基板检查装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及不将形成在基板的半导体器件从该基板切出来就可以进行检查的基板检查装置。
【背景技术】
[0002]作为对形成在作为基板的半导体晶片(以下简称为“晶片”。)的半导体器件、例如功率器件、存储器的电特性进行检查的基板检查装置，已知有探测器(prober)。
[0003]探测器包括:具有多个针状的探针的探针卡；和载置晶片而上下左右自由移动的载置台，使探针卡的各探针与半导体器件所具有的电极垫、焊料凸点接触，从各探针对电极垫、焊料凸点流过检查电流来检查半导体器件的电特性(例如参照专利文献I。)。
[0004]历来，探针与判定半导体器件的电特性、功能的好坏的IC测试器连接，但是IC测试器的电路结构与安装产品化的半导体器件的电路结构、例如主板、功能扩展卡的电路结构不同，因此IC测试器不能够进行进行了安装的状态下的半导体器件的检查，作为结果，存在在将半导体器件安装到功能扩展卡等后的情况下发现在IC测试器中没有被检测出的半导体器件的不良的问题。特别是，近年来，伴随主板、功能扩展卡进行的处理的复杂化、高速化，主板、功能扩展卡的电路结构也复杂化，与IC测试器的电路结构的差异变大，因此上述的问题显著化。
[0005]因此，提出了一种技术，为了保证半导体器件的品质，替代由IC测试器进行的检查，而设置再现对探针卡安装半导体器件的电路结构、例如功能扩展卡的电路结构的检查电路，在使用该探针卡模拟将半导体器件安装到功能扩展卡的状态的状态下，不将半导体器件从晶片切出地测量半导体器件的电特性(例如参照专利文献2。)。此外，将在模拟了这种安装状态的状态下的检查称为晶片系统等级测试。
[0006]但是，为了可靠地进行半导体器件的电特性的测量，在该测量前，需要进行确认探针卡的探针和半导体器件的电极垫等是否电接触的测试(接触确认)。在与IC测试器连接的现有的探测器中，使用IC测试器所具备的DC模块的IFVM(I Force V Measure:加压测流)功能对半导体器件的电极垫施加电压来进行接触确认，进而，在接触确认中确认为异常状态的情况下基于电压值判断异常状态的原因。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本特开平7 — 297242号公报
[0010]专利文献2:日本申请2013-192193号说明书
【发明内容】
[0011]发明想要解决的技术问题
[0012]但是，替代由IC测试器进行的检查而进行晶片系统等级测试的探测器中，由于废除了昂贵的IC测试器，因此不能通过DC模块进行接触确认，当然也不能判断关于探针与电极垫等的接触的异常状态的原因。
[0013]本发明的目的在于提供一种基板检查装置，不使用IC测试器就能够进行探针和半导体器件的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下判断异常状态的原因的基板检查装置。
[0014]用于解决课题的技术方案
[0015]为了达成上述目的，本发明的基板检查装置，其包括具有与形成于基板的半导体器件的各电极接触的探针的探针卡，上述基板检查装置的特征在于，上述探针卡包括:检查电路，其再现安装从上述基板切出来的上述半导体器件的电路结构；和电位测量机构，其测量上述探针和上述检查电路之间的配线的电位。
[0016]发明效果
[0017]根据本发明，测量在探针卡中探针和检查电路之间的配线的电位。探针和检查电路之间的配线的电位根据探针和半导体器件的电极垫等的接触状态而发生变化，而且还根据关于探针和电极垫等的接触的异常状态的原因而发生变化。因而，通过测量探针和检查电路之间的配线的电位，能够不使用IC测试器就能够进行探针和半导体器件的接触确认，在接触确认中确认为异常状态的情况下能够判断异常状态的原因。
【附图说明】
[0018]图1是概略地说明作为本发明的实施方式的基板检查装置的探测器的构成的立体图。
[0019]图2是概略地说明作为本实施方式的基板检查装置的探测器的构成的主视图。
[0020]图3是说明包括探针卡中的卡侧检查电路和晶片中的半导体器件的电路结构的电路图。
[0021]图4是说明包括探针卡中的卡侧检查电路和晶片中的半导体器件的电路结构的变形例的电路图。
