据所述电流以及所述第二损耗范围进行插值处理，得到第二中间损耗；将所述第二中间功率与所述损耗补偿系数的乘积，确定为所述第二目标损耗。

6、在一种可能的实施方式中，根据所述第一目标损耗以及所述第二目标损耗确定所述目标晶体管的外壳与所述温度传感器之间的第一目标温升，包括：确定所述目标晶体管与所述温度传感器之间的第一热电阻以及第一时间常数；根据所述第一目标损耗以及所述第二目标损耗，确定总损耗；确定与当前时刻相隔第一周期的第一历史温升；根据所述第一热电阻、所述第一时间常数、以及所述总损耗，对所述第一历史温升进行迭代计算处理，得到所述第一目标温升。

7、在一种可能的实施方式中，根据所述第一目标损耗确定所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的第二目标温升，包括：确定所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的第二热电阻以及第二时间常数；确定与当前时刻相隔第二周期的第二历史温升；根据所述第二热电阻、所述第二时间常数、以及所述第一目标损耗，对所述第二历史温升进行迭代计算处理，得到所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的平均温升；根据所述平均温升，确定所述第二目标温升。

8、在一种可能的实施方式中，根据所述平均温升，确定所述第二目标温升，包括：确定温度波动插值表，所述温度波动插值表包括多个输出频率对应的多个温度波动值；根据目标输出频率以及所述温度波动插值表进行插值处理，得到目标温度波动值；根据所述平均温升以及所述目标温度波动值，确定所述第二目标温升。

9、第二方面，本技术提供一种晶体管温度的测量装置，包括：接收模块，用于接收温度测量请求，所述温度测量请求包括目标晶体管的目标工况参数以及温度传感器测量的第一温度；确定模块，用于根据所述温度测量请求，确定所述目标工况参数对应的目标工况类型，并确定所述目标工况类型对应的损耗插值表，所述目标工况类型包括牵引工况或者制动工况，所述损耗插值表包括多个工况参数以及每个工况参数对应的芯片的第一损耗以及二极管的第二损耗；第一计算模块，用于根据所述目标工况参数以及所述损耗插值表，确定所述目标晶体管对应的第一目标损耗以及第二目标损耗；第二计算模块，用于根据所述第一目标损耗以及所述第二目标损耗确定所述目标晶体管的外壳与所述温度传感器之间的第一目标温升，根据所述第一目标损耗确定所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的第二目标温升；输出模块，用于根据所述第一温度、所述第一目标温升、以及所述第二目标温升，确定所述目标晶体管的芯片的温度。

10、在一种可能的实施方式中，所述目标工况参数包括电流；所述确定模块，具体用于若所述电流为正值，则确定所述目标工况类型为牵引工况；所述确定模块，具体还用于若所述电流为负值，则确定所述目标工况类型为制动工况；所述确定模块，具体还用于确定牵引工况对应的插值表以及制动工况对应的插值表；所述确定模块，具体还用于若所述目标工况为牵引工况，则确定所述损耗插值表为所述牵引工况对应的插值表；所述确定模块，具体还用于若所述目标工况为制动工况，则确定所述损耗插值表为所述制动工况对应的插值表。

11、在一种可能的实施方式中，所述工况参数还包括速度；所述装置还包括：插值模块，用于根据所述速度以及预设传动比，确定目标输出频率；所述插值模块，还用于根据所述目标输出频率以及所述损耗插值表进行插值处理，得到第一损耗范围以及第二损耗范围；所述插值模块，还用于根据所述电流以及所述第一损耗范围，确定所述第一目标损耗；所述插值模块，还用于根据所述电流以及所述第二损耗范围，确定所述第二目标损耗。

12、在一种可能的实施方式中，所述工况参数还包括电压；所述插值模块，具体用于根据所述电压确定损耗补偿系数；所述插值模块，具体还用于根据所述电流以及所述第一损耗范围进行插值处理，得到第一中间损耗；所述插值模块，具体还用于将所述第一中间功率与所述损耗补偿系数的乘积，确定为所述第一目标损耗；所述插值模块，具体还用于根据所述电流以及所述第二损耗范围进行插值处理，得到第二中间损耗；所述插值模块，具体还用于将所述第二中间功率与所述损耗补偿系数的乘积，确定为所述第二目标损耗。

13、在一种可能的实施方式中，所述装置还包括：第一处理模块，用于确定所述目标晶体管与所述温度传感器之间的第一热电阻以及第一时间常数；所述第一处理模块，还用于根据所述第一目标损耗以及所述第二目标损耗，确定总损耗；所述第一处理模块，还用于确定与当前时刻相隔第一周期的第一历史温升；所述第一处理模块，还用于根据所述第一热电阻、所述第一时间常数、以及所述总损耗，对所述第一历史温升进行迭代计算处理，得到所述第一目标温升。

14、在一种可能的实施方式中，所述装置还包括：第二处理模块，用于确定所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的第二热电阻以及第二时间常数；所述第二处理模块，还用于确定与当前时刻相隔第二周期的第二历史温升；所述第二处理模块，还用于根据所述第二热电阻、所述第二时间常数、以及所述第一目标损耗，对所述第二历史温升进行迭代计算处理，得到所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的平均温升；所述第二处理模块，还用于根据所述平均温升，确定所述第二目标温升。

15、在一种可能的实施方式中，所述第二处理模块，具体用于确定温度波动插值表，所述温度波动插值表包括多个输出频率对应的多个温度波动值；所述第二处理模块，具体还用于根据目标输出频率以及所述温度波动插值表进行插值处理，得到目标温度波动值；所述第二处理模块，具体还用于根据所述平均温升以及所述目标温度波动值，确定所述第二目标温升。

16、第三方面，本技术提供一种电子设备，包括：处理器，以及与所述处理器通信连接的存储器；所述存储器存储计算机执行指令；所述处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，以实现第一方面中任一项所述的方法。

17、第四方面，本技术提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行如第一方面中任一项所述的方法。

18、第五方面，本技术提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行如第一方面中任一项所述的方法。

19、本技术提供的晶体管温度的测量方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：接收温度测量请求，所述温度测量请求包括目标晶体管的目标工况参数以及温度传感器测量的第一温度；根据所述温度测量请求，确定所述目标工况参数对应的目标工况类型，并确定所述目标工况类型对应的损耗插值表，所述目标工况类型包括牵引工况或者制动工况，所述损耗插值表包括多个工况参数以及每个工况参数对应的芯片的第一损耗以及二极管的第二损耗；根据所述目标工况参数以及所述损耗插值表，确定所述目标晶体管对应的第一目标损耗以及第二目标损耗；根据所述第一目标损耗以及所述第二目标损耗确定所述目标晶体管的外壳与所述温度传感器之间的第一目标温升，根据所述第一目标损耗确定所述目标晶体管的芯片与所述目标晶体管的外壳之间的第二目标温升；根据所述第一温度、所述第一目标温升、以及所述第二目标温升，确定所述目标晶体管的芯片的温度。以上方案，通过插值表可以确定工况参数对应的温升，通过温升对温度传感器的测量结果进行补偿，可以准确确定晶体管的实际温度，从而提升温度测量的准确性。