技术特征：
技术总结
本公开的某些方面一般性地涉及低电压、精确的电流镜(200)，其包括第一对晶体管(M4，M5)、与第一对晶体管(M4，M5)共源共栅的第二对晶体管(M2，M3)、耦合到第二对晶体管(M2，M3)的切换网络(201)、以及耦合到切换网络(201)的第三对晶体管(MO，M1)。第一对晶体管与第二对晶体管之间的输入节点(208)可以被配置为接收用于电流镜的输入电流，并且在第一对晶体管处的输出节点(210)可以被配置为汇集与输入电流成比例的用于电流镜的输出电流。这种电流镜架构供给了混合的低压/高压解决方案，容忍低输入电压，提供高输出阻抗，并且供给低面积和功率消耗。
技术研发人员：M·罗汉姆;戴亮
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2015.10.23
技术公布日：2017.08.29