1.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：
输出端子，应与负载连接；
高侧晶体管，是源极与电源线连接、漏极与所述输出端子连接的pmos晶体管；
第一过流保护电路，将与流经所述高侧晶体管的电流相应的第一电流检测信号和与所述电源线的电源电压具有正相关性的第一阈值相比较，生成表示比较结果的第一过电流保护信号；以及
驱动电路，根据所述第一过电流保护信号，使所述高侧晶体管变为截止。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值相对于所述电源电压呈线性变化。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值相对于所述电源电压的倾斜度与保证工作区域的上限的倾斜度相等、或大于保证工作区域的上限的倾斜度。
4.根据权利要求2或3所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值相对于所述电源电压的倾斜度与所述输出端子对地短路时的负载线的倾斜度相等、或小于所述输出端子对地短路时的负载线的倾斜度。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一阈值具有负的温度系数。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第一过电流保护电路包括：
复制晶体管，栅极被与所述高侧晶体管的栅极共通地连接；以及
比较电路，将基于流经所述复制晶体管的电流的所述第一电流检测信号与所述第一阈值相比较。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述比较电路包括：
第一电阻，
第二电阻，设置在所述复制晶体管和所述电源线之间，
电流镜电路，将所述第一电阻及所述第二电阻作为源极/发射极负载，
第一电流源，与所述电流镜电路的输入相连接，以及
第二电流源，与所述电流镜电路的输出相连接；
所述第一过电流保护信号对应于所述电流镜电路和所述第二电流源的连接节点的状态，所述第一电流源以及所述第二电流源生成的基准电流具有电源电压依赖性。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，还具备：
低侧晶体管，是漏极与所述输出端子连接、源极与接地线连接的nmos晶体管，以及
第二过电流保护电路，将与流经所述低侧晶体管的电流相应的第二电流检测信号和与所述电源电压具有正相关性的第二阈值相比较，生成表示比较结果的第二过电流保护信号；
所述驱动电路根据所述第二过电流保护信号，将所述低侧晶体管的驱动锁存停止。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第二阈值相对于所述电源电压呈线性变化。
10.根据权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述第二阈值与所述第一阈值联动变化。
11.根据权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述高侧晶体管以及所述低侧晶体管是运算放大器的推挽形式的输出级。
12.根据权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，
所述运算放大器放大音频信号，
所述输出端子连接电声变换元件。
13.一种音频输出装置，其特征在于，具备：
电声变换元件；以及
包含驱动所述电声变换元件的音频放大器的权利要求12所述的半导体集成电路。
14.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求13所述的音频输出装置。
15.一种保护方法，是音频放大器的保护方法，其特征在于，
所述音频放大器具备包括高侧晶体管以及低侧晶体管的推挽形式的输出级，
所述保护方法具备如下步骤：
流经所述高侧晶体管的源电流超过第一阈值时，将所述音频放大器锁存停止；以及
将所述第一阈值调节为相对于被供给至所述音频放大器的电源电压具有正相关性。