[0321]而且,半导体元件200包括凹陷部260,凹陷部260与检测部101C相对。由此,第一空间SCI的容量能够增大,且由于长期使用而在第一空间SCI中产生的少量气体等的影响能够减小。因此,第一空间SCI内的参考压力能够被稳定地保持且传感器元件100C的检测精度能够被保持。
[0322]而且,如在第一实施例中的那样,半导体元件200可以包括振动控制构件261,振动控制构件261被设置于第一表面201上。由此,变得可以抑制由于隔膜113C的位移而引起的细微振动,且可以稳定地保持传感器元件100C的检测精度。
[0323]虽然在上面已经说明了本技术的实施例,但是本技术不限于此,而是能够基于本技术的技术思路而做出各种各样的变型。
[0324]图31是根据第二实施例的变形例的传感器装置1D的示意性截面图。图32是传感器装置1D的第一表面201D的示意性平面图。需要注意的是,在图31和图32中,将利用相同的附图标记来表示与第二实施例的构造相同的构造,且将说明该构造。
[0325]传感器装置1D中的半导体元件200D包括凸部270D,凸部270D被设置于第一表面201D与传感器元件100之间。凸部270D用作限制第一表面201D与传感器元件100之间的间隙的大小的限制部。具体地,凸部270D具有环形凸面结构,且被形成为具有从第一表面201D的大约30 μπι的高度。由此,不考虑焊料突起的压歪量,第一表面201D与传感器元件100之间的间隙能够被可靠地确保。由此,变得可以在不干扰振子部103的动作的情况下稳定地驱动传感器元件100。
[0326]凸部270D的材料没有特别地限制。例如,凸部270D能够由膜抗蚀剂或液体抗蚀剂形成。而且,在膜抗蚀剂的情况下,能够通过例如在接合之后蚀刻来形成凸部270D,或在液体抗蚀剂的情况下,能够通过在旋转涂敷和干烤之后蚀刻来形成凸部270D。
[0327]此外,如下所述,凸部270D可以用作树脂层2013D的流入防止部。
[0328]如图31所示,第一表面201D包括第一区域2011D和第二区域2012D,第一区域2011D与检测部101相对,第二区域2012D中形成有第一端子241,第二区域2012D邻接于第一区域2011D。树脂层2013D用作用来强化第一端子241与端子部114之间的接合且保护这些端子而被形成的底部填充,且树脂层2013D被形成于第二区域2012与传感器元件100之间。在这种情况下,凸部270D被设置于第一表面201上,且能够用作防止树脂层2013D流入第一区域2011D中的流入防止部。
[0329]需要注意的是,用作流入防止部的构造不限于所述凸部,而是可以是例如在第一表面201D中被形成为环状的凹槽。由此,通过使形成树脂层2013D的树脂材料流入该凹槽中,能够防止进入第一区域2011D中的流入。
[0330]此外,流入防止部不限于环状结构,而是例如可以被形成为沿着第一端子241形成的四壁形状等。
[0331]在作为流入防止部的凹槽被形成的情况下,被形成于第一端子241上的焊料突起可以被构造成用作限制部。如在上面的实施例中所述,焊料突起能够是例如焊料球或膏状焊料。例如,在焊料球的情况下,通过制造其中焊料层围绕着Cu等的核被形成的构造,可以利用这个核来限制第一表面与传感器元件之间的间隙的大小。而且,在膏状焊料的情况下,例如,通过调节第一端子241的大小或调节在丝网印刷的期间内使用的丝网掩模的厚度,同样也可以调节膏状焊料的体积且可以限制第一表面与传感器元件之间的间隙。
[0332]需要注意的是,限制部和流入防止部不限于第二实施例,而是它还可以应用于其他的第一实施例、第三实施例和第四实施例。
[0333]在上述实施例中的任意实施例中,凹陷部被形成于半导体元件中。然而,可以使用其中凹陷部没有被形成于半导体元件中的构造。而且,即使在这种情况下,在第一实施例、第二实施例和第四实施例中,半导体元件可以包括振动控制构件,该振动控制构件被设置于第一表面上且能够抑制基于活动部(振子部)的动作的半导体元件和传感器元件的振动。或者,在第三实施例中,半导体元件可以包括反射层,该反射层被形成于第一表面上且能够反射具有能够被检测部检测的预定波长的电磁波。
[0334]而且,在上述实施例中,半导体元件包括凹陷部。然而,可以使用半导体元件不包括凹陷部的构造。而且,在第一实施例、第二实施例和第四实施例中,半导体元件包括振动控制构件。然而,可以使用其中半导体元件不包括振动控制构件的构造。在第三实施例中,设置有反射层。然而,可以使用其中没有设置反射层的构造。
[0335]此外,在第一实施例、第二实施例和第四实施例中,当振动控制构件被设置时,它可以被设置于凹陷部中。然而,它并不限于在凹陷部中。振动控制构件能够被适当地设置于第一表面上。在第三实施例中,当反射层被形成时,它可以被形成于凹陷部中。它并不限于在凹陷部中。反射层能够被适当地形成于第一表面中。
