气隙缺陷放电模型及gis缺陷模拟装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电力技术领域，特别是涉及一种气隙缺陷放电模型及GIS缺陷模拟装置。
【背景技术】
[0002]气体绝缘组合电器(GIS)采用六氟化硫气体作为绝缘材料，具有占地面积小、安全可靠程度高的特点，目前在电网中得到了大量的应用。GIS通常采用同轴圆柱结构，电场结构为稍不均匀场，一般而言其可靠程度很高，但运行中发现，其固定用盆式绝缘子由于浇铸成型、运行中热胀冷缩等原因产生内部气隙，进而引发盆式绝缘子内部的局部放电，长期的放电会导致绝缘劣化、严重时可导致事故的发生，危害电网的安全运行。因此为了 GIS盆式绝缘子内部气隙放电的研究需要，需进行GIS缺陷模拟，由于实际运行中的盆式绝缘子采用真空浇铸技术，其内部的气隙尺度、位置等均无法控制，因此目前无法在实体盆式绝缘子上模拟其内部气隙局部放电。
【实用新型内容】
[0003]基于此，有必要提供一种能够模拟盆式绝缘子内部气隙缺陷局部放电的气隙缺陷放电模型及GIS缺陷模拟装置。
[0004]一种气隙缺陷放电模型，包括第一电极、第二电极和气隙，所述第一电极、所述第二电极分别设置在所述气隙缺陷放电模型的两端，所述气隙缺陷放电模型的所述第一电极用于与电压源连接、第二电极用于接地；所述气隙设置在所述气隙缺陷放电模型的内部，且所述气隙的尺寸可调节。
[0005]上述气隙缺陷放电模型，气隙的尺寸可调节，可预先调节气隙在气隙缺陷放电模型的内部的尺度和控制气隙的位置，可反映实际盆式绝缘子内部气隙缺陷放电的真实情况，并且使气隙缺陷放电模型适用于不同尺寸的气隙的模拟。
[0006]在其中一个实施例中，所述气隙缺陷放电模型包括第一层状结构、第二层状结构和第三层状结构，所述第二层状结构设于所述第一层状结构、所述第三层状结构之间，所述第一电极、所述第二电极和气隙分别设置在所述第一层状结构、所述第三层状结构和所述第二层状结构中。
[0007]在其中一个实施例中，所述第二层状结构包括构成所述气隙的多个气隙壁，所述多个气隙壁可相对移动。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一电极、所述第二电极分别包裹在所述第一层状结构、所述第三层状结构中。
[0009]在其中一个实施例中，所述第一层状结构、所述第二层状结构和所述第三层状结构均为环氧体。
[0010]一种GIS缺陷模拟装置，包括工频无局放变压器、局部放电检测装置及上述的气隙缺陷放电模型，所述气隙缺陷放电模型的所述第一电极与所述工频无局放变压器连接、第二电极接地；所述气隙设置在所述气隙缺陷放电模型的内部；所述局部放电检测装置与所述气隙缺陷放电模型电信号连接从而对所述气隙缺陷放电模型的局部放电进行检测。
[0011]在其中一个实施例中，所述局部放电检测装置为脉冲电流法局部放电检测装置。
[0012]在其中一个实施例中，所述局部放电检测装置包括测量阻抗、耦合电容和局放检测仪，所述气隙缺陷放电模型的所述第二电极与所述测量阻抗串联后接地，所述气隙缺陷放电模型与所述测量阻抗串联连接后再并联连接所述耦合电容，所述气隙缺陷放电模型与所述测量阻抗的串联电路与所述局放检测仪连接从而使所述局放检测仪检测通过所述串联电路的局部放电电流。
[0013]在其中一个实施例中，所述局部放电检测装置为特高频法局部放电检测装置。
[0014]在其中一个实施例中，所述局部放电检测装置包括特高频传感器和示波器，所述特高频传感器和所述示波器连接，所述特高频传感器传感所述气隙缺陷放电模型所产生的特高频电信号，所述示波器将所述特高频电信号输出。
【附图说明】
[0015]图1为一实施方式的气隙缺陷放电模型的结构不意图；
[0016]图2为一实施方式的GIS缺陷模拟装置的结构示意图；
[0017]图3为另一实施方式的GIS缺陷模拟装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
[0019]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0020]参照图1，一实施方式的气隙缺陷放电模型20包括第一电极211、第二电极231和气隙221，第一电极211、第二电极231分别设置在气隙缺陷放电模型20的两端，气隙缺陷放电模型20的第一电极211用于与电压源连接、第二电极231用于接地；气隙221设置在气隙缺陷放电模型20的内部，且气隙221的尺寸可调节，具体可通过调节气隙221的高度和/或长度进行尺寸调节。
[0021]上述气隙缺陷放电模型20，气隙221的尺寸可调节，可预先调节气隙221在气隙缺陷放电模型20的内部的尺度和控制气隙221的位置，可反映实际盆式绝缘子内部气隙缺陷放电的真实情况，并且使气隙缺陷放电模型20适用于不同尺寸的气隙221的模拟。
[0022]具体的，在本实施方式中，气隙缺陷放电模型20为盆式绝缘子内部气隙缺陷放电模型。
[0023]在其中一个实施例中，气隙缺陷放电模型20包括第一层状结构21、第二层状结构22和第三层状结构23，第二层状结构22设于第一层状结构21和第三层状结构23之间，第一电极211、第二电极231和气隙221分别设置在第一层状结构21、第三层状结构23和第二层状结构22中。该层状结构有利于加工制作。
[0024]在其中一个实施例中，第二层状结构22包括构成气隙221的多个气隙壁，多个气隙壁可相对移动以调节气隙221的高度和/或长度，从而使气隙221的尺寸可调节。
[0025]具体的，在本实施例中，第一电极211、第二电极231分别包裹在第一层状结构21、第三层状结构23中。
[0026]在其中一个实施例中，第一层状结构21、第二层状结构22和第三层状结构23均为环氧体。其中，环氧体是指环氧树脂材料的物体。
[0027]在其中一个实施例中，第一电极211和第二电极231均为圆板电极。更具体的，在本实施例中，第一电极211和第二电极231均为采用黄铜材料的圆板电极。
[0028]参照图1和图2，一实施方式的GIS缺陷模拟装置100，包括工频无局放变压器10、局部放电检测装置30及上述的气隙缺陷放电模型20，气隙缺陷放电模型20的第一电极211与工频无局放变压器10连接、第二电极231接地；局部放电检测装置30与气隙缺陷放电模型20电信号