[0022]附图标记说明
[0023]W 晶片
[0024]10探测器
[0025]15探针卡
[0026]16 探针
[0027]18卡侧检查电路
[0028]19 配线
[0029]28半导体器件
[0030]33高电阻
[0031]34比较器
[0032]37电极垫
[0033]38继电器矩阵
【具体实施方式】
[0034]以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[0035]图1是概略地说明作为本实施方式的基板检查装置的探测器的构成的立体图，图2是该基板检查装置的探测器的构成的主视图。图2部分作为截面图，表示内置在后述的主体12、装载机13和测试盒14的构成构件。
[0036]在图1和图2中，探测器10包括:内置载置晶片W的载置台11的主体12 ;与该主体12相邻配置的装载机13 ;和以覆盖主体12的方式配置的测试盒14，对形成在晶片W的半导体器件的电特性进行检查。
[0037]主体12呈内部为空洞的箱体形状，在该内部除了配置上述载置台11之外，还与该载置台11相对地配置探针卡15，探针卡15与晶片W相对。在探针卡15中的与晶片W相对的下表面，与晶片W的半导体器件的电极垫、焊料凸点对应地配置有多个探针16。
[0038]晶片W以相对于载置台11的相对位置不偏移的方式固定在该载置台11上，载置台11能够在水平方向和上下方向上移动，调整探针卡15和晶片W的相对位置，来使半导体器件的电极垫等与各探针16接触。测试盒14在覆盖主体12时经由挠性配线17与探针卡15电连接。
[0039]装载机13将收纳于作为搬送容器的FOUP (未图示)的、形成有半导体器件的晶片W取出并载置到主体12的内部的载置台11上，另外，将半导体器件的电特性的检查结束了的晶片W从载置台11取下并收纳到FOUP。
[0040]探针卡15具有对安装从晶片W切出来而产品化的半导体器件的电路结构、例如DRAM的电路结构进行再现的卡侧检查电路18，该卡侧检查电路18与各探针16经由后述的配线19连接。载置台11接近探针卡15，各探针16与晶片W的半导体器件的电极垫等(以下简称为“电极垫”。)接触时，各探针16将来自接触的电极垫的电信号传递到卡侧检查电路18 ο
[0041]测试盒14包括:检查控制单元和记录单元(均未图示);对安装DRAM的电路结构、例如主板的电路结构的一部分进行再现的盒侧检查电路20 ;和搭载由SSD(Solid StateDrive:固态硬盘)等形成的硬盘23的板24。配线17从探针卡15的卡侧检查电路18将电信号传递到盒侧检查电路20。探测器10中，通过更换测试盒14具有的盒侧检查电路20，能够再现多种主板的电路结构的一部分。
[0042]装载机13内置由电源、控制器、简单的测量模块形成的基本单元21。基本单元21通过配线22与盒侧检查电路20连接，控制器对盒侧检查电路20指示半导体器件的电特性的检查开始。
[0043]如上所述，在探测器10中，通过更换盒侧检查电路20来再现多种主板的电路结构的一部分，但是基本单元21再现在各种的主板中共通的电路结构。即，盒侧检查电路20和基本单元21协同作用再现主板整体的电路结构。
[0044]探测器10中，在进行半导体器件的电特性的检查时，例如盒侧检查电路20的检查控制单元向卡侧检查电路18发送数据，基于来自卡侧检查电路18的电信号判定被发送来的数据是否被经由各探针16与半导体器件连接的卡侧检查电路18正确处理。
[0045]另外，探测器10中，卡侧检查电路18、盒侧检查电路20和基本单元21之中、安装半导体器件的卡侧检查电路18配置成在物理上最接近半导体器件。由此，在电特性的检查时，能够极力抑制半导体器件和卡侧检查电路18之间的配线的长度的影响，例如配线容量的变化的影响，能够在与具有DRAM、主板的实机设备的计算机中的配线环境非常接近的配线环境下进行半导体器件的电特性的检查。
[0046]图3是说明包括探针卡中的卡侧检查电路和晶片中的半导体器件的电路结构的电路图。
[0047]图3中，卡侧检查电路18经由配线19与探针16连接，并且经由保护二极管25与检查电路电源26连接，在检查电路电源26和保护二极管25之间设置开关27。晶片W的半导体器件