[0336]此外,在上述实施例中,考虑到布线设计,如果可以的话,能够制造其中半导体元件不包括第一再布线层和第二再布线层的构造。
[0337]而且,在第一实施例和第二实施例中,传感器装置可以包括反射膜,该反射膜被设置于导体元件的第一表面上且与检测部相对。由此,在利用激光加工的传感器性能的调节过程中,变得可以进一步减小激光辐照对半导体元件的影响。而且,作为所述反射膜的材料,具有高的激光反射率的材料能够被适当地选择,所述激光具有被用于上述工艺中的波长。而且,在凹陷部被形成于半导体元件中的情况下,所述反射膜可以被形成于凹陷部中。
[0338]需要注意的是,在图32中,接地线245A以固体膜形状的方式被形成于凹陷部260与凸部270D之间。通过以这种方式形成接地线245A,它能够用作激光反射膜。
[0339]在第三实施例和第四实施例中,传感器装置同样也可以包括覆盖部。由此,能够提供传感器装置的可操作性。而且,覆盖部还能够设置有电磁屏蔽功能,且能够提高传感器装置的可靠性。
[0340]而且,在上述实施例中,半导体元件的厚度小于传感器元件中的支撑部的厚度。然而,它并不限于这种构造。半导体元件的厚度可以大体上等于或大于传感器元件中的支撑部的厚度。
[0341]此外,在上述实施例中,传感器装置是振动型陀螺仪传感器、红外摄像元件或压力传感器。然而,它并不限于此。例如,传感器装置可以被构造成加速度传感器、地磁传感器或能够检测可见光线的摄像元件。或者,传感器装置可以被构造成使这些传感器中的两种以上的传感器组合在一起的复合传感器。
[0342]应当注意的是,本技术也可以采取下列构造。
[0343](1) 一种传感器装置,其包括:
[0344]传感器元件;和
[0345]半导体元件,所述半导体元件包括:
[0346]第一表面,所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子,所述传感器元件被安装在所述第一端子上,
[0347]第二表面,所述第二表面是能动性表面且包括用于外部连接的第二端子;以及
[0348]通路孔,所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。
[0349](2)根据⑴所述的传感器装置,其中
[0350]所述传感器元件包括:
[0351]检测部,所述检测部能够检测预定物理量;以及
[0352]支撑部,所述支撑部支撑着所述检测部且被连接至所述第一端子。
[0353](3)根据⑵所述的传感器装置,其中
[0354]所述半导体元件还包括凹陷部,所述凹陷部被形成于所述第一表面中且与所述检测部相对。
[0355](4)根据⑵所述的传感器装置,其中
[0356]所述检测部包括活动部,并且
[0357]所述传感器元件被构造成能够基于所述活动部的动作状态而输出依赖于所述预定物理量的信号。
[0358](5)根据⑷所述的传感器装置,其中
[0359]所述传感器元件被构造成基于所述活动部的振动状态的变化而输出与角速度相关的信号。
[0360](6)根据(4)所述的传感器装置,其中
[0361]所述活动部包括隔膜,并且
[0362]所述传感器元件被构造成能够基于所述隔膜的变形而输出与压力相关的信号。
[0363](7)根据(4)到(6)中任一项所述的传感器装置,其中
[0364]所述半导体元件还包括凹陷部,所述凹陷部被形成于所述第一表面中且与所述活动部相对。
[0365](8)根据(4)到(7)中任一项所述的传感器装置,其中
[0366]所述半导体元件还包括振动控制构件,所述振动控制构件被形成于所述第一表面中,且所述振动控制构件能够抑制基于所述活动部的动作的所述半导体元件和所述传感器元件的振动。
[0367](9)根据⑵所述的传感器装置,其中
[0368]所述检测部输出基于对具有预定波长的电磁波的吸收的信号。
[0369](10)根据(9)所述的传感器装置,其中
[0370]所述半导体元件还包括凹陷部,所述凹陷部被形成于所述第一表面中且与所述检测部相对。
[0371](11)根据(9)或(10)所述的传感器装置,其中
[0372]所述半导体元件还包括反射层,所述反射层被形成于所述第一表面中且能够反射所述具有预定波长的电磁波。
[0373](12)根据⑵到(11)中任一项所述的传感器装置,其中
[0374]所述支撑部具有第一厚度,并且
[0375]所述半导体元件具有小于所述第一厚度的第二厚度。
[0376](13)根据⑴到(12)中任一项所述的传感器装置,其中
[0377]所述半导体元件还包括:
[0378]第一再布线层,所述第一再布线层被设置于所述第一表面中且将所述第一端子和所述通路孔相互电连接;以及
