一种具有温度补偿的MOS管驱动电路的制作方法

文档序号:13479499阅读:1464来源:国知局
一种具有温度补偿的MOS管驱动电路的制作方法

本实用新型涉及扬声器技术领域,尤其涉及一种具有温度补偿的MOS管驱动电路。



背景技术:

目前,在车载扬声器中通常采用MOS管器件搭建音频芯片的驱动电路等,由于MOS管的导通压降比三极管的压降小,节省了能耗并且性能可靠。目前,MOS管的驱动电路有很多种,常见的是利用专用MOS管驱动芯片加上一些外围的反馈电路,形成闭环回路进行MOS管的驱动。现有的驱动电路根据MOS管的应用环境,将温度系数参数直接设计到电路板中,没有利用MOS管的动态电阻特性,对MOS管没有充分的应用。并且,现有的MOS管驱动电路结构复杂,成本高,在产品的后期调试中,很难做到应用到各个场合,降低了整体系统的稳定性,工作效率大大降低,容易发热,能量有很大的损失。因此,需要一种新型的MOS管驱动电路。



技术实现要素:

有鉴于此,本实用新型要解决的一个技术问题是提供一种具有温度补偿的MOS管驱动电路。

根据本实用新型的一个方面,提供一种具有温度补偿的MOS管驱动电路,包括:滤波电路单元、推挽电路单元、第二电阻、热敏电阻、二级管、第一插接件、第二插接件、第三插接件、所述第二插接件的输出端与所述滤波电路单元的输入端连接,所述滤波电路单元的输出端与所述推挽电路单元的输入端连接;所述第二电阻、所述热敏电阻和所述二级管并联,形成并联电路,所述并联电路的第一端与所述推挽电路的输 出端连接,所述并联电路的第二端与所述MOS管的栅极连接,所述MOS管的漏极接地,所述MOS管的源极与第一插接件的输入端连接,所述第三插接件的第一输入端与所述MOS管的漏极连接,所述第三插接件的第二输入端与所述MOS管的源极连接。

可选地,所述滤波电路单元包括:第一非门和第二非门,所述第一非门的输出端与所述第二非门的输入端连接,所述第一非门的输入端与所述第二插接件的输出端连接,所述第二非门的输出端与所述推挽电路单元的输入端连接。

可选地,所述推挽电路包括:第一三极管和第二三极管;所述第一三极管的发射极接入第一电压,所述第二三极管的发射极接地,所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极都与所述第二非门的输出端连接;所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极相连接并且都与所述并联电路的第一端连接。

可选地,所述第二三极管的发射极通过第四电阻与所述并联电路的第二端连接。

可选地,所述第三插接件的第二输入端通过第五电阻与所述MOS管的源极连接。

可选地,所述第二非门的输出端通过第一电阻分别与所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接。

可选地,所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。

可选地,所述MOS管的型号为IRF3205。

本实用新型的具有温度补偿的MOS管驱动电路,可以快速打开与MOS管,提高MOS管的效率,减少MOS管的温度产生,能够有效对抗大电流大信号的干扰,提高整体系统的稳定性,降低硬件逻辑电路的复杂度,减少成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显 而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的具有温度补偿的MOS管驱动电路的一个实施例的示意图;

图2为本实用新型的具有温度补偿的MOS管驱动电路的另一个实施例的示意图。

具体实施方式

下面参照附图对本实用新型进行更全面的描述,其中说明本实用新型的示例性实施例。下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。下面结合图和实施例对本实用新型的技术方案进行多方面的描述。

下文中的“第一”、“第二”等仅用于描述上相区别,并没有其它特殊的含义。

如图1所示,本实用新型提供一种具有温度补偿的MOS管驱动电路,包括:滤波电路单元01、推挽电路单元02、第二电阻R2、热敏电阻R3、二级管D1、第一插接件P1、第二插接件P2和第三插接件P3。第二插接件P2的输出端与滤波电路单元01的输入端连接,滤波电路单元01的输出端与推挽电路单元02的输入端连接。

第二电阻R2、热敏电阻R3和二级管D1并联,形成并联电路,二级管D1为反向放电二极管。并联电路的第一端与推挽电路02的输出端连接,并联电路的第二端与MOS管Q1的栅极连接。MOS管Q1的漏极接地,MOS管Q1的源极与第一插接件P1的输入端连接。第三插接件P3的第一输入端与MOS管Q1的漏极连接,第三插接件P3的第二输入端与MOS管Q1的源极连接。

上述实施例中的具有温度补偿的MOS管驱动电路,解决了MOS的发热问题,因为任何使用到MOS管的场合中,都避免不了MOS的发热问题和MOS整体使用效率,使用本实用新型的MOS管驱动电路,可以使MOS管的开关速度得到很大的提高,并且使MOS管工作在完全打开状态,MOS管内部的动态电阻阻值很低,减少热量的产生。