[0379]第二再布线层,所述第二再布线层被设置于所述第二表面中且将所述第二端子和所述通路孔相互电连接。
[0380](14)根据(13)所述的传感器装置,其还包括:
[0381]覆盖部,所述覆盖部被设置于所述第一表面上且覆盖所述传感器元件,
[0382]并且其中所述第一再布线层包括第三端子,所述第三端子被连接至所述覆盖部。
[0383](15)根据(14)所述的传感器装置,其中
[0384]所述传感器元件包括活动部,且被构造成能够基于所述活动部的动作状态而输出依赖于预定物理量的信号,并且
[0385]所述覆盖部还包括:
[0386]覆盖膜,所述覆盖膜覆盖所述传感器元件;以及
[0387]密封部,所述密封部在所述覆盖膜与所述活动部之间进行密封。
[0388](16)根据⑴到(15)中任一项所述的传感器装置,其中
[0389]所述半导体元件还包括限制部,所述限制部被设置于所述第一表面与所述传感器元件之间,且所述限制部限制所述第一表面与所述传感器元件之间的间隙的大小。
[0390](17)根据⑵到(15)中任一项所述的传感器装置,其中
[0391]所述第一表面包括:
[0392]第一区域,所述第一区域与所述检测部相对;以及
[0393]第二区域,所述第一端子被形成于所述第二区域中,所述第二区域邻接于所述第一区域,
[0394]并且所述半导体元件还包括:
[0395]树脂层,所述树脂层被形成于所述第二区域与所述传感器元件之间;以及
[0396]流入防止部,所述流入防止部被设置于所述第一表面上且防止所述树脂层流入所述第一区域中。
[0397](18) 一种电子设备,其包括传感器装置,所述传感器装置包括:传感器元件,和
[0398]半导体元件,所述半导体元件包括:
[0399]第一表面,所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子,所述传感器元件被安装在所述第一端子上,
[0400]第二表面,所述第二表面是能动性表面且包括用于外部连接的第二端子;以及
[0401]通路孔,所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。
[0402]附图标记的说明
[0403]1、1A、1B、1C、1D:传感器装置
[0404]100、100B、100C:传感器元件
[0405]10U101B:检测部
[0406]102:框架体(支撑部)
[0407]102B:支撑部
[0408]103:振子部(活动部)
[0409]103B:活动部
[0410]113C:隔膜
[0411]200、200B、200C、200D:半导体元件
[0412]201、201B、201C:第一表面
[0413]202、202B、202C:第二表面
[0414]230、230B、230C:通路孔
[0415]241、241B、241C:第一端子
[0416]251、251B、251C:第二端子
[0417]240:第一再布线层
[0418]250:第二再布线层
[0419]260、260B:凹陷部
[0420]261:振动控制构件
[0421]261B:反射层
[0422]2011、2011D:第一区域
[0423]2012、2012D:第二区域
[0424]2013D:树脂层
[0425]300、300A:覆盖部
[0426]310:覆盖膜
[0427]320:密封部
[0428]270D:凸部(限制部、流入防止部)
【主权项】
1.一种传感器装置,其包括: 传感器元件;和 半导体元件,所述半导体元件包括: 第一表面,所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子,所述传感器元件被安装在所述第一端子上; 第二表面,所述第二表面是能动性表面且包括第二端子,所述第二端子用于外部连接;以及 通路孔,所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。2.根据权利要求1所述的传感器装置,其中 所述传感器元件包括: 检测部,所述检测部能够检测预定物理量;以及 支撑部,所述支撑部支撑着所述检测部且被连接至所述第一端子。3.根据权利要求2所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括凹陷部,所述凹陷部被形成于所述第一表面中且与所述检测部相对。4.根据权利要求2所述的传感器装置,其中 所述检测部包括活动部,并且 所述传感器元件被构造成能够基于所述活动部的动作状态而输出依赖于所述预定物理量的信号。5.根据权利要求4所述的传感器装置,其中 所述传感器元件被构造成基于所述活动部的振动状态的变化而输出与角速度相关的信号。6.根据权利要求4所述的传感器装置,其中 所述活动部包括隔膜,并且 所述传感器元件被构造成能够基于所述隔膜的变形而输出与压力相关的信号。7.根据权利要求4所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括凹陷部,所述凹陷部被形成于所述第一表面中且与所述活动部相对。8.根据权利要求4所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括振动控制构件,所述振动控制构件被形成于所述第一表面中,且所述振动控制构件能够抑制基于所述活动部的动作的所述半导体元件和所述传感器元件的振动。9.根据权利要求2所述的传感器装置,其中 所述检测部输出基于对具有预定波长的电磁波的吸收的信号。10.根据权利要求9所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括凹陷部,所述凹陷部被形成于所述第一表面中且与所述检测部相对。11.根据权利要求9所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括反射层,所述反射层被形成于所述第一表面中且能够反射所述具有预定波长的电磁波。12.根据权利要求2所述的传感器装置,其中 所述支撑部具有第一厚度,并且 所述半导体元件具有小于所述第一厚度的第二厚度。13.根据权利要求1所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括: 第一再布线层,所述第一再布线层被设置于所述第一表面中且将所述第一端子和所述通路孔相互电连接;以及 第二再布线层,所述第二再布线层被设置于所述第二表面中且将所述第二端子和所述通路孔相互电连接。14.根据权利要求13所述的传感器装置,其还包括: 覆盖部,所述覆盖部被设置于所述第一表面上且覆盖所述传感器元件,并且 其中所述第一再布线层包括第三端子,所述第三端子被连接至所述覆盖部。15.根据权利要求14所述的传感器装置,其中 所述传感器元件包括活动部,且被构造成能够基于所述活动部的动作状态而输出依赖于预定物理量的信号,并且所述覆盖部还包括: 覆盖膜,所述覆盖膜覆盖所述传感器元件;以及 密封部,所述密封部在所述覆盖膜与所述活动部之间进行密封。16.根据权利要求1所述的传感器装置,其中 所述半导体元件还包括限制部,所述限制部被设置于所述第一表面与所述传感器元件之间,且所述限制部限制所述第一表面与所述传感器元件之间的间隙的大小。17.根据权利要求2所述的传感器装置,其中 所述第一表面包括: 第一区域,所述第一区域与所述检测部相对;以及 第二区域,所述第一端子被形成于所述第二区域中,所述第二区域邻接于所述第一区域,并且 所述半导体元件还包括: 树脂层,所述树脂层被形成于所述第二区域与所述传感器元件之间;以及流入防止部,所述流入防止部被设置于所述第一表面上且防止所述树脂层流入所述第一区域中。18.一种电子设备,其包括传感器装置,所述传感器装置包括: 传感器元件,和 半导体元件,所述半导体元件包括: 第一表面,所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子,所述传感器元件被安装在所述第一端子上, 第二表面,所述第二表面是能动性表面且包括第二端子,所述第二端子用于外部连接;以及 通路孔,所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。
【专利摘要】本发明的目的是:提供能够实现更小尺寸和更低成本的传感器装置和电子设备。本发明的技术方案是:根据本发明实施例的传感器装置设置有传感器元件和半导体元件。所述半导体元件包括第一表面、第二表面和通路孔。所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子,所述传感器元件被安装在所述第一端子上。所述第二表面是能动性表面且包括第二端子,所述第二端子用于外部连接。所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。
【IPC分类】G01C19/5769, G01C19/5783, G01L9/00, H01L41/113
【公开号】CN105247331
【申请号】CN201480023472
【发明人】椛泽秀年, 尾崎裕司, 高桥和夫, 三谷谕司
【申请人】索尼公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2014年3月20日
【公告号】EP2993442A1, US20160155927, WO2014178163A1