在一个实施例中,如图2所示,滤波电路单元包括:第一非门U1A和第二非门U1B。第一非门U1A的输出端与第二非门U1B的输入端连接,第一非门U1A的输入端与第二插接件P2的输出端连接,第二非门U1B的输出端与推挽电路单元的输入端连接。

推挽电路包括:第一三极管Q3和第二三极管Q2。第一三极管Q3的发射极接入第一电压VCC,第二三极管Q2的发射极接地,第一三极管Q3的基极和第二三极管Q2的基极都与第二非门U1B的输出端连接。第一三极管Q3的集电极和第二三极管Q2的集电极相连接并且都与并联电路的第一端连接。

第二三极管Q2的发射极通过第四电阻R4与并联电路的第二端连接。第三插接件P3的第二输入端通过第五电阻R5与MOS管Q1的源极连接。第二非门U1B的输出端通过第一电阻R1分别与第一三极管Q3的基极和第二三极管Q2的基极连接。热敏电阻R3为负温度系数热敏电阻。

第三插接件P2作为MOS管驱动电路的输入单元,第三插接件P2的输出端引脚2为驱动引脚。第三插接件P2的输出端引脚2输入的驱动电压需要参考MOS管Q1的参数进行。MOS管Q1可以采用IRF类型,型号可以为IRF3205等。MOS管Q1的驱动电压在10V左右,整个电压范围是12V至24V的宽电压工作范围内。

经过两个非门U1A、U1B有效的进行滤波,输出的是标准的方波,两个非门U1A、U1B具有滤波作用。第一三极管Q3和第二三极管Q2搭成了推挽结构,可以放大、增加驱动MOS管Q1的电压。第三插接件P3可以输出经过MOS管Q1输出的电压。由第三插接件P3输出的、经过MOS管Q1输出的电压可以应用在车载扬声器中,用于给音频芯片提供 电压,或者对扬声器的其它部件提供电压等。

第二电阻R2是固定电阻,起到限流作用。热敏电阻R3是一个具有负温度系数的温敏电阻,其作用是起到自动调节驱动阻止的作用。当MOS管Q1工作时,产生了热量,使热敏电阻R3的阻值减小,MOS管驱动电路整体的驱动能力增加,MOS管Q1内部的动态电阻阻值减小,电流分压减小,热量减少,经过如此循环,最终达到了MOS管Q1电阻阻值的动态平衡,MOS管Q1打开的程度能够使MOS管Q1发挥出最佳性能。

当MOS管Q1关闭时,MOS管Q1有寄生电容,二极管D1可以快速对MOS管Q1进行放电,让MOS管Q1快速管段,减少热量损失,以便下一次MOS管Q1能够可靠打开。

第五电阻R5与第三插接件P3的连接,第三插接件P3用来向外输出通过MOS管Q1向外输出的电流,充分的利用了MOS管Q1内部的通态电阻的性能,将电流变成了电压值,测量该处的电压值,可以知道电流。通过这种测量电流的方式,可以增加整体的EMC性能,对外界的抗扰和骚扰达到最佳效果。

上述实施例提供的具有温度补偿的MOS管驱动电路,可以快速打开与MOS管,提高MOS管的效率,减少MOS管的温度产生,能够有效对抗大电流大信号的干扰,提高整体系统的稳定性,加强整体系统的反应过程,提高系统的高密度热点;降低硬件逻辑电路的复杂度,减少成本。

上述本实用新型所公开的任一技术方案除另有声明外,如果其公开了数值范围,那么公开的数值范围均为优选的数值范围,任何本领域的技术人员应该理解:优选的数值范围仅仅是诸多可实施的数值中技术效果比较明显或具有代表性的数值。由于数值较多,无法穷举,所以本实用新型才公开部分数值以举例说明本实用新型的技术方案,并且,上述列举的数值不应构成对本实用新型创造保护范围的限制。

同时,上述本实用新型如果公开或涉及了互相固定连接的零部件或结构件,那么,除另有声明外,固定连接可以理解为:能够拆卸地固定连接(例如使用螺栓或螺钉连接),也可以理解为:不可拆卸的固定连接(例如铆接、焊接),当然,互相固定连接也可以为一体式 结构(例如使用铸造工艺一体成形制造出来)所取代(明显无法采用一体成形工艺除外)。

另外,上述本实用新型公开的任一技术方案中所应用的用于表示位置关系或形状的术语除另有声明外其含义包括与其近似、类似或接近的状态或形状。本实用新型提供的任一部件既可以是由多个单独的组成部分组装而成,也可以为一体成形工艺制造出来的单独部件。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本实用新型技术方案的精神,其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